KR940016695A - 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택트홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 기판(31)에 산화막 절연체(32)를 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 산화막 절연체(32)상에 제 1 포토 레지스트(33)를 도포한 후에 불순물을 이온 주입하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 제 1 포토 레지스트(33)상에 제 2 포토 레지스트(34)를 도포하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 선택 노광하여 테이퍼진을 형성하는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 테이퍼진 단면 형상을 한 마스크(33,34)와 산화막 절연체(32)에 대하여 동일한 식각 속도로 건식 식각을 하여 콘택트홀을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 콘택트홀 제조 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법에 있어서, 반도체 기판(31)에 금속 배선(35)를 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 상기 금속 배선(35)상에 제 1 포토 레지스트(33)를 도포한 후에 불순물을 이온 주입하는 제 2 단계, 상기 제 2 단계 후에 상기 제 1 포토 레지스트(33)상에 제 2 포토 레지스트(34)를 도포하는 제 3 단계, 상기 제 3 단계 후에 선택 노광하여 테이퍼진을 형성하는 제 4 단계, 상기 제 4 단계 후에 테이퍼진 단면 형상을 한 마스크(33,34)와 금속 배선(35)에 대하여 동일한 식각 속도로 건식 식각을 하여 콘택트홀을 형성하는 제 5 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026930A KR940016695A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026930A KR940016695A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016695A true KR940016695A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67215302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920026930A KR940016695A (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 콘택트홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016695A (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026930A patent/KR940016695A/ko not_active Application Discontinuation
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |