KR900002432A - 반도체의 사이드벽 형성방법 - Google Patents
반도체의 사이드벽 형성방법 Download PDFInfo
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- KR900002432A KR900002432A KR1019880009333A KR880009333A KR900002432A KR 900002432 A KR900002432 A KR 900002432A KR 1019880009333 A KR1019880009333 A KR 1019880009333A KR 880009333 A KR880009333 A KR 880009333A KR 900002432 A KR900002432 A KR 900002432A
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 (가)∼(라)는 본 발명 반도체의 사이드 벽 형성 공정도.
Claims (1)
- 기판(10)상에 형성된 SiO2절연막(20)상에 게이트 폴리(30)를 에칭하고, 게이트 폴리(30)상에 절연층(40)을 데포하며, 게이트 폴리 마스크(50)를 사용하여 P.R작업(Photo)을 하고, 절연층(60)을 식각하여 제조함을 특징으로 하는 반도체의 사이드 벽 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880009333A KR900002432A (ko) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 반도체의 사이드벽 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880009333A KR900002432A (ko) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 반도체의 사이드벽 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR900002432A true KR900002432A (ko) | 1990-02-28 |
Family
ID=68137601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880009333A KR900002432A (ko) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | 반도체의 사이드벽 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR900002432A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335483B1 (ko) * | 1995-11-28 | 2002-11-20 | 삼성전자 주식회사 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
-
1988
- 1988-07-25 KR KR1019880009333A patent/KR900002432A/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335483B1 (ko) * | 1995-11-28 | 2002-11-20 | 삼성전자 주식회사 | 반도체소자의스페이서형성방법 |
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