KR960039273A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법이 개시된다.
본 발명은 필드 영역에 고농도의 불순물 이온을 주입하여 형성된 채널스톱 영역이 필드 산화막 형성을 위한 고온 산화공정으로 저농도의 채널스톱 영역으로 되어 소자의 동작시 필드 반전이 발생되는 것을 방지하기 위하여, 필드 산화막 주변에 고농도의 불순물 영역을 형성한다.
따라서, 본 발명은 소자의 수율을 증대시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1E도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 의한 소자의 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 필드 영역이 개방된 산화방지층을 웨이퍼상에 형성한 후, 불순물 이온 주입공정으로 상기 필드 영역에 제1불순물 영역을 형성하는 단계와, 열산화공정으로 필드 산화막을 형성한 후, 상기 산화방지층을 제거하는 단계와, 상기 필드 산화막 주변의 웨이퍼 일부가 개방되도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 불순물 이온 주입공정으로 상기 웨이퍼의 개방된 부분에 상기 제1불순물 영역에 연하는 제2불순물 영역을 형성하므로, 이로인하여 상기 제1 및 2불순물 영역으로 된 채널스톱 영역이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 P-타입일 경우, 상기 제1 및 제2불순물 영역은 고농도의 P-타입 불순물 이온을 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 P-타입일 경우, 상기 제1 및 2불순물 영역 각각은 B 및 BF2이온중 적어도 하나를 적용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 N-타입일 경우, 상기 제1 및 2불순물 영역은 고농도의 N-타입 불순물 이온을 주입하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 N-타입일 경우, 상기 제1 및 2불순물 영역 각각은 P, As 및 Sb 이온중 적어도 하나를 적용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  6. N-웰 CMOS 소자의 제조방법에 있어서, P-타입 웨이퍼의 소정부분에 N-웰을 형성한 후, 필드 영역이 개방된 산화방지층을 상기 웨이퍼상에 형성하는 단계와, 상기 N-웰 상에 제1포토레지스트 패턴을 형성한 후 , 상기 산화방지층 및 상기 제1포토레지스트 패턴을 이온 주입 마스크로 한 불순물 이온 주입공정으로 P-타입 웨이퍼의 필드 영역에 제1불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거한 후, 열산화공정으로 필드산화막을 형성하는 단계와, 상기 산화방지층을 제거한 후, NMOS 및 PMOS 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하고, 이후 NMOS 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 PMOS 트랜지스터의 소오스/드레인 영역과 상기 NMOS 트랜지스터의 필드 산화막 주변의 P-타입 웨이퍼 일부가 개방되도록 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 이온 주입 마스크로한 불순물 이온 주입공정으로 PMOS 트랜지스터의 소오스 및 드레인 전극을 형성함과 동시에 P-타입 웨이퍼의 개방된 부분에 상기 제1불순물 영역에 연하는 제2불순물 영역을 형성하므로, 이로인하여 상기 제1 및 2불순물 영역으로 된 채널스톱 영역이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 2불순물 영역은 고농도의 P-타입 불순물 이온으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 2불순물 영역은 B 및 BF2이온중 적어도 하나를 적용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950008341A 1995-04-11 1995-04-11 반도체 소자의 제조방법 KR0146528B1 (ko)

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