KR970077680A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
박막트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
피모오스 트랜지스터의 채널형성을 게이트 측면에서 형성함으로써 고 집적회될 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
박막 트랜지스터의 제조방법은 반도체 기판상에 사진공정과 식각공정을 통해 소정면적의 게이트를 침적하는 과정과; 상기 게이트상에 게이트 옥사이드를 침적하는 과정과; 채널을 형성하기 위하여, 상기 게이트 옥사이드 전면에 도전물질을 침적하는 과정과; 상기 소오스와 드레인을 형성하기 위하여, 상기 도전물질을 포토레지스터를 이용하여 상기 드레인과 소오스가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 전면식각하는 과정을 포함함을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
고집적 반도체 메모리 장치에 적합하게 사용된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도∼제3D도는 본 발명의 실시예에 따라 구성된 순차적인 단면도.
Claims (4)
- 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서 : 반도체 기판상에 사진공정과 식각공정을 통해 소정면적의 게이트를 침적하는 과정과; 상기 게이트상에 게이트 옥사이드를 침적하는 과정과; 채널을 형성하기 위하여, 상기 게이트 옥사이드 전면에 도전물질을 침적하는 과정과; 상기 소오스와 드레인을 형성하기 위하여, 상기 도전물질을 포토레지스터를 이용하여 상기 드레인과 소오스가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역을 전면식각하는 과정을 포함함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트상의 일부영역에 식각공정을 통해 개구부를 형성하는 과정을 더 포함함을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전물질은 피형 불순물임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전물질은 엔형 불순물임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016815A KR970077680A (ko) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960016815A KR970077680A (ko) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970077680A true KR970077680A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66219369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960016815A KR970077680A (ko) | 1996-05-18 | 1996-05-18 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970077680A (ko) |
-
1996
- 1996-05-18 KR KR1019960016815A patent/KR970077680A/ko not_active Application Discontinuation
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