JPH087624Y2 - マーク付き半導体装置 - Google Patents
マーク付き半導体装置Info
- Publication number
- JPH087624Y2 JPH087624Y2 JP9989889U JP9989889U JPH087624Y2 JP H087624 Y2 JPH087624 Y2 JP H087624Y2 JP 9989889 U JP9989889 U JP 9989889U JP 9989889 U JP9989889 U JP 9989889U JP H087624 Y2 JPH087624 Y2 JP H087624Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- aluminum
- wiring
- contact hole
- function
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、半導体装置に関し、おもに半導体装置を識
別するための文字又は模様によるマークを有するマーク
付き半導体装置に関する。
別するための文字又は模様によるマークを有するマーク
付き半導体装置に関する。
従来、半導体装置の製造段階において、該半導体装置
の製造工程で使用される複数のマスクの内１枚だけを変
更することにより集積回路の配線を変更して異なった機
能の半導体装置を製造する場合、アルミ配線用のマスク
を変更時にアルミ配線を用いて異なった文字又は模様を
形成するように変更して前記異なった機能の半導体装置
の識別を行なっていた。以下、図面にしたがって従来の
マーク付き半導体装置について説明する。
の製造工程で使用される複数のマスクの内１枚だけを変
更することにより集積回路の配線を変更して異なった機
能の半導体装置を製造する場合、アルミ配線用のマスク
を変更時にアルミ配線を用いて異なった文字又は模様を
形成するように変更して前記異なった機能の半導体装置
の識別を行なっていた。以下、図面にしたがって従来の
マーク付き半導体装置について説明する。
第２図は集積回路の配線変更を行なうスイッチ構成
図、第３図は配線変更を行なうための集積回路のアルミ
配線の平面図、第４図は配線変更を行なうための集積回
路のコンタクトホールの平面図である。第２図におい
て、スイッチ10により信号Saが信号Soとして出力される
場合には第１の機能を持つ半導体装置となり、信号Sbが
信号Soとして出力される場合には第２の機能を持つ半導
体装置となる場合について述べる。
図、第３図は配線変更を行なうための集積回路のアルミ
配線の平面図、第４図は配線変更を行なうための集積回
路のコンタクトホールの平面図である。第２図におい
て、スイッチ10により信号Saが信号Soとして出力される
場合には第１の機能を持つ半導体装置となり、信号Sbが
信号Soとして出力される場合には第２の機能を持つ半導
体装置となる場合について述べる。
第３図において、11は信号Saを伝えるアルミ配線、12
は信号Sbを伝えるアルミ配線、13は信号Soを伝えるアル
ミ配線である。
は信号Sbを伝えるアルミ配線、13は信号Soを伝えるアル
ミ配線である。
第１の機能を持つ半導体装置を製造する場合、アルミ
配線11とアルミ配線13を接続するアルミ配線14を含んだ
形状でアルミ配線が形成されるように第１のアルミ配線
マスクを作成して半導体装置を製造すればよい。又、第
２の機能を持つ半導体装置を製造する場合、アルミ配線
12とアルミ配線13を接続するアルミ配線15を含んだ形状
でアルミ配線が形成されるように第１のアルミ配線マス
クを作成して半導体装置を製造すればよい。このとき、
半導体装置に形成されている集積回路の非能動領域にア
ルミ配線により第１および第２のアルミマスクで異なる
文字又は模様を形成する。これにより、半導体装置を製
造する段階においてアルミ配線マスクを変更するだけで
容易に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ
半導体装置とを作り分けることができ、またその識別も
アルミ配線により描かれた文字又は模様により容易であ
る。
配線11とアルミ配線13を接続するアルミ配線14を含んだ
形状でアルミ配線が形成されるように第１のアルミ配線
マスクを作成して半導体装置を製造すればよい。又、第
２の機能を持つ半導体装置を製造する場合、アルミ配線
12とアルミ配線13を接続するアルミ配線15を含んだ形状
でアルミ配線が形成されるように第１のアルミ配線マス
クを作成して半導体装置を製造すればよい。このとき、
半導体装置に形成されている集積回路の非能動領域にア
ルミ配線により第１および第２のアルミマスクで異なる
文字又は模様を形成する。これにより、半導体装置を製
造する段階においてアルミ配線マスクを変更するだけで
容易に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ
半導体装置とを作り分けることができ、またその識別も
アルミ配線により描かれた文字又は模様により容易であ
る。
ここで、第１の機能と第２の機能とを切り換える集積
回路の配線の変更が数多くなって来た場合アルミ配線の
変更ではこの変更の為に用いられる半導体装置上の面積
が大きくなり、又あまりにも複雑な場合は不可能とな
る。したがって集積回路の配線の変更が数多い場合、コ
ンタクトホールの変更による配線変更が行なわれる。第
４図を用いて説明する。第４図において、21は信号Saを
伝えるポリシリコン配線、22は信号Sbを伝えるポリシリ
コン配線、23は信号Soを伝えるアルミ配線である。
回路の配線の変更が数多くなって来た場合アルミ配線の
変更ではこの変更の為に用いられる半導体装置上の面積
が大きくなり、又あまりにも複雑な場合は不可能とな
る。したがって集積回路の配線の変更が数多い場合、コ
ンタクトホールの変更による配線変更が行なわれる。第
４図を用いて説明する。第４図において、21は信号Saを
伝えるポリシリコン配線、22は信号Sbを伝えるポリシリ
コン配線、23は信号Soを伝えるアルミ配線である。
第１の機能を持つ半導体装置を製造する場合、ポリシ
