KR890001163A - 고전압 및 고속용 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

고전압 및 고속용 반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3(A)-(J)도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조방법.

Claims (1)

  1. 고전압 고속용 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 제 1 도 전형의 반도체기판(11)상에 제1산화막(12), 질화막(13)을 순차적으로 형성하고 소정부위를 에칭하여 저농도의 제2도전형 불순물을 이온 주입하는 제1공정과, 상기 이온 주입된 제2 도전형의 불순물의 확산시켜 저농도 제2 도전형 확산 영역 (14)을 형성하는 제2 과정과 포토레지스터(15)패턴을 형성하여 고농도 제2도 전형의 불순물을 이온주입하는 제3공정과, 포로레지스트(15)를 제거하고 상기 저농도 제2도 전형확산 여역(14) 상부에 산화막(16)을 성장시키면서 고농도 제2도 전형확산영역(17)을 형성하는 제4공정과 상기 저농도 제2도 전형확산영역(14)의 외부소정 부위에 고농도 제1도 전형 확산영역(19)을 형성하는 제5공정과 필드산화막(21)을 성장시키고 남아있는 질화막(13)과 제1산화막(12)을 제거한 후 게이트 한화막(22)을 성장시키고 문턱 전압 조절위에 소정 이온 주입을 하는 제7공정과 고농도의 제2도 전형 확산영역(14) 및 고농도의 제1 도전형 확산 영역(19)과전극의 접촉을 위한 창(13)을 형성하는 제8공정과, 금속전극(24)과 금속게이트(25)를 형성하는 제9공정과 상기 제1공정과 같은 도우즈의 제2 도전형 불순물을 이논 주입하여 오프셑 게이트(26)을 형성하는 제10공정을 구비하여 상기 공정들의 연속으로 고전압 고속용 반도체 장치의 게이트를 형성함을 특징으로하는 고전압 고속용 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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