KR920005300A - 다면구조 금속배선 형성방법 - Google Patents

다면구조 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

다면구조 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3A도 내지 제3D도는 본 발명의 제1 실시예에 의해 다면구조의 금속배선을 형성하는 단계를 나타낸 단면도,
제4A도 내지 제4E도는 본 발명의 제2실시예에 의해 다면구조의 금속배선을 형성하는 단계를 나타낸 단면도,
제5도는 본 발명의 제1 또는 제2실시예에 의해 다면구조의 금속배선 상부에 절연층을 증착할때 공동(Void)이 형성되지 않은 상태를 나타낸 단면도.

Claims (10)

  1. 고집적반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 하층물질 상부에 금고층을 증착하고 금속층 상부에 포토레지스를 마스크층을 형성하는 단계와, 노출된 금속층의 표면에 대기상태에서 형성된 산화막을 제거하는 단계와, 산화막을 제거한 금속층을 주식가공정으로 하층물질이 노출되기까지 식각하여 금속배선을 형성하고, 상기 주식각 공정으로 인하여 소정두께 식각함으로 단면이 사다리꼴 형태의 포토레지스트 마스크층으로 형성하는 단계와, 상기 금속배선에 대하여 포토레지스트 마스크층과 금속층과의 식각속도비를 1 내지 1.5로 설정한 상태에서 상기 포토레지스트 마스크층과 금속배선을 식각하여 금속배선 단면 상부 모서리가 제거된 다면 구조의 금속배선을 형성하는 단계와, 상기 다면 구조의 금속배선 상부의 포토레지스트 마스크층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 Al 또는 Al을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 주식각공정은 BCl3/Cl2/CHF3의 혼합개스를 사용한 플라즈마 식각인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 금속배선에 대하여 포토레지스트 마스크층의 식각속도를 1 내지 1.5배로 설정하기 위한 조건은 50 내지 150BCl2/30 내지 50 내지 15CHF3, 챔버진공도 15 내지 40m Torr, 챔버내 인가전압-160 내지 -250V, 소량 O2(5-15%)를 첨가한 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  5. 제1항 또는 4항에 있어서, 상기 금속배선에 대하여 포토레지스트 마스크층의 식각속도를 1 내지 1.5배로 설정하기 위한 조건은 100 내지 160BCl2/25 내지 35 Cl2/5 내지 10CHF3, 챔버진공도 15 내지 40m Torr, 챔버내 인가전압-250 내지 -350V 인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  6. 고집적 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 하층물질 상부에 금속층을 소정두께 증착하고 금속층 상부에 포토레지스트 마스크층을 형성하되 라운딩 공정 또는 플라즈마식각으로 사다리꼴 형태의 포토레지스트 마스크층을 형성하는 단계와, 노출된 금속층 표면에 대기상태에서 형성된 산화막을 제거하는 단계와,산화막을 제거한 금속층을 주식각공정으로 상기 금속층의 30~70%의 두께만 식각하는 단계와, 상기 금속층에 대하여 포토레지스트 마스크층의 식각속도를 1 내지 1.5배로 설정한 상태에서 포토레지스트 마스크층과 금속층을 식각하여 금속배선의 단면 상부모서리가 제거된 다면구조의 금속배선을 형성하는 단계와, 상기 다면구조의 금속배선 형성시 발생하는 잔유물을 제거하기 위해 과다식각을 실시하는 단계와, 상기 다면구조의 금속배선상부에 남아있는포토레지스트 마스크층을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금속층은 Al 또는 Al을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 주식각공정은 BCl3/Cl2/CHF3의 혼합개스를 사용한 플라즈마 식각인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 금속배선에 대하여 포토레지스트 마스크층의 식각속도를 1 내지 1.5배로 설정하기 위한 조건은 50 내지 150BCl2/30 내지 50 Cl2/5내지 15CHF3, 챔버진공도 15 내지 40m Torr, 챔버내 인가전압-160 내지 -250V, 소량 O2(5-15%)를 첨가한 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
  10. 제6항 또는 9항에 있어서, 상기 금속배선에 대하여 포토레지스트 마스크층의 식각속도를 1 내지 1.5배로 설정하기 위한 조건은 100 내지 160BCl2/25 내지 35 Cl2/5 내지 10CHF3, 챔버진공도 15 내지 40m Torr, 챔버내 인가전압-250 내지 -350V 인 것을 특징으로 하는 다면구조 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012786A 1990-08-20 1990-08-20 다면구조 금속배선 형성방법 KR940001155B1 (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100219701B1 (ko) * 1996-01-23 1999-09-01 손욱 편향요오크
KR100464390B1 (ko) * 1997-07-23 2005-02-28 삼성전자주식회사 반도체장치의게이트전극형성방법
KR100800892B1 (ko) * 2006-08-16 2008-02-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 금속 배선 형성방법

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KR100219701B1 (ko) * 1996-01-23 1999-09-01 손욱 편향요오크
KR100464390B1 (ko) * 1997-07-23 2005-02-28 삼성전자주식회사 반도체장치의게이트전극형성방법
KR100800892B1 (ko) * 2006-08-16 2008-02-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 금속 배선 형성방법

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