KR930015045A - 반도체 소자의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

호트 캐리어 효과개선과 공정 재현성을 제공하는 LDD구조를 갖는 반도체 제조방법에 관한 것으로, 종래 기술은 호트 캐리어 효과 개선에 한계가 있으며 이온 주입 농도를 작게하면 전류가 감소되는 결점이 있었으나 본 발명에서는 게이트의 측벽 공정을 두번 실시하여 양질의 반도체를 제공하여 상기 결점을 개선 시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 본 발명의 LDD구조를 갖는 반도체를 나타낸 공정단면도.

Claims (1)

1. 기판(11)위에 게이트 산화막을 성장시키고 n⁺폴리실리콘(12)을 증착한 후 질화막(13)을 형성하는 단계와, 상기 질화막(13)중 게이트가 될 부분을 제거하고 측벽(14)을 형성하며 이온 주입 후 측벽(14)을 제거하는 단계와, 게이트 영역에 에피층(15)을 성장하고 산화막(16)을 증착시킨후 에치백하여 평탄화시키고 질화막(13)을 제거하는 단계와, 전표면에 이온을 주입하여 n⁺영역(17)을 형성하고 제1측벽(18)을 형성한후 게이트 영역을 제외한 부분의 n⁺폴리실리콘(12)을 제거하는 단계와, 제1측벽(18) 및 n⁺폴리실리콘(12) 표면이 도포되도록 제2측벽(19)을 형성한후 이온을 주입하여 n⁺영역(20)을 형성하는 단계를 차례로 실시하여서 이루어지는 반도체 소자의 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.