KR970054532A - 반도체소자의 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명은 반도체기판의 상부에 소자분리막을 형성하기 위한 감광막패턴을 마스크로 사용하여 제2질화막패턴, 산화막패턴 및 제1질화막패턴을 형성하고, 상기 노출된 반도체기판을 열산화하여 필드산화막을 형성하고, 상기 제2질화막패턴과, 산화막패턴 및 제1질화막패턴을 제거하므로써, 단순한 공정으로 소자분리영역을 감소한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 소자분리막 제조 공정도.
Claims (5)
- 반도체기판의 상부에 소자분리막을 형성하기 위한 감광막패턴을 마스크로 사용하여 제2질화막패턴, 산화막패턴 및 제1질화막패턴을 형성하는 단계와, 상기 노출된 반도체기판을 열산화하여 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 제2질화막패턴과, 산화막패턴 및 제1질화막패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1질화막은 80 내지 120Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막은 300Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2질화막은 2000Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화막패턴을 제거할 때, 필드산화막의 일정두께도 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066179A KR970054532A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066179A KR970054532A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054532A true KR970054532A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066179A KR970054532A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054532A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066179A patent/KR970054532A/ko not_active Application Discontinuation
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