KR940003022A - 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법 - Google Patents

폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법 Download PDF

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KR940003022A
KR940003022A KR1019920012087A KR920012087A KR940003022A KR 940003022 A KR940003022 A KR 940003022A KR 1019920012087 A KR1019920012087 A KR 1019920012087A KR 920012087 A KR920012087 A KR 920012087A KR 940003022 A KR940003022 A KR 940003022A
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film transistor
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polysilicon thin
polysilicon
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KR1019920012087A
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민병운
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00Read-only memory [ROM] devices
    • H10B20/27ROM only
    • H10B20/30ROM only having the source region and the drain region on the same level, e.g. lateral transistors
    • H10B20/38Doping programmed, e.g. mask ROM
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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Abstract

본 발명은 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스코 룸의 제조 방법에 관한 것으로. 특히 절연막(16)상에 폴리실리콘을 증착한 후에 예정된 크기로 게이트 전극(10)을 형성하고 게이트 산화막(11)을 상기 게이트 전극(10)상에 중착한 다옴 폴리 실리콘을 증작하고 불순물 주입을 통하여 고농도 활성 영역(7')과 채널영 역을 형성하는 제1단계, 및 상기 제1단제 후에 공핍형 트랜지스터로 만들고자 귀는 지역의 상기 채널영역 (15)에 인접한 상기 고농도 활성영역 (7')과 같은 형의 불순물을 주입하여 소오스와 드레인을 연결시키는 제2단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법에 관한 것이다.

Description

폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 일실시예의 마스크 롬 구조도.

Claims (1)

  1. 폴리 실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 폼에 있어서. 절연막(16)상애 폴리실리콘을 증착한 후에 예정된 크기로 게이트 전극(10)을 형성하고 게이트 산화막 (11)을 상기 게이트 전극 (10)상에 증착한 다음 폴리실리콘을 중착하고 불순물 주입을 통하여 고농도 활성 영역(7')과 채널영역을 형성하는 제1단계, 및 상기 제1단계 후에 공핍형 트랜지스터로 만들고자 하는 지역의 상기 채널영역(15)에 인접한 상기 고농도 활성영역 (7')과 같은 형의 불순물을 주입하여 소오스와 드레인을 연결시키는 제2단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012087A 1992-07-07 1992-07-07 폴리실리콘 박막 트랜지스터를 이용한 마스크 롬의 제조방법 KR940003022A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100373368B1 (ko) * 1995-11-24 2003-05-09 주식회사 하이닉스반도체 마스크롬제조방법

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