KR960026628A - 금속배선 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서, 기판상에 형성된 다층구조의 금속막을 패터닝하여 금속배선 패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선 패턴의 상부 모서리가 완만한 경사를 갖도록 소정가스를 사용하여 금속배선 패턴의 상부를 전면식각하는 단계를 포함하여 후속공정에서 금속배선 상부에 형성되는 절연막의 층덮힘을 향상시키는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 좁은 공간을 갖는 금속배선 상부에 보이드 없이 우수한 층 덮힘을 갖는 절연막을 형성할 수 있어, 소자의 고집적화 및 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 금속배선 및 상부 절연막 형성하는 공정도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 기판상에 형성된 다층구조의 금속막을 패터닝하여 금속배선 패턴을 형성하는 단계, 상기 금속배선 패턴의 상부 모서리가 원만한 경사를 갖도록 소정가스를 사용하여 금속 배선 패턴의 상부를 전면식각하는 단계를 포함하여 후속공정에서 금속배선 상부에 형성되는 절연막의 층덮힘을 향상시키는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속배선 패턴 상부를 아르곤(Ar) 가스를 사용하여 전면식각하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층구조의 금속막은 하부로 부터 상부로 차례로 형성된 티타늄막, 제1티타늄나이트라이드막, 알루미늄합금막, 제2티타늄나이트라이드막인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035725A KR960026628A (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 금속배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035725A KR960026628A (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 금속배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026628A true KR960026628A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035725A KR960026628A (ko) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 금속배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026628A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467810B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2005-01-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-21 KR KR1019940035725A patent/KR960026628A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100467810B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2005-01-24 | 동부아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
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