JPS58180052A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS58180052A JPS58180052A JP6313982A JP6313982A JPS58180052A JP S58180052 A JPS58180052 A JP S58180052A JP 6313982 A JP6313982 A JP 6313982A JP 6313982 A JP6313982 A JP 6313982A JP S58180052 A JPS58180052 A JP S58180052A
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- silicide
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0814—Diodes only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はショットキーバリアダイオードを含む半導体集
積回路に関するものである。
積回路に関するものである。
一般にショットキーバリアダイオード（以下ＳＢＤと称
する）を含む半導体集積回路は半導体基板の主面に抵抗
やトランジスタなどの多数の半導体集積回路素子を形成
した後、半導体基板表面を二酸化シリコンＳ ｉ０２な
どの絶縁膜で被い、次いでＳＢＤ形成および電極形成の
為のコンタクトホールを開け、ＳＢＤを形成する金属、
例えば白金ｐｔ を被服し熱処理等を施してＳＢＤを形
成し、その後、電極金属例えはアルミニウム（Ａ７）が
ＳＢＤの特性に影響を与えない様バリア金輌例えばチタ
ン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ） を被服し、その上に
金属電極を形成して製造される。８ＢＤの特性はその面
積を変えることによシ変化するが、回路特性止具なるＳ
ＢＤ％性をもつＳＢＤが必要な場合は異なる面積のＳＢ
Ｄを作ることとなる。とζろがＳＢＤの面積は最も小さ
いものでもコンタクトホールを開けるホトレジスト技術
の限界までで、それ以下の面積のＳＢＤは製造できない
。また８ＢＤの面＆を大きくする場合は半導体集積回路
のチップ面積を増大させるという欠点を有する。
する）を含む半導体集積回路は半導体基板の主面に抵抗
やトランジスタなどの多数の半導体集積回路素子を形成
した後、半導体基板表面を二酸化シリコンＳ ｉ０２な
どの絶縁膜で被い、次いでＳＢＤ形成および電極形成の
為のコンタクトホールを開け、ＳＢＤを形成する金属、
例えば白金ｐｔ を被服し熱処理等を施してＳＢＤを形
成し、その後、電極金属例えはアルミニウム（Ａ７）が
ＳＢＤの特性に影響を与えない様バリア金輌例えばチタ
ン−タングステン（Ｔｉ−Ｗ） を被服し、その上に
金属電極を形成して製造される。８ＢＤの特性はその面
積を変えることによシ変化するが、回路特性止具なるＳ
ＢＤ％性をもつＳＢＤが必要な場合は異なる面積のＳＢ
Ｄを作ることとなる。とζろがＳＢＤの面積は最も小さ
いものでもコンタクトホールを開けるホトレジスト技術
の限界までで、それ以下の面積のＳＢＤは製造できない
。また８ＢＤの面＆を大きくする場合は半導体集積回路
のチップ面積を増大させるという欠点を有する。
本発明の目的は前記欠点を補う半導体集積回路を提供す
ることになる。本発明の特徴は電気的特性の異なる複数
種類の８ＢＤｔ含む半導体集積回路にある。以下、１面
を参照して本発明の詳細な説明する。
ることになる。本発明の特徴は電気的特性の異なる複数
種類の８ＢＤｔ含む半導体集積回路にある。以下、１面
を参照して本発明の詳細な説明する。
第１１ｇは従来の５ＢＤＣ）１例を示す断面図である。
図に示す様に左右の８ＢＤのｐｔシリサイド３と３′の
部分の面積が異なっており、特性が異なっていることか
わかる。すなわち半導体基板ｌに設けられた分離二酸化
シリコン２に隣接してＮ＋型埋込みシリコン領域１０、
Ｎ型シリコン領域８が設けられ、領域８にはＮ＋シリコ
ン領域９が形成されている。この領域９には電極１１が
オーミックコンタクトされ、一方、ＳＢＤを形成する白
金シリサイド層３，３′にはそれぞれアルミニウム電＆
５が接続されている。
部分の面積が異なっており、特性が異なっていることか
わかる。すなわち半導体基板ｌに設けられた分離二酸化
シリコン２に隣接してＮ＋型埋込みシリコン領域１０、
Ｎ型シリコン領域８が設けられ、領域８にはＮ＋シリコ
ン領域９が形成されている。この領域９には電極１１が
オーミックコンタクトされ、一方、ＳＢＤを形成する白
金シリサイド層３，３′にはそれぞれアルミニウム電＆
５が接続されている。
第２図は本発明の１実施例を示す断面図である。
尚、第１図と同じ機能のところは同じ符号で示している
。まず、従来の方法によシリコン領域１の主面に所定の
抵抗やトランジスタなどの半導体集積回路素子を形成し
、次いで８ＢＤ形成および電極形成の為のコンタクトホ
ールを開け、ｐｔを被服し熱処理を施して ｐｉシリサ
イド層１３を形成する。この状態の断面図を第２図（Ｊ
ｌ）に示す０その後ｐｔシリサイド８ＢＤ１３とは特性
の異なるＳＢＤ例えばＰｔ−Ａｌシリサイド８ＢＤを形
成する為ＡＩを基板に被服し、Ｐｔ＠ＡＪシリサイド層
を形成する必要のない部分のＡｌを化学エツチング等に
より除去する。この状態の断面図を第２図（ｂ）に示す
。しかる後に再度熱処理を施こしＰｔ−Ａ！シリサイド
７を形成する。さらに不要のＡｌを除去し、その後従来
のＳＢＤを形成する方法と同様にバリア金属であるＴｉ
−Ｗを被服しその上に金属電極を形成する。この状態を
