KR960036021A - 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자가 고집적화 되면서 소자의 접합 깊이가 얕아지는 추세에 있으며, 따라서 저도핑 드레인(LDD) 구조의 모스 트랜지스터를 스페이서 산화막을 이용하여 제조하는 경우 스페이서 산화막 식각시기판에 손상을 주어 소자의 신뢰성을 저하시키게하는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
스페이서 산화막을 증착하기 전에 기판 보호를 위한 실리콘 질화막을 증착한 다음 스페이서 산화막을 증착하고 식각 공정을 실시하므로써 기판 손상을 방지하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체 소자, 특히 LDD 구조의 MOS 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 MOS 트랜지스터 제조 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (1)
- 저도핑 드레인 구조의 모스(MOS) 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트 산화막을 증착하고 그 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 산화막을 형성하고, 저도핑 드레인 영역 형성을 위한 이온 주입을 실시하는 단계와, 전체 구조 상부에 실리콘 질화막을 증착하는 단계와, 전체 구조 상부에 스페이서 산화막을 증착하고, 블랭킷 식각을 실시하여 게이트 전극 측벽에 측벽 스페이서를 형성하는 단계 및, 소스/드레이 영역 형성을 위한 이온 주입을 실시하고 어닐링 공정을 수행하는 단계를 포함해서 이루어진 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950005893A KR960036021A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950005893A KR960036021A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036021A true KR960036021A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66549486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950005893A KR960036021A (ko) | 1995-03-21 | 1995-03-21 | 저도핑 드레인 구조의 모스 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960036021A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006506B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2011-01-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1995
- 1995-03-21 KR KR1019950005893A patent/KR960036021A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101006506B1 (ko) * | 2003-07-11 | 2011-01-07 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
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