KR890010956A - 게이트 산화막을 이용한 양극성 캐패시터의 제조방법 - Google Patents
게이트 산화막을 이용한 양극성 캐패시터의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 제조방법 설명도이다.
Claims (1)
- 능동소자 영역을 한정한 후 캐패시터 전극 영역(11)을 형성시키기 위한 이온주입 공정과, 게이트 산화막을 성장시키고 폴리(12)를 형성시키는 공정과, 소스/드레인 영역(13)을 형성시키기 위한 이온주입 공정과, 절연막(14)을 형성시킨 다음 폴리(12)와 이온주입이 겹친 양측 캐퍼시터 전극영역(11)에 메탈라인(15)을 형성시키는 공정과로 되는 것을 특징으로 하는 게이트 산화막을 이용한 양극성 캐퍼시터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870015044A KR900004253B1 (ko) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 게이트 산화막을 이용한 양극성 커패시터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019870015044A KR900004253B1 (ko) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 게이트 산화막을 이용한 양극성 커패시터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890010956A true KR890010956A (ko) | 1989-08-11 |
| KR900004253B1 KR900004253B1 (ko) | 1990-06-18 |
Family
ID=19267403
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870015044A KR900004253B1 (ko) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 게이트 산화막을 이용한 양극성 커패시터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900004253B1 (ko) |
-
1987
- 1987-12-28 KR KR1019870015044A patent/KR900004253B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900004253B1 (ko) | 1990-06-18 |
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