JPS5948958A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS5948958A JPS5948958A JP58146262A JP14626283A JPS5948958A JP S5948958 A JPS5948958 A JP S5948958A JP 58146262 A JP58146262 A JP 58146262A JP 14626283 A JP14626283 A JP 14626283A JP S5948958 A JPS5948958 A JP S5948958A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
- H01L27/0652—Vertical bipolar transistor in combination with diodes, or capacitors, or resistors
- H01L27/0664—Vertical bipolar transistor in combination with diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、バイポーラ素子を有し、その場合金属導体配
線面から、回路の拡散された能動領域への接触が、付加
的に作成された導体配ｆｆＪによって行われるような半
導体集積回路に関する。本発明は、そのほか少なくとも
一つのバイポーラトラン。
線面から、回路の拡散された能動領域への接触が、付加
的に作成された導体配ｆｆＪによって行われるような半
導体集積回路に関する。本発明は、そのほか少なくとも
一つのバイポーラトラン。
ジスタと少なくとも二つのショットキーダイオードを有
し、その場合内ショットキーダイオードは半導体結晶の
表面の同じ４電型を示す場所に互にろように形成された
半導体集積回路に関する。
し、その場合内ショットキーダイオードは半導体結晶の
表面の同じ４電型を示す場所に互にろように形成された
半導体集積回路に関する。
バイポーラトランジスタの可能な最小寸法は、金属導体
配線面からエミッタおよびコレクタ領域への接触もベー
ス領域への接触も同様に作成されなければならないから
、比較的粗いメタライジング用スクリーンによって定ま
る。
配線面からエミッタおよびコレクタ領域への接触もベー
ス領域への接触も同様に作成されなければならないから
、比較的粗いメタライジング用スクリーンによって定ま
る。
配線の間層を、例えばアイ・イー・イー・イー・トラン
スアクシロン、電子部品（ＩＥＢＥＴｒａｎｓ。
スアクシロン、電子部品（ＩＥＢＥＴｒａｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ） ＢＤ−２７巻
、第８号（１９８０年８月）、１３７９ないし１３８４
ページのタング（Ｄ。
、第８号（１９８０年８月）、１３７９ないし１３８４
ページのタング（Ｄ。
Ｄ、 Ｔａｎｇ ）ほかの論文に記載されているように
多結晶シリコン配線によって、あるいはアイ・イー・イ
ー・イー・トランスアクシロン、電子部品（よりＥＥ
Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
） ＥＤ−２７巻、第８号（１９８０年、８月）、１３
８５ないし１３８９ページの佐々木（Ｙ、 ５ａｓａｋ
ｉ ）の論文に記載されているように珪化モリブデン配
線によって解くための多くの研究が存在する。多結晶シ
リコン配線はしかし比較的高抵抗でその結果高い直列抵
抗が生ずる。
多結晶シリコン配線によって、あるいはアイ・イー・イ
ー・イー・トランスアクシロン、電子部品（よりＥＥ
Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
） ＥＤ−２７巻、第８号（１９８０年、８月）、１３
８５ないし１３８９ページの佐々木（Ｙ、 ５ａｓａｋ
ｉ ）の論文に記載されているように珪化モリブデン配
線によって解くための多くの研究が存在する。多結晶シ
リコン配線はしかし比較的高抵抗でその結果高い直列抵
抗が生ずる。
この処置の鳴合ｎ およびｐ ドーピングが互いに拡散
するのでエミッタは通常多゛結晶から拡散される・から
、そのほかに高いエミッタ・ベース容量が生じ、それに
よって制限周波数が害される。佐々木の論文に公開され
た珪化モリブデンからなる配線の適用は、確かに多結晶
シリコン配線にくらべて配線抵抗を著しく減する。しか
しこの錘の配線作成方法は非常にマスクに費用がかがる
。
するのでエミッタは通常多゛結晶から拡散される・から
、そのほかに高いエミッタ・ベース容量が生じ、それに
よって制限周波数が害される。佐々木の論文に公開され
た珪化モリブデンからなる配線の適用は、確かに多結晶
シリコン配線にくらべて配線抵抗を著しく減する。しか
