KR920013625A - 반도체장치의 이온 주입 방법 - Google Patents
반도체장치의 이온 주입 방법 Download PDFInfo
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- oxide film
- gate
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- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(c)는 본 발명에 따른 반도체장치의 이온주입을 설명하기 위한 공정도이다.
Claims (1)
- 반도체 제조공정에 있어서, 필드산화막과 게이트 산화막이 형성된 반도체기판이 전면에 규소막, 산화막을 차례로 증착한 상태에서 상기 규소막을 전도체로 사용하기 위한 이온주입을 실시하는 공정과, 상기 산화막을 제거한 후 포토에칭공정으로 게이트를 형성하는 공정으로 이루어진 반도체장치의 이온주입방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900021458A KR920013625A (ko) | 1990-12-22 | 1990-12-22 | 반도체장치의 이온 주입 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900021458A KR920013625A (ko) | 1990-12-22 | 1990-12-22 | 반도체장치의 이온 주입 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920013625A true KR920013625A (ko) | 1992-07-29 |
Family
ID=67538508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900021458A KR920013625A (ko) | 1990-12-22 | 1990-12-22 | 반도체장치의 이온 주입 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920013625A (ko) |
-
1990
- 1990-12-22 KR KR1019900021458A patent/KR920013625A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |