KR950001908A - 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 마스크를 2개로 나누어, 먼저 제1콘택 마스크를 사용하여 깊이가 깊은 콘택홀을 전체적으로 건식식각한 후, 다시 테이퍼 식각공정으로 원하는 기울기를 갖는 콘택홀을 깊에 형성하고, 제2콘택 마스크를 사용하여 통상적인 습식식각과 건식식각을 순차적으로 실시하여 깊이가 얕은 콘택홀을 형성하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 관한 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (7)
- 반도체 소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 폴리 실리콘 또는 실리사이드와 그 주위를 덮고 있는 산화막 상부에 제1콘택 마스크용 포토 레지스트를 이용한 식각공정으로 노출된 부분의 산화막을 식각하여 깊이가 깊은 콘택홀을 형성하고, 콘택홀을 포함하는 구조의 상부에 접합 보호용 포토 레지스트를 다시 코팅하는 제1단계와, 산소 플라즈마를 이용하여 깊이가 깊은 콘택홀 주위의 산화막과 접합 보호용 포토 레지스트의 일정 두께까지 블랭킷 테이퍼 식각공정을 실시하는 제2단계와, 제2콘택 마스크용 포토 레지스트를 사용한 습식 식각공정과 건식 식각공정을 순차적으로 실시하여 노출된 부분의 산화막을 식각함으로써, 폴리 실리콘 또는 실리사이드가 드러난 깊이가 얕은 콘택홀을 형성하는 제3단계로 깊이가 깊은 콘택홀과 깊이가 얕은 콘택홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 블랭킷 테이퍼 식각공정시에 아르곤 플라즈마를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 블랭킷 테이퍼 식각공정시에 산소 플라즈마와 아르곤 플라즈마를 2단계로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 블랭킷 테이퍼 식각공정시 비활성 기체를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 제1단계 공정에서 콘택홀을 형성한 후에 제1콘택 마스크용 포토 레지스트를 제거하지 않은 상태에서 접합 보호용 포토 레지스트를 도포하여 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 제2단계 공정에서 깊은 콘택홀 내부에 잔존해 있는 접합 보호용 포토 레지스트를 제거하지 않은 상태에서 제3단계 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 제3단계 공정을 먼저 실시한 후에 제1단계 공정과 제2단계 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930011834A KR950001908A (ko) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930011834A KR950001908A (ko) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950001908A true KR950001908A (ko) | 1995-01-04 |
Family
ID=67134764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930011834A KR950001908A (ko) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950001908A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210015228A (ko) * | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 주식회사 포스코 | 니켈 습식제련의 후처리 공정의 수증기 공급 장치 및 공급 방법 |
-
1993
- 1993-06-28 KR KR1019930011834A patent/KR950001908A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210015228A (ko) * | 2019-08-01 | 2021-02-10 | 주식회사 포스코 | 니켈 습식제련의 후처리 공정의 수증기 공급 장치 및 공급 방법 |
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