リコン配線21とアルミ配線23を接続するコンタクトホー
ル24を含んだ形状で第１のコンタクトホールマスクを作
成して半導体装置を製造すればよい。第２の機能を持つ
半導体装置を製造する場合、ポリシリコン配線22とアル
ミ配線23を接続するコンタクトホール25を含んだ形状で
第１のコンタクトホールマスクを作成して半導体装置を
製造すればよい。このとき、半導体装置に形成されてい
る集積回路の非能動領域にアルミ配線により第１および
第２のアルミマスクで異なる文字又は模様を形成する。
これにより、半導体装置を製造する段階においてコンタ
クトホールマスクおよびアルミ配線マスクを変更するこ
とで容易に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を
持つ半導体装置とを作り分けることができ、またその識
別もアルミ配線により描かれた文字又は模様により容易
である。
リコン配線21とアルミ配線23を接続するコンタクトホー
ル24を含んだ形状で第１のコンタクトホールマスクを作
成して半導体装置を製造すればよい。第２の機能を持つ
半導体装置を製造する場合、ポリシリコン配線22とアル
ミ配線23を接続するコンタクトホール25を含んだ形状で
第１のコンタクトホールマスクを作成して半導体装置を
製造すればよい。このとき、半導体装置に形成されてい
る集積回路の非能動領域にアルミ配線により第１および
第２のアルミマスクで異なる文字又は模様を形成する。
これにより、半導体装置を製造する段階においてコンタ
クトホールマスクおよびアルミ配線マスクを変更するこ
とで容易に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を
持つ半導体装置とを作り分けることができ、またその識
別もアルミ配線により描かれた文字又は模様により容易
である。
以上述べたように、半導体装置に形成されている集積
回路の非能動領域にアルミ配線により第１および第２の
アルミマスクで異なる文字又は模様を形成することによ
り、半導体装置を製造する段階においてコンタクトホー
ルマスクおよびアルミ配線マスクを変更することで容易
に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導
体装置とを作り分けることができ、アルミ配線により描
かれた文字又は模様により容易に識別できる。
回路の非能動領域にアルミ配線により第１および第２の
アルミマスクで異なる文字又は模様を形成することによ
り、半導体装置を製造する段階においてコンタクトホー
ルマスクおよびアルミ配線マスクを変更することで容易
に第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導
体装置とを作り分けることができ、アルミ配線により描
かれた文字又は模様により容易に識別できる。
しかし、アルミ配線マスクを変更するのは、第１の機
能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを
識別するためだけに行なわれ、これにより変更マスクが
コンタクトホールマスクとアルミ配線マスクの２種類と
なりコストアップとなっている。変更マスクを１枚にす
るためにはコンタクトホールにより集積回路の非能動領
域に文字又は模様を描くことで識別すればよいが、これ
には次のような問題点がある。
能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを
識別するためだけに行なわれ、これにより変更マスクが
コンタクトホールマスクとアルミ配線マスクの２種類と
なりコストアップとなっている。変更マスクを１枚にす
るためにはコンタクトホールにより集積回路の非能動領
域に文字又は模様を描くことで識別すればよいが、これ
には次のような問題点がある。
第５図は、コンタクトホールにより集積回路の非能動
領域に文字又は模様を描いたばあいの半導体装置の断面
図である。31は半導体装置のシリコン基板、32はシリコ
ン基板とポリシリコン配線を電気的に絶縁する絶縁膜、
33はポリシリコン配線とアルミ配線を電気的に絶縁する
層間絶縁膜、34は半導体装置に形成された集積回路の表
面を保護する保護膜である。コンタクトホール35が形成
されている部分は、絶縁膜32および層間絶縁膜33がエッ
チングにより削除されている。このため保護膜34はコン
タクトホール35の部分がへこみ保護膜段差部36が形成さ
れることになる。しかしながら、絶縁膜32、層間絶縁膜
33および保護膜34はおもにその組成は酸化シリコンであ
り、その屈折率は同じであるため、膜間はほとんど区別
することが出来ない。また、絶縁膜32と層間絶縁膜33の
厚みが約5000オングストロームなのに対して保護膜は10
000オングストローム以上であるため、保護膜段差部36
は極めて小さくなり容易には確認できない。したがっ
て、コンタクトホールを用いて文字又は模様を描いても
第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体
装置とを識別することは出来ず、第１の機能を持つ半導
体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別するため
だけにアルミ配線マスクを変更しなければならない。
領域に文字又は模様を描いたばあいの半導体装置の断面
図である。31は半導体装置のシリコン基板、32はシリコ
ン基板とポリシリコン配線を電気的に絶縁する絶縁膜、
33はポリシリコン配線とアルミ配線を電気的に絶縁する
層間絶縁膜、34は半導体装置に形成された集積回路の表
面を保護する保護膜である。コンタクトホール35が形成
されている部分は、絶縁膜32および層間絶縁膜33がエッ
チングにより削除されている。このため保護膜34はコン
タクトホール35の部分がへこみ保護膜段差部36が形成さ
れることになる。しかしながら、絶縁膜32、層間絶縁膜
33および保護膜34はおもにその組成は酸化シリコンであ
り、その屈折率は同じであるため、膜間はほとんど区別
することが出来ない。また、絶縁膜32と層間絶縁膜33の
厚みが約5000オングストロームなのに対して保護膜は10