しこの錘の配線作成方法は非常にマスクに費用がかがる
。
本発明の目的は、ベース、エミッタおよびコレクタ領域
の接触および接続がメタライジング用スクリーンに無関
係であり、それ故比較的少ない（０所を及すΦだけで従
って高い実装密度が可能であるような、バイポーラ素子
、特にバイポーラトランジスタを有する事績回路を提供
することにある。
の接触および接続がメタライジング用スクリーンに無関
係であり、それ故比較的少ない（０所を及すΦだけで従
って高い実装密度が可能であるような、バイポーラ素子
、特にバイポーラトランジスタを有する事績回路を提供
することにある。
さらにまた拡散領域の１・周抵抗が低減されなげればな
らない。
らない。
最初に述べた回路の、できるだ（を簡単で、マスクを用
いない製造工程での製造方法を提供することも本発明の
目的である。
いない製造工程での製造方法を提供することも本発明の
目的である。
この目的を達成するための本発明はへ付加的導体配線が
直接析出させた高融点金属の珪化物からなることを特徴
とする。その際、１シなくとも一つのバイポーラトラン
ジスタおよび少なくとも二つのショットキーダイオード
を備え、その場合両シｍツ）キーダイオードが半導体結
晶の表面の同じ導電型を示す場所に並んで、第一のショ
ットキー核回路に対して、バイポーラトランジスタの工
゛ミッタオヨヒコレクタコンタクトならびに第一ノシ言
ットキーダイオードのコンタクトがタンタル。
直接析出させた高融点金属の珪化物からなることを特徴
とする。その際、１シなくとも一つのバイポーラトラン
ジスタおよび少なくとも二つのショットキーダイオード
を備え、その場合両シｍツ）キーダイオードが半導体結
晶の表面の同じ導電型を示す場所に並んで、第一のショ
ットキー核回路に対して、バイポーラトランジスタの工
゛ミッタオヨヒコレクタコンタクトならびに第一ノシ言
ットキーダイオードのコンタクトがタンタル。
タングステン、モリブデンまたはチタンの珪化物からな
り、バイポーラトランジスタのベースコンタクトならび
に第二のショットキーダイオードのコンタクトがアルミ
ニウムあるいは珪化白金／アルミニウムの積層からなる
ことが本発明の思想の枠内にある。
り、バイポーラトランジスタのベースコンタクトならび
に第二のショットキーダイオードのコンタクトがアルミ
ニウムあるいは珪化白金／アルミニウムの積層からなる
ことが本発明の思想の枠内にある。
そのようにして得られるメタライジング用マスクとの無
関係および付加的配線の低抵抗のほかに。
関係および付加的配線の低抵抗のほかに。
珪化物配線の（部分的だけの）使用が、珪化物の高温簀
定性と結び付いて同時にイオン注入マスクとしての使用
を可能にする。それによって付加的配線の利点が、付加
的な光６を刻？ノミの適用なしにｔＩＪ用できる。ペー
スコンククト用・マスクは省略できる。
定性と結び付いて同時にイオン注入マスクとしての使用
を可能にする。それによって付加的配線の利点が、付加
的な光６を刻？ノミの適用なしにｔＩＪ用できる。ペー
スコンククト用・マスクは省略できる。
本発明の規準に基づく方法によって、句属珪化物をその
低いバリア高さのため、多くの応用（西ドイツ国特許第
２５２４５７９号明利書参照）において普通のアルミニ
ウムあるいはアルミニウム／珪化白金ショットキータイ
オードのほかに必井な第二のジョットキーダイオードタ
イ−プに対して用いる可ｎに性が与えられる。
低いバリア高さのため、多くの応用（西ドイツ国特許第
２５２４５７９号明利書参照）において普通のアルミニ
ウムあるいはアルミニウム／珪化白金ショットキータイ
オードのほかに必井な第二のジョットキーダイオードタ
イ−プに対して用いる可ｎに性が与えられる。
以下第１図ないし第３図を引用して、一つのバイポーラ
トランジスタと二つのタイプのショットキーダイオード
とを有する本発明にょ之）集積回路の製造のための″工
程を詳細に述べる。その場合図には本発明の主要な」−
程段階だけを断「１１図で示す。
トランジスタと二つのタイプのショットキーダイオード
とを有する本発明にょ之）集積回路の製造のための″工
程を詳細に述べる。その場合図には本発明の主要な」−
程段階だけを断「１１図で示す。
同じ部分には同一の符号がイ１されている。
第１図＝ｌＯΩ・国の比抵抗を有する却結晶のｐ形（Ｚ
ｏｏ ）方向シリコン基板ｌの上にｎ＋１−ドープされ
た帯域２のマスクされたイメン注入による作成によって
回路の能動領域を確定する。それからエビクキシャル析
出法によって２０・傭の比電気抵抗をもつｎ−ドーピン
グされたシリコンＭ３をｎ＋ドープされた帯域２の上に
設け、能動領域２を覆うマスクを用いてその間に絶縁溝
を工、チングする（図には示さｌよい）。それにつづい
九絶縁溝の領域中νＣＣ縁縁酸化物を生成する。それか
ら他の領域ケマスクする層の設置の後にバイポーラトラ
ンジスタのコレクタ領域１τｎ＋の深いＩＪＪ、’敗５
