KR970018414A - 다층배선의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 다층 배선 형성 방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 배선 패턴을 슬로프 에칭 하여 층간 절연막의 평탄도를 개선하는 방법에 관한 것이다. 하부의 금속층을 사진/식각하여 하부 배선을 형성하는 공정, 상기 형성된 하부 배선 상에 층간 절연막을 도포하는 공정, 상기 층간 절연막 상에 상부 금속층을 도포하고 이를 사진/식각하여 상부 배선을 형성하는 공정을 구비하는 다층 배선 형성 방법에 있어서, 상기 하부 배선을 형성하는 공정은 BC13/C12/CHF3가스계로 반응성 이온 에칭 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 다층 배선 형성 방법은 하루 배선의 포로파일을 경사지게 형성함으로써 그 위에 도포 되는 층간 절연막의 평탄도를 개선하는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제C1도는 본 발명의 다층 배선 형성 방법을 순차적으로 보이는 공정 단면도이다.
Claims (2)
- 하부의 금속층을 사지/식각하여 하부 배선을 형성하는 공정, 상기 형성된 하부 배선 상에 층간 절연막을 도포하는 공정, 상기 층간 절연막 상에 상부 금속층을 도포하고, 이를 사진/식각하여 상부 배선을 형성하는 공정을 구비하는 다층 배선 형성 방법에 있어서, 상기 하부 배선을 형성하는 공정은 BC13/C12/CHF3가스계로 반응성 이온 에칭 하여 경사진 단면을 갖는 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 배선의 경사각은 10° 인 것을 특징으로 하는 다층배선 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032990A KR970018414A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 다층배선의 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032990A KR970018414A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 다층배선의 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018414A true KR970018414A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032990A KR970018414A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 다층배선의 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018414A (ko) |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032990A patent/KR970018414A/ko not_active Application Discontinuation
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