KR940016845A - 반도체 집적회로의 고저항부하와 제조방법 - Google Patents
반도체 집적회로의 고저항부하와 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
고집적 반도체소자의 콘택을 형성할때 구동트랜지스터의 게이트의 소정부분을 텅스텐 실리사이드를 식각으로 제거한후, 부하저항 폴리실리콘을 직접 게이트의 폴리실리콘과 접촉시킴으로 콘택부위에 높은 도스의 이온을 주입할 필요없이 오믹콘택을 형성하는 고저항부하 제조방법.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4a도 내지 4d도는 본 발명에 따른 반도체소자의 공정순서도로서, 제 1 도의 A-A' 부분을 따라 절단한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 집적회로의 고저항부하 제조방법에 있어서, 실리콘기판(1) 상부에 폴리실리콘(3)을 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘(3) 상부에 텅스텐 실리사이드(5)를 증착하는 단계와, 상기 폴리실리콘(3)과 텅스텐 실리사이드(9)의 소정부분을 포토마스크를 이용하여 식각하여, 구동트랜지스터 게이트(7)를 형성하고, 그 상부에 격리산화막(9)을 형성하는 단계와, 상기 격리산화막(9)과 구동트랜지스터 게이트(7)의 소정부분을 포토마스크를 이용하여 식각함으로써, 콘택(11)을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 부하저항용 폴리실리콘(13)을 증착하는 단계와, Vcc라인(15)이 형성될 영역을 높은 도스로 이온주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 고저항부하 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1992
- 1992-12-31 KR KR1019920027067A patent/KR100248348B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100248348B1 (ko) | 2000-03-15 |
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