KR930005252A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스터의 제조방법 Download PDF

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KR930005252A
KR930005252A KR1019910014616A KR910014616A KR930005252A KR 930005252 A KR930005252 A KR 930005252A KR 1019910014616 A KR1019910014616 A KR 1019910014616A KR 910014616 A KR910014616 A KR 910014616A KR 930005252 A KR930005252 A KR 930005252A
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KR
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KR1019910014616A
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Inventor
최우호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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내용 없음.

Description

박막 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)∼(E)도는 이 발명에 따른 박막 트랜지스터의 제조공정도이다.

Claims (7)

  1. 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 소정기판상에 게이트전극 게이트절연막, 비정질 실리콘층, 확산층, 금속층을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 금속층의 상부에 감광막 패턴을 형성한후 상기 금속층의 노출된 부분을 식각하는 제1식각공정과, 상기 금속층과 확산층의 접합면에 생성된 금속 실리사이드층의 노출된 부분을 식각하는 제2식각공정과, 상기 확산층의 노출된 부분을 식각하는 제3식각과정과, 상기 식각되고 남은 잔유물 및 유기물을 제거한후 산화규소막을 형성하는 공정과, 상기 감광막 패턴을 제거하는 공정을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 확산층을 n+형 실리콘을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어 서, 상기 제1, 제2 및 제3식각공정을 습식 또는 건식 식각 방법에 의해 행하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3식각공정을 각기 다른 식각방법으로 행하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2식각공정을 반응성 이온식각 방법으로 행하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3식각공정을 반응성 이온식각 방법으로 행하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 식각되고 남은 잔유물 및 유기물 제거와 산화규소막 형성 공정을 산소 프라스마를 이용하여 행하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014616A 1991-08-23 1991-08-23 박막 트랜지스터의 제조방법 KR930005252A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100720433B1 (ko) * 2000-08-30 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100720433B1 (ko) * 2000-08-30 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 제조방법

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