KR920020762A - 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정 단면도.
Claims (3)
- 기판에 웰과 필드산화막 형성이후 진행되는 동안 공정에 있어서, 마스킹 공정 및 고농도 이온주입 공정을 실시하여 고농도 소오스/드레인 영역을 형성하기 위한 스탭, 상기 고농도 소오스/드레인 영역상에 포토/에치공정을 실시하여 게이트가 형성될 부위에 트렌치를 형성하는 스텝, 제1게이트 산화막을 형성하고 문턱전압 조절을 위한 마스킹 공정 및 이온주입공정을 실시하는 스텝, 상기 제1게이트 산화막을 스트립하고 제2게이트 산화막과 게이트 폴리 실리콘막 및 게이트 캡 산화막을 차례로 형성한후 포토/에치공정을 실시하여 이들의 불필요한 부분을 제거함으로써 게이트를 완성하는 스텝, 전체적으로 산화막을 형성하고 이를 에치하여 게이트측벽 산화막을 형성하기 위한 스텝을 차례로 포함하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 게이트 산화막과 게이트캡 산화막 및 게이트 측벽 산화막은 HTO막이나 LTO막 또는 HLD막을 사용하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 측벽 산화막 형성을 위한 산화막 에치공정은 RlE법으로 실시함을 특징으로 하는 트랜지스터 제조방법.* 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005776A KR920020762A (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005776A KR920020762A (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020762A true KR920020762A (ko) | 1992-11-21 |
Family
ID=67400536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005776A KR920020762A (ko) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920020762A (ko) |
-
1991
- 1991-04-11 KR KR1019910005776A patent/KR920020762A/ko not_active Application Discontinuation
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