KR930011288A - Ldd 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 LDD 트래지스터 측벽산화막의 측면을 조절 또는 일부제거함으로서 실리콘기판에 발생하는 결함을 감소시키거나 제거하여 정합누설 전류의 특성을 향상시킬 수 있는 LDD 구조의 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로 종래에는 이온주입후 열처리하는 과정에서 측벽산화막의 측벽모서리 부분이 급경사로 측면이 급하게 변화하기 때문에 생긴 스트레스가 실리콘기판에 각용하여 실리콘 기판밑에는 디스로케이션과 같은 결합이 존재하므로 정합누설전류의 원인이 되는 문제점이 있었으나 본 발명에서는 급경사인 측벽산화막의 측면을 습식식각하여 완만하게 조절 또는 일부제거함으로서 이를 개선한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(e)는 본 발명의 LDD 트랜지스터 제조공정 단면도.
Claims (1)
- 실리콘 기판위에 게이트 산화막을 성장시키고 폴리실리콘과 HTO를 차례로 형성시켜 저농도의 불순물을 이온주입하는 공정과, 그 위에 HTO를 두껍게 증착시켜 RIE로 에치백하여 측벽산화막을 남기고 고농도의 불순물을 이온주입하는 공정과, 측벽산화막을 습식식각하고 전면에 산화막을 성장시키는 공정을 차례로 실시하여 이루어지는 LDD 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910020285A KR930011288A (ko) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | Ldd 트랜지스터의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910020285A KR930011288A (ko) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | Ldd 트랜지스터의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930011288A true KR930011288A (ko) | 1993-06-24 |
Family
ID=67348669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910020285A KR930011288A (ko) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | Ldd 트랜지스터의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930011288A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329748B1 (ko) * | 1995-05-22 | 2002-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 드레인접합누설방지를위한엘디디(ldd)구조의모스펫(mosfet) |
-
1991
- 1991-11-14 KR KR1019910020285A patent/KR930011288A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100329748B1 (ko) * | 1995-05-22 | 2002-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 드레인접합누설방지를위한엘디디(ldd)구조의모스펫(mosfet) |
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