KR960002550A - 반도체 소자의 스페이서 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 스페이서 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 소정의 크기로 이루어진 패턴된 물질(21)측벽에 형성하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 있어서, 상기 패턴(21)이 형성된 웨이퍼(20) 상부에 SOG막(22)을 도포하는 단계; 상기 SOG막(22)을 스페이서 식각하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 관한 것으로, 스페이서 형성 물질로 SOG막을 이용함으로써 스페이서의 모양제어 및 잔류 산화막의 두께제어가 용이한 특유의 효과가 있는 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일실시예에 따른 SOG막 스페이서 형성 공정 단면도.
Claims (3)
- 소정의 크기로 이루어진 패턴된 물질(21)측벽에 형성하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법에 있어서, 상기 패턴(21)이 형성된 웨이퍼(20)상부에 SOG막(22)을 도포하는 단계; 상기 SOG막(22)을 스페이서 식각하는 단계를 포함하며 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 SOG막(22)을 스페이서 식각하는 단계에서 웨이퍼 표면에 소정의 크기로 SOG막(22)을 잔류(22")시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 잔류 SOG막(22")형성 후, SOG막 스페이서(22') 및 잔류 SOG막(22")을 산화시키는 단계를 더 포함하며 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 스페이서 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012586A KR960002550A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012586A KR960002550A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002550A true KR960002550A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940012586A KR960002550A (ko) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 반도체 소자의 스페이서 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002550A (ko) |
-
1994
- 1994-06-03 KR KR1019940012586A patent/KR960002550A/ko not_active Application Discontinuation
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