000オングストローム以上であるため、保護膜段差部36
は極めて小さくなり容易には確認できない。したがっ
て、コンタクトホールを用いて文字又は模様を描いても
第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体
装置とを識別することは出来ず、第１の機能を持つ半導
体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別するため
だけにアルミ配線マスクを変更しなければならない。
本考案の目的は、コンタクトホールの変更による集積
回路の配線の変更を行なう場合、コンタクトホールマス
クの変更だけで第１の機能を持つ半導体装置と第２の機
能を持つ半導体装置とを容易に識別することができる半
導体装置の構成を提供することである。
回路の配線の変更を行なう場合、コンタクトホールマス
クの変更だけで第１の機能を持つ半導体装置と第２の機
能を持つ半導体装置とを容易に識別することができる半
導体装置の構成を提供することである。
上記目的を達成するために本考案は次のような構成を
している。すなわち、本考案によるマーク付き半導体装
置は、集積回路が形成されたシリコンウエハの非能動領
域に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に複数のコンタクト
ホールを形成することにより描かれた文字又は模様と、
該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜と
により構成されたことを特徴とする。
している。すなわち、本考案によるマーク付き半導体装
置は、集積回路が形成されたシリコンウエハの非能動領
域に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜に複数のコンタクト
ホールを形成することにより描かれた文字又は模様と、
該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜と
により構成されたことを特徴とする。
以下本考案の実施例を図に基づいて説明する。
第１図（ａ）は本考案によるマーク付き半導体装置に
おける集積回路の非能動領域に設けられた、第１の機能
を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識
別するためのコンタクトホールによって描かれた文字又
は模様と、該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアル
ミ蒸着膜の一部分の断面図であり、第１図（ｂ）は前記
コンタクトホールによって描かれた文字又は模様と、該
文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜の平
面図である。第１図（ａ）において第５図と同一要素に
ついては同一番号を付し説明を省略する。
おける集積回路の非能動領域に設けられた、第１の機能
を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識
別するためのコンタクトホールによって描かれた文字又
は模様と、該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアル
ミ蒸着膜の一部分の断面図であり、第１図（ｂ）は前記
コンタクトホールによって描かれた文字又は模様と、該
文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜の平
面図である。第１図（ａ）において第５図と同一要素に
ついては同一番号を付し説明を省略する。
40はコンタクトホールによって描かれた文字又は模様
を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜であり、コンタク
トホール35が形成されている部分を覆う形で構成されて
いる。したがって、アルミ蒸着膜40はコンタクトホール
35の部分がへこむことによりアルミ段差部41が形成され
ることになる。また、保護膜34もコンタクトホール35の
部分がへこむことにより保護膜段差部36が形成されるが
考案が解決しようとする課題において述べたように、極
めて小さくなり容易には確認できない。ここで、アルミ
蒸着膜40は、厚みが約5000オングストロームであるた
め、コンタクトホール部分のへこみが大きくアルミ段差
部41も深いものとなり、また保護膜34とアルミ蒸着膜40
の屈折率が大きく異なるため界面の確認が容易となる。
さらに、アルミ段差部41は斜めに傾斜しているため半導
体装置の表面に垂直に入射した光は、アルミ段差部41以
外のアルミ蒸着膜40の部分では垂直に反射して輝いて見
えるのに対して、斜めに反射するため暗く見える。した
がって、第１図（ｂ）に示すようにコンタクトホールに
よって描かれた文字又は模様の縁の部分、すなわちアル
ミ段差部41が暗く見えるため前記文字又は模様が容易に
確認できる。
を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜であり、コンタク
トホール35が形成されている部分を覆う形で構成されて
いる。したがって、アルミ蒸着膜40はコンタクトホール
35の部分がへこむことによりアルミ段差部41が形成され
ることになる。また、保護膜34もコンタクトホール35の
部分がへこむことにより保護膜段差部36が形成されるが
考案が解決しようとする課題において述べたように、極
めて小さくなり容易には確認できない。ここで、アルミ
蒸着膜40は、厚みが約5000オングストロームであるた
め、コンタクトホール部分のへこみが大きくアルミ段差
部41も深いものとなり、また保護膜34とアルミ蒸着膜40
の屈折率が大きく異なるため界面の確認が容易となる。
さらに、アルミ段差部41は斜めに傾斜しているため半導
体装置の表面に垂直に入射した光は、アルミ段差部41以
外のアルミ蒸着膜40の部分では垂直に反射して輝いて見
えるのに対して、斜めに反射するため暗く見える。した
がって、第１図（ｂ）に示すようにコンタクトホールに