を、またコレクタの深い鉱砂５のためのマスクの除去と
ベース注入のための；ｉ？１Ｌ−いマスクの設置の後に
ほう素イオンによるベース注入６を実施４−る。
ｏｏ ）方向シリコン基板ｌの上にｎ＋１−ドープされ
た帯域２のマスクされたイメン注入による作成によって
回路の能動領域を確定する。それからエビクキシャル析
出法によって２０・傭の比電気抵抗をもつｎ−ドーピン
グされたシリコンＭ３をｎ＋ドープされた帯域２の上に
設け、能動領域２を覆うマスクを用いてその間に絶縁溝
を工、チングする（図には示さｌよい）。それにつづい
九絶縁溝の領域中νＣＣ縁縁酸化物を生成する。それか
ら他の領域ケマスクする層の設置の後にバイポーラトラ
ンジスタのコレクタ領域１τｎ＋の深いＩＪＪ、’敗５
を、またコレクタの深い鉱砂５のためのマスクの除去と
ベース注入のための；ｉ？１Ｌ−いマスクの設置の後に
ほう素イオンによるベース注入６を実施４−る。
エミッタ帯域８０佇定のために光蝕Ｊ＄１１法を火施し
、その場合ベース拡散６の際に生ずるエミック帯賊８内
の酸化ｍＪ ７を除去する。、ズミー・夕帯賊８はひ素
イオンの注入および拡散によつし生成する。
、その場合ベース拡散６の際に生ずるエミック帯賊８内
の酸化ｍＪ ７を除去する。、ズミー・夕帯賊８はひ素
イオンの注入および拡散によつし生成する。
ＡＩ； ２ 図：第一のショットキーダイオード１８の
コンタクトならびにエミッタ帯域８およびコレクタ領域
２．５のためのコンタクトの固着のため罠光蝕刻法な実
施し、これらの領域内の酸化Ｍ７を除去する。それから
全面に金属珪化物層１０を２００ ｎｍ０層厚さで設け
、バイポーラトランジスタ１７の区域内にそれにつづく
ベースコンタクト注入１１の際に注入マスクとして役立
つように構成する。はう素イオン１２によるベースコン
タクト狂人１１の実施の前１らットキーダイオード区域
１８ 、１９を感光ワニス１３を用いて光蝕刻法によっ
て被覆する。
コンタクトならびにエミッタ帯域８およびコレクタ領域
２．５のためのコンタクトの固着のため罠光蝕刻法な実
施し、これらの領域内の酸化Ｍ７を除去する。それから
全面に金属珪化物層１０を２００ ｎｍ０層厚さで設け
、バイポーラトランジスタ１７の区域内にそれにつづく
ベースコンタクト注入１１の際に注入マスクとして役立
つように構成する。はう素イオン１２によるベースコン
タクト狂人１１の実施の前１らットキーダイオード区域
１８ 、１９を感光ワニス１３を用いて光蝕刻法によっ
て被覆する。
第３図：感光ワニス層１３の除去の後に焼なまし過程な
実施し、例えば珪化タンタルからなる珪化物層構造１０
を結晶させる。同時にベースコン、タクト注入１１を電
気的に活性化する。中間層として働（絶縁層１４の析出
の後に、バイポーラトランジスタ１７０ベースコンタク
）９および第二のショットキーダイオード１９のコンタ
クト２０のためのコンタクトホール領域を工、ッナング
除去し、公知の方法でメタライジングおよび外側金属導
体配線面１５゜１６の構成を実施する。その場合アルミ
ニウムあるいは珪化白金１５／アルミニウム１６の抗層
からなる二重層を用いるとよい。第３図において、括弧
１７でバイポーラトランジスタ区域を、括弧１８で珪化
タンタルコンタクトを有する第一のショットキーダイオ
ードを、また括弧１９で珪化白金／アルミニウム・コン
タクトを有する第二のショットキーダイオードを示す。
実施し、例えば珪化タンタルからなる珪化物層構造１０
を結晶させる。同時にベースコン、タクト注入１１を電
気的に活性化する。中間層として働（絶縁層１４の析出
の後に、バイポーラトランジスタ１７０ベースコンタク
）９および第二のショットキーダイオード１９のコンタ
クト２０のためのコンタクトホール領域を工、ッナング
除去し、公知の方法でメタライジングおよび外側金属導
体配線面１５゜１６の構成を実施する。その場合アルミ
ニウムあるいは珪化白金１５／アルミニウム１６の抗層
からなる二重層を用いるとよい。第３図において、括弧
１７でバイポーラトランジスタ区域を、括弧１８で珪化
タンタルコンタクトを有する第一のショットキーダイオ
ードを、また括弧１９で珪化白金／アルミニウム・コン
タクトを有する第二のショットキーダイオードを示す。
珪化タンタルの代りにイータン、モリブデンおよびタン
グステン各金属の珪化物を用いると、とができる。
グステン各金属の珪化物を用いると、とができる。
第一のショットキーダイオード１８は０．５９Ｖ、第二
のシ、ットキーダイオード１９は０．８４Ｖの堰層電圧
を有する。
のシ、ットキーダイオード１９は０．８４Ｖの堰層電圧
を有する。
本発明は本発明のバイポーラ素子、特にバイポーラトラ
ンジスタと異なる堰層電圧を有する少なくとも二つのシ
ヨ、）キーダイオードを含む半導体集積回路の金属配線
面から拡散能動領域への接触のための配線およびコンタ
クトをＴａ 、Ｗ、Ｈａ ＋ＴｉのようなＡ Ｍ’ｉｉ
