KR940022898A - 소스 개량형 박막트랜지스터 - Google Patents

소스 개량형 박막트랜지스터 Download PDF

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KR940022898A
KR940022898A KR1019930004551A KR930004551A KR940022898A KR 940022898 A KR940022898 A KR 940022898A KR 1019930004551 A KR1019930004551 A KR 1019930004551A KR 930004551 A KR930004551 A KR 930004551A KR 940022898 A KR940022898 A KR 940022898A
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KR
South Korea
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thin film
film transistor
source
improved thin
current
Prior art date
Application number
KR1019930004551A
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English (en)
Inventor
손광식
최진호
이왕주
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Publication date
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 박막트랜지스터 제조시 특히, 소스 영역을 채널의 일정 영역까지 확장하여 형성함으로써 박막트랜지스터의 오프(OFF) 전류의 증가없이 온(ON) 전류를 증가시켜 박막트랜지스터 온/오프(ON/OFF) 전류비를 개선하여 고집적에 적합한 안정된 셀(cell) 동작을 확보할 수 있는 소스 개량형 박막트랜지스터에 관한 것이다.

Description

소스 개량형 박막트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 발명에 따른 소스 개량형 박막트랜지스터 단면도이다.

Claims (1)

  1. 게이트 폴리(3), 게이트 산화막(2), 채널 폴리(4)로 이루어지는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)에 있어서, 상기 채널 폴리(4)에 이온 주입되어 상기 게이트 폴리(3) 상부의 일정 영역에까지 소스 영역(6)이 확장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 소스 개량형 박막트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930004551A 1993-03-23 1993-03-23 소스 개량형 박막트랜지스터 KR940022898A (ko)

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