よって描かれた文字又は模様の縁の部分、すなわちアル
ミ段差部41が暗く見えるため前記文字又は模様が容易に
確認できる。
〔考案の効果〕 以上詳述したように、本考案によれば第１の機能を持
つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別す
るためのコンタクトホールによって描かれた文字又は模
様をともに覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜を構成す
ることにより、コンタクトホールマスクの変更のみによ
り第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導
体装置とを作り分けることができ、さらに容易に識別す
ることができる。したがって、アルミ配線マスクの変更
はする必要がなくコスト的に大変有利となる。
つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別す
るためのコンタクトホールによって描かれた文字又は模
様をともに覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜を構成す
ることにより、コンタクトホールマスクの変更のみによ
り第１の機能を持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導
体装置とを作り分けることができ、さらに容易に識別す
ることができる。したがって、アルミ配線マスクの変更
はする必要がなくコスト的に大変有利となる。
第１図（ａ）は本考案によるマーク付き半導体装置にお
ける集積回路の非能動領域に設けられた、第１の機能を
持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別
するためのコンタクトホールによって描かれた文字又は
模様と、該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ
蒸着膜の一部分の断面図、第１図（ｂ）は前記コンタク
トホールによって描かれた文字又は模様と、該文字又は
模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜の平面図、第
２図乃至第４図は従来例を示す説明図で、第２図は集積
回路の配線変更を行なうスイッチ構成図、第３図は配線
変更を行なうための集積回路のアルミ配線の平面図、第
４図は配線変更を行なうための集積回路のコンタクトホ
ールの平面図、第５図は従来例によるコンタクトホール
により集積回路の非能動領域に文字又は模様を描いた場
合の半導体装置の断面図。 32……絶縁膜 33……層間絶縁膜 35……コンタクトホール 40……アルミ蒸着膜
ける集積回路の非能動領域に設けられた、第１の機能を
持つ半導体装置と第２の機能を持つ半導体装置とを識別
するためのコンタクトホールによって描かれた文字又は
模様と、該文字又は模様を覆う範囲に形成されたアルミ
蒸着膜の一部分の断面図、第１図（ｂ）は前記コンタク
トホールによって描かれた文字又は模様と、該文字又は
模様を覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜の平面図、第
２図乃至第４図は従来例を示す説明図で、第２図は集積
回路の配線変更を行なうスイッチ構成図、第３図は配線
変更を行なうための集積回路のアルミ配線の平面図、第
４図は配線変更を行なうための集積回路のコンタクトホ
ールの平面図、第５図は従来例によるコンタクトホール
により集積回路の非能動領域に文字又は模様を描いた場
合の半導体装置の断面図。 32……絶縁膜 33……層間絶縁膜 35……コンタクトホール 40……アルミ蒸着膜
Claims (1)
- 【請求項１】集積回路が形成されたシリコンウエハの非
能動領域に設けられた絶縁膜上に文字又は模様形状に形
成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを
覆う範囲に形成されたアルミ蒸着膜とにより目視可能な
マークを形成したことを特徴とするマーク付き半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9989889U JPH087624Y2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | マーク付き半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9989889U JPH087624Y2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | マーク付き半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0339830U JPH0339830U (ja) | 1991-04-17 |
| JPH087624Y2 true JPH087624Y2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=31648930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9989889U Expired - Lifetime JPH087624Y2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | マーク付き半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087624Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP9989889U patent/JPH087624Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0339830U (ja) | 1991-04-17 |
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