KR920020752A - 서브-미크론 폴리실리콘 게이트 제조방법 - Google Patents

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KR920020752A
KR920020752A KR1019910005774A KR910005774A KR920020752A KR 920020752 A KR920020752 A KR 920020752A KR 1019910005774 A KR1019910005774 A KR 1019910005774A KR 910005774 A KR910005774 A KR 910005774A KR 920020752 A KR920020752 A KR 920020752A
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KR
South Korea
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oxide film
sub
polysilicon gate
gate manufacturing
polysilicon
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KR1019910005774A
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Inventor
송명섭
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

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서브-미크론 폴리실리콘 게이트 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 폴리실리콘 게이트 공정 단면도.

Claims (1)

  1. 기판(1)위에 산화막(2), 폴리실리콘(3), 산화막(4)을 형성하고 P/R(5)을 사용하여 상기 산화막(4)을 선택적 제거하는 공정과, 상기 P/R(5)을 제거하고 산화막(4)을 셀프 어라인된 마스크로 하여 폴리실리콘(3)을 습식에치하는 공정과, 상기 산화막(4)을 불산을 사용하여 절반정도가 폴리실리콘(3)위에 남게 제거하는 공정과, 상기 잔존하는 산화막(4)을 마스크로하여 폴리실리콘(3)을 에치하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 서브-미크론 폴리실리콘 게이트 제조방법.
    * 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910005774A 1991-04-11 1991-04-11 서브-미크론 폴리실리콘 게이트 제조방법 KR920020752A (ko)

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