KR900001024A - Sram의 제조방법 - Google Patents
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 SRAM의 제조방법을 나타내는 단면도이다
Claims (1)
- 통상의 반도체 기판상에 활성영역을 형성하고 포토마스크 공정을 진행한 후 폐입된 N+또는 P+의 소오스 또는 드레인을 이온 수입하고 포토레지스트를 제거하고, 계속해서 현상 다결정층 및 LTO층을 증착하고 포토마스크공정을 행한 후 다결정층을 에칭하고, 여기에 LTO층을 다시 증착한 후 애칭을 행하여 측벽 LTO층을 형성하고, 계속해서 드레인 또는 소오스의 마스크공정을 행한 후 N+또는 P+드레인 또는 소오스의 이온주입을 행하고 절연층간 산화막을 증착하고, 통상적인 접촉공정을 행하고, 금속을 증착한 후 에칭하여 배선을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체의 SRAM의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019880007987A KR960013507B1 (ko) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | Sram의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family
ID=19275681
Family Applications (1)
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-
1988
- 1988-06-30 KR KR1019880007987A patent/KR960013507B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
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KR960013507B1 (ko) | 1996-10-05 |
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