KR970030809A - 마스크롬 제조방법 - Google Patents
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- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
- H10B20/27—ROM only
- H10B20/30—ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
- H10B20/38—Doping programmed, e.g. mask ROM
- H10B20/383—Channel doping programmed
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Abstract
본 발명은 벌크-실리콘 웨이퍼를 사용하면서 SOI 웨이퍼에서의 우수한 특성을 동시에 만족시키는 마스크롬 제조 방법에 관한 것으로, 벌크-반도체기판에 절연막, 채널 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 소자분리막을 형성하는 단계; 상기 채널 폴리실리콘막 상부에 게이트 절연막, 게이트 폴리실리콘막을 차례로 형성하는 단계; 상기 게이트 폴리실리콘막 상부에 게이트 패턴 형상을 위한 마스크로 사용될 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 게이트 폴리실리콘막, 게이트 절연막을 식각함으로써 게이트 영역 이외의 상기 채널 폴리실리콘막을 노출시키는 단계; 노출된 상기 채널 폴리실리콘막에 상기 채널과 반대형의 불순물을 도핑하여 소스／드레인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1c도는 본 발명의 일실시예에 따른 낸드형 마스크롬의 제조과정을 나타내는 공정 단면도.
Claims (3)
- 반도체기판상에 절연막, 채널 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 채널 폴리실리콘막 상부에 게이트 절연막, 게이트 폴리실리콘막을 차례로 형성하는 단계; 상기 게이트 폴리실리콘막 상부에 게이트 패턴 형성을 위한 마스크로 사용될 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 하부의 상기 게이트 폴리 실리콘막, 게이트 절연막을 식각함으로써 게이트 영역 이외의 상기 채널 폴리실리콘막을 노출시키는 단계; 노출된 상기 채널 폴리실리콘막에 상기 채널과 반대형의 불순물을 도핑하여 소스／드레인을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 2000 내지 8000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 채널 폴리실리콘막은 500 내지 2000Å 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 마스크롬 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043621A KR100373368B1 (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 마스크롬제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043621A KR100373368B1 (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 마스크롬제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030809A true KR970030809A (ko) | 1997-06-26 |
| KR100373368B1 KR100373368B1 (ko) | 2003-05-09 |
Family
ID=37416707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950043621A KR100373368B1 (ko) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 마스크롬제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100373368B1 (ko) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940003022A (ko) * | 1992-07-07 | 1994-02-19 | 김주용 | 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법 |
-
1995
- 1995-11-24 KR KR1019950043621A patent/KR100373368B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100373368B1 (ko) | 2003-05-09 |
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