KR960035780A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR960035780A
KR960035780A KR1019960007045A KR19960007045A KR960035780A KR 960035780 A KR960035780 A KR 960035780A KR 1019960007045 A KR1019960007045 A KR 1019960007045A KR 19960007045 A KR19960007045 A KR 19960007045A KR 960035780 A KR960035780 A KR 960035780A
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우에시마 세이스케
야마하 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 다층막은 상이한 형상을 지닌 웨이퍼 클램퍼를 이용하여 멀티챔버식 스프터링 세스템의 챔버를 사용하는 반도체 웨이퍼상에 형성된다. 웨이퍼 클램터는 각각 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫 주변에 차폐부를 구비하고 차폐부의 서로 상이한 위치에 리세스를 갖는다. 연속막형성공정 중 각 공정시에, 다층막의 단층영역은 리세스에 상응하는 영역에서 반도체 웨이퍼에 형성된다. 각 층의 막 성질은 단층영역에서 측정될 수 있다. 본 발명은 다층막의 각 층의 성질을 용이하고 정확하게 측정할 수 있는 반도체 방치의 제조방법을 제공한다.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 따르는 다층막 형성공정시에 사용되는 멀티챔버식 스퍼터링 시스템을 도시하는 개략적인 단면도.

Claims (10)

  1. 다층막의 각 층을 형성하는 각 공정에서 반도체 웨이퍼 표면의 일부를 덮는 공통 차폐부의 서로 다른 위치에 리세스를 갖는 상이한 웨이퍼 클램퍼를 이용하여 다층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차폐부는 반도체 웨이퍼의 주변부를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 주변부는 오리엔테이션 플랫 주변의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다층막은 3개이상의 층을 구비하며, 상기 웨이퍼 클램퍼는 차폐부내에서 인접하는 3개의 영역에 리세스를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 클램퍼 중 하나의 차폐부는 반도체 웨이퍼의 센트럴 영역과 리세트를 분리하는 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 반도체 웨이퍼 표면의 제1영역을 덮는 차폐부를 구비하는 제1웨이퍼 클램퍼를 이용하여 제1막을 형성하는 단계와, 반도체 웨이퍼 표면의 제2영역을 덮는 차폐부를 구비하는 제2웨이퍼 클램퍼를 이용하여 상기 제1막상에 제2막을 형성하는 단계와, 반도체 웨이퍼 표면의 제3영역을 덮는 차폐부를 구비하는 제3웨이퍼 클램퍼를 이용하여 상기 제2막상에 제3막을 형성하는 단계로 구성되며, 다층막의 각 층이 그 층만을 형성하고 다른 층을 형성하지 않는 영역을 구비하도록 차폐부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 차폐부는 반도체 웨이퍼의 주변부를 덮는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 주변부는 오리엔테이션 플랫 주변의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 다층막의 단일층이 형성되어 있는 상기 영역은 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 다층막과 단일층이 형성되어 있는 영역은 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960007045A 1995-03-15 1996-03-15 반도체 장치의 제조방법 KR100227489B1 (ko)

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