KR900015264A - 비대칭 자기정렬 이온 주입방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 비대칭 자기 정렬 이온 주입방법을 단계적으로 나타낸 단면도이고,
제3도는 게이트길이와k값의 관계를 나타낸 그래프이고,
제4도는 게이트길이와 드레인 콘덕턴스(gD)와의 관계를 나타낸 그래프이고,
제5도는 본 발명에 따른 에칭시간과 사이드 에칭과의 관계를 나타낸 그래프이다.
Claims (1)
- FET 제조에 있어서, W-A1 게이트 전극을 형성하고, Ge를 부착하고, 포토레지스트를 도포하고, 소오스 또는 드레인 영역중 어느 한 이온주입영역의 포토레지스트를 포토공정에 의해 제거하고, Ge를 사이드 에칭하고, 포토레지스트를 제거한 후, Si를 이온주입하는 것을 특징으로 하는 비대칭 자기정렬 이온주입방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019890004244A KR0125869B1 (ko) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 비대칭 자기정렬 이온 주입방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019890004244A KR0125869B1 (ko) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 비대칭 자기정렬 이온 주입방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900015264A true KR900015264A (ko) | 1990-10-26 |
| KR0125869B1 KR0125869B1 (ko) | 1997-12-26 |
Family
ID=19284991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890004244A KR0125869B1 (ko) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 비대칭 자기정렬 이온 주입방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR0125869B1 (ko) |
-
1989
- 1989-03-31 KR KR1019890004244A patent/KR0125869B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0125869B1 (ko) | 1997-12-26 |
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