KR920015446A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정 단면도.
Claims (1)
- 트랜지스터 제조공정에 있어서, 기판위에 게이트 산화막과 폴리실리콘막을 차례로 형성하고 감광제를 이용하여 게이트를 한정하는 단계, 습식에치용액으로 소정시간동안 습식에치를 행하여 감광제로 한정된 폴리실리콘막의 양 테두리가 경사지게 형성하는 단계, 이어 건식으로 수직에치를 실시하여 게이트폴리실리콘막을 형성하는 단계, 통상의 방법으로 게이트측벽산화막과 소오드/드레인 영역을 형성하고 중간절연막을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000707A KR920015446A (ko) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000707A KR920015446A (ko) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015446A true KR920015446A (ko) | 1992-08-26 |
Family
ID=67396518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000707A KR920015446A (ko) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015446A (ko) |
-
1991
- 1991-01-17 KR KR1019910000707A patent/KR920015446A/ko not_active Application Discontinuation
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