＃Ｉ２図（Ｃ）に示すこの様に従来の８ＢＤでは囲路で
あり九特性の異なる８ＢＤを従来のＳＢＤの製造方法を
わずかに変更することで得る事ができる。本実施例では
８ＢＤをＰｔシリサイドとＰｔ−Ａ１シリサイドにより
形成する場合について説明したが、Ｐｔシリサイドなど
他の金属または他の金属の組立せによるシリサイドの形
成の場合も本発明が適用できることは明らかである・
。まず、従来の方法によシリコン領域１の主面に所定の
抵抗やトランジスタなどの半導体集積回路素子を形成し
、次いで８ＢＤ形成および電極形成の為のコンタクトホ
ールを開け、ｐｔを被服し熱処理を施して ｐｉシリサ
イド層１３を形成する。この状態の断面図を第２図（Ｊ
ｌ）に示す０その後ｐｔシリサイド８ＢＤ１３とは特性
の異なるＳＢＤ例えばＰｔ−Ａｌシリサイド８ＢＤを形
成する為ＡＩを基板に被服し、Ｐｔ＠ＡＪシリサイド層
を形成する必要のない部分のＡｌを化学エツチング等に
より除去する。この状態の断面図を第２図（ｂ）に示す
。しかる後に再度熱処理を施こしＰｔ−Ａ！シリサイド
７を形成する。さらに不要のＡｌを除去し、その後従来
のＳＢＤを形成する方法と同様にバリア金属であるＴｉ
−Ｗを被服しその上に金属電極を形成する。この状態を
＃Ｉ２図（Ｃ）に示すこの様に従来の８ＢＤでは囲路で
あり九特性の異なる８ＢＤを従来のＳＢＤの製造方法を
わずかに変更することで得る事ができる。本実施例では
８ＢＤをＰｔシリサイドとＰｔ−Ａ１シリサイドにより
形成する場合について説明したが、Ｐｔシリサイドなど
他の金属または他の金属の組立せによるシリサイドの形
成の場合も本発明が適用できることは明らかである・
ｇｔ図は従来のＰｔシリサイドによるＳＨＤを含む半導
体集積回路を示す断面図、８２図は本発明の１実施例を
説明する為の半導体集積回路の断面図である。 なお図において、１・・・・半導体基板、２・・・・半
導体集積回路の各素子を分離する二線イヒシ１ノコン５
ｉ０２・ ３．３’、１３・・・・Ｐｔシリサイド層、
４・・・・Ｐｔシリサイド層への電極金輌の侵入を防く
°為のバリア金属ＴＩ ＷＮ２・・・・・・電極金属
であるＡｌ、６・・・ Ｐｔ−１！シリサイド層を形成
する為のＡｌ、７・・・・・Ｐｉ−Ａｌシリサイド層、
８・・・・・・ＮＩｌシｌＪ”ン領域、９・・・・・・
１型シリコン領域、１０・・・・・・Ｎ＋型埋込みシリ
コン領域、１１・・・・・・電極である。 第１図
体集積回路を示す断面図、８２図は本発明の１実施例を
説明する為の半導体集積回路の断面図である。 なお図において、１・・・・半導体基板、２・・・・半
導体集積回路の各素子を分離する二線イヒシ１ノコン５
ｉ０２・ ３．３’、１３・・・・Ｐｔシリサイド層、
４・・・・Ｐｔシリサイド層への電極金輌の侵入を防く
°為のバリア金属ＴＩ ＷＮ２・・・・・・電極金属
であるＡｌ、６・・・ Ｐｔ−１！シリサイド層を形成
する為のＡｌ、７・・・・・Ｐｉ−Ａｌシリサイド層、
８・・・・・・ＮＩｌシｌＪ”ン領域、９・・・・・・
１型シリコン領域、１０・・・・・・Ｎ＋型埋込みシリ
コン領域、１１・・・・・・電極である。 第１図
Claims (1)
- 電気的特性の異なる複数種類のショットキーバリアダイ
オードを含むことを特徴とする半導休業１ａ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313982A JPS58180052A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6313982A JPS58180052A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58180052A true JPS58180052A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6313982A Pending JPS58180052A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58180052A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214466A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US5154514A (en) * | 1991-08-29 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | On-chip temperature sensor utilizing a Schottky barrier diode structure |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6313982A patent/JPS58180052A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214466A (ja) * | 1985-03-19 | 1986-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US5154514A (en) * | 1991-08-29 | 1992-10-13 | International Business Machines Corporation | On-chip temperature sensor utilizing a Schottky barrier diode structure |
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