KR940001461A - 박막 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 오프전류의 크기를 작게 할 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 게이트와 드레인 간의 전계가 크므로 오프전류가 크게 되는 결점이 있었으나, 본 발명에서는 게이트(2)와 소오스/드레인(13)(14)이 겹치는 영역의 산화막(11, 17) 두께를 두껍게 하여 게이트(2)와 드레인(14)간의 전계를 줄임으로써 상기 결점을 개선 시킬수 있는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본발명 보톰 게이트 박막 트랜지스터의 일실시예를 나타낸 단면도.
제7도는 제6도의 제조를 나타낸 공정 단면도.
제8도는 제6도에 따른 그래프.
Claims (1)
- 산화막(1)위에 차례로 폴리 실리콘, 상기 질화막(15)을 형성하고, 질화막(15)의 양측을 제거한 후 질화막(15)의 양측에 측벽(16)을 형성하는 단계와, 상기 질화막(15)과 측벽(16) 영역을 제외한 폴리 실리콘을 제거하여 게이트(2)를 형성하고, 측벽(16)을 제거한 후 게이트(2)표면에 열산화막(17)을 형성하는 단계와, 질화막(15)을 제거하고, 전표면에 차례로 게이트 산화막(11), 폴리 실리콘(12)을 증착한 후 게이트(2)위 열산화막(17)이 없는 영역에 포토레지스트(18)을 형성하고, 소오스/드레인용 이온을 주입하고, 포토 레지스트(18)를 제거하여 폴리 실리콘(12)양측에 서로 대칭이 되도록 소오스/드레인(13)(14)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여 이루어지는 박막 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR940001461A true KR940001461A (ko) | 1994-01-11 |
| KR100232172B1 KR100232172B1 (ko) | 1999-12-01 |
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ID=19334611
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100232172B1 (ko) |
-
1992
- 1992-06-12 KR KR1019920010238A patent/KR100232172B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100232172B1 (ko) | 1999-12-01 |
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