KR970003713A - 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
저전력, 고속 동작 특성을 실현하기 위해, p-웰의 농도를 낮추는 경우에는 드레인영역으로부터 소스 영역으로 펀치-스루우(punch-through) 현상이 발생할 수 있으며, 이와 같은 펀치-스루우 현상 및 핫 캐리어(hot carrier)의 문제점을 개선하기 위해 LDD 구조를 형성하는 경우에는 정전기를 방지하는 정전기 방전(ESD: Electro Static Discharge) 특성을 열화시키는 등의 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
게이트 전극을 형성한 다음 게이트 전극과 소자 분리막 사이에 부분적으로 웰 지역을 형성하므로써, 펀치-스루우 현상을 방지하고 소자의 특성을 개선할 수 있는 MOS 트랜지스터 제조 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
MOS 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 MOS 트랜지스터 제조 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (2)
- 저도핑 드레인 구조의 모스(MOS) 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 채널 스톱 영역과 소자 분리막을 형성하는 단계와, 전체 구조 상부에 산화막과 게이트용 폴리실리콘을 증착하고, 사진식각 공정을 통해 게이트 산화막과 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 소자 분리막과 상기 게이트 전극을 이온 주입 배리어로 이용하여, 웰 지역 형성을 위한 이온 주입을 실시하는 단계와, 전체 구조 상부에 스페이서 산화막을 증착하고 블랭킷 식각을 실시하여 상기 게이트 전극 측벽에 스페이서를 형성하는 단계 및, 소스/드레인 영역 형성을 위한 이온 주입을 실시하고 어닐링 공정을 실시하는 단계를 포함해서 이루어진 모스 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웰 지역은 상기 소자 분리막과 상기 게이트 전극 사이에 각각 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019124A KR970003713A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 |
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| KR1019950019124A KR970003713A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970003713A true KR970003713A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019124A KR970003713A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 모스 (mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003713A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019124A patent/KR970003713A/ko not_active Application Discontinuation
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