KR950027903A - 이중 메탈층을 이용한 반도체장치 - Google Patents

Abstract

반도체장치의 최종보호막인 패시베이션막과 이중 메탈층 구조에서 상부 메탈층과 하부 메탈층간의 절연층인 IMD(Intermetallic Dielectric)막의 크랙 발생을 최소화할 수 있는 이중 메탈층 구조를 갖는 반도체 장치가 개시된다. 반도체기판 상에 하부절연층이 형성되고 있고, 상기 하부절연층 상에 제1개구부를 가지는 제1메탈배선이 형성되어 있다. 상기 결과물의 전면(全面)에 IMD막이 도포되어 있고, 상기 IMD막 상에 평면구조 상으로 상기 제1개구부를 중심으로 일정한 폭으로 상기 제1메탈 배선에 걸치도록 형성된 제2개구부를 갖는 제2메탈배선이 형성되어 있다. 상기 제2메탈배선 및 제2개구부 상에는 패시베이션막이 형성되어 있다. 이중 메탈층 구조를 갖는 반도체 장치에서 상부 메탈층과 하부 메탈층의 구조, 특히 메탈층 패턴 간의 스페이스 혹은 메탈 배선에 형성된 메탈슬릿 등의 메탈배선에 형성된 개구부들 간의 스페이스 혹은 메탈 배선에 형성된 메탈 슬릿 등의 메탈배선에 형성된 개구부들 간의 평면적인 구조가 최적화되어 있으므로 패시베이션막의 스텝커브리지가 개선됨으로써 패시베이션막이나 IMD막의 크랙 발생을 최소화할 수 있다.

Description

이중 메탈층을 이용한 반도체장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제6A도는 본 발명에 따른 이중 메탈층 구조를 갖는 반도체장치의 일례를 나타내는 단면도이고,

제6B도는 제6A도의 이중 메탈층 구조에서 메탈 층 간의 구조만의 레이아웃을 개략적으로 나타낸 평면도이다.

Claims (5)

1. 반도체기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 하부절연층; 상기 하부절연층 상에 형성되고, 제1개구부를 가지는 제1메탈배선; 상기 결과물의 전면(全面)을 덮는 IMD막; 상기 IMD막 상에 형성되고, 평면구조 상으로 상기 제1개구부와 겹치지 않고 일정한 폭으로 상기 제1메탈 배선에 걸치도록 형성된 제2개구부를 갖는 제2메탈배선; 및 상기 제2메탈배선 및 제2개구부를 완전히 덮는 패시베이션막을 포함하는 반도체장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2개구부가 평면구조상으로 상기 제1메탈 배선에 걸쳐지는 폭은 0.3㎛이상인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1개구부는 상기 제1메탈 배선을 이루는 제1메탈층 패턴 간의 스페이스이거나 상기 제1메탈 배선에 형성된 메탈 슬릿인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2개구부는 상기 제2메탈 배선을 이루는 제2메탈층 패턴 간의 스페이스이거나 상기 제2메탈 배선에 형성된 메탈 슬릿인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
5. 반도체기판; 상기 반도체 기판 상에 형성된 하부절연층; 상기 하부절연층 상에 형성되고, 제1개구부(Opening)를 가지는 제1메탈배선; 상기 결과물의 전면(全面)을 덮는 IMD막; 상기 IMD막 상에 형성되고, 평면구조 상으로 제1개구부와 겹치지 않는 제2개구부를 갖는 제2메탈배선; 및 상기 제2메탈배선 및 제2개구부를 완전히 덮는 패시베이션막을 포함하는 반도체장치.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.