KR970051841A - 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 바텀-ARC막을 이용하여 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 바텀-ARC막 하부에 형성되어 있는 하부 막질 재료가 산화막인 경우, 상기 바텀-ARC와 산화막 사이에 도전성막(예컨대, 폴리실리콘 또는 금속막)을 형성해 준 뒤 식각공정을 진행하므로써, 바텀-ARC막 식각시 도전성막에 의해 그 하부의 산화막이 식각되는 것을 막을 수 있으므로 패턴의 CD(critical demension)증가를 방지할 수 있게 되어 소자의 미세 패턴 형성을 보다 용이하게 실시할 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 미세 패턴 형성시의 반도체 소자 형상을 도시한 단면도.
Claims (2)
- 바텀-ARC막을 이용하여 반도체 소자의 미세 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 바텀-ARC막 하부에 형성되어 있는 하부 막질 재료가 산화막인 경우, 상기 바텀-ARC막과 산화막 사이에 도전성막을 형성해주는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성막은 폴리실리콘 또는 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047892A KR970051841A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047892A KR970051841A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970051841A true KR970051841A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66593251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047892A KR970051841A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970051841A (ko) |
-
1995
- 1995-12-08 KR KR1019950047892A patent/KR970051841A/ko not_active Application Discontinuation
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