点金杷の珪化物の直接析出によって形成するもので、こ
れによりメタライニンングスクリーンとは無関係に高集
積化ができ、また多結晶シリコン配線な用いる場合に比
して低抵抗になるほか耐熱性をＩ’ｉ Ｉ：１してｔ４
−の工程のイオン注入のマスクとして使用することがで
きるためマスク費用が節減できるなどその効果が大きく
、バイポーラＩＣ，ＶＬＳＩの製造に有効に適用できる
。
ンジスタと異なる堰層電圧を有する少なくとも二つのシ
ヨ、）キーダイオードを含む半導体集積回路の金属配線
面から拡散能動領域への接触のための配線およびコンタ
クトをＴａ 、Ｗ、Ｈａ ＋ＴｉのようなＡ Ｍ’ｉｉ
点金杷の珪化物の直接析出によって形成するもので、こ
れによりメタライニンングスクリーンとは無関係に高集
積化ができ、また多結晶シリコン配線な用いる場合に比
して低抵抗になるほか耐熱性をＩ’ｉ Ｉ：１してｔ４
−の工程のイオン注入のマスクとして使用することがで
きるためマスク費用が節減できるなどその効果が大きく
、バイポーラＩＣ，ＶＬＳＩの製造に有効に適用できる
。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例のバイポーラト
ランジスタおよび二つの７ヨツトキーダイオードを含む
半導、体集（れ凹路の製造工程を順次示す断面図である
。 １・・・シリコン基板、２．５・・・コレクタ領域、６
・・・ベース領域、８・・・エミッタ領域、１０・・・
金属珪化物層、１７・・・バイポーラトランジスタ、１
８・・・第一のショットキーダイオード、１９・・・第
二のショットキーダイオード。
ランジスタおよび二つの７ヨツトキーダイオードを含む
半導、体集（れ凹路の製造工程を順次示す断面図である
。 １・・・シリコン基板、２．５・・・コレクタ領域、６
・・・ベース領域、８・・・エミッタ領域、１０・・・
金属珪化物層、１７・・・バイポーラトランジスタ、１
８・・・第一のショットキーダイオード、１９・・・第
二のショットキーダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）バイポーラ素子を有し、その場合金属導体配線面か
ら拡散された、回路の能動領域への接触が付加的に作成
された導体配線忙よって行われるようなものについて、
付加的導体配線が直接析出させた高融点金属の珪化物か
らなることを特徴とする半導体集積回路。 ２、特許請求の範囲第１貧記載の回路において、少なく
とも一つのバイポーラトランジスタおよび少なくとも二
つのショットキーダイオードを備え、その場合筒ショッ
トキーダイオードが半導体結晶の表面の同じ導電型を示
す場所に並んで、第一のれるものであって、バイポーラ
トランジスタのエミッタおよびコレクタコンタクトなら
びに第一のショットキーダイオードのコンタクトが、タ
ンタル。 タングステン、モリブデンまたはチタンの珪化物からな
り、バイポーラトランジスタのベースコンタクトならび
に第二のショットキーダイオードのコンタクトがアルミ
ニウムあるいは珪化白金／アルミニウムの積層からなる
ことを１１￥徴とする半導体集積回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3230050.6 | 1982-08-12 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948958A true JPS5948958A (ja) | 1984-03-21 |
| JPH0241902B2 JPH0241902B2 (ja) | 1990-09-19 |
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ID=6170719
Family Applications (1)
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| JP (1) | JPS5948958A (ja) |
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- 1983-08-02 EP EP83107620A patent/EP0100999B1/de not_active Expired
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- 1983-08-11 CA CA000434348A patent/CA1212485A/en not_active Expired
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| EP0100999A3 (en) | 1986-05-14 |
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