JPH01183137A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPH01183137A JPH01183137A JP769588A JP769588A JPH01183137A JP H01183137 A JPH01183137 A JP H01183137A JP 769588 A JP769588 A JP 769588A JP 769588 A JP769588 A JP 769588A JP H01183137 A JPH01183137 A JP H01183137A
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- Japan
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- light
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Links
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、外部からの電磁波や光を遮断する必要があ
る半導体集積回路装置の製造方法に関する。
る半導体集積回路装置の製造方法に関する。
この発明は、半導体集積回路装置の電極以外の部分に、
導電性かつ遮光性材料膜を形成し、外部からの電磁波や
光から半導体集積回路装置を保護する構造としたもので
ある。
導電性かつ遮光性材料膜を形成し、外部からの電磁波や
光から半導体集積回路装置を保護する構造としたもので
ある。
半導体集積回路装置の最終保護膜は、シリコン酸化膜あ
るいはシリコン窒化膜等を、化学的気相成長等の方法に
より形成するが、これらの最終保護膜は、透光性である
ため、光の影響を受けやすい。また、電磁波に対しても
遮断効果は小さい。
るいはシリコン窒化膜等を、化学的気相成長等の方法に
より形成するが、これらの最終保護膜は、透光性である
ため、光の影響を受けやすい。また、電磁波に対しても
遮断効果は小さい。
半導体集積回路−装置が、電磁波や光により、電気的特
性に変化を及ぼすことは、公知の事実である。半導体素
子の構造あるいは回路構成を工夫することにより、電気
的特性の変化をある程度は、抑えることができるが、完
全になくすることは不可能である。この電磁波や光によ
る電気的特性の変化のため、集積回路装置が誤動作、あ
るいは特性の仕様を満たさないことがあるところに欠点
があった。
性に変化を及ぼすことは、公知の事実である。半導体素
子の構造あるいは回路構成を工夫することにより、電気
的特性の変化をある程度は、抑えることができるが、完
全になくすることは不可能である。この電磁波や光によ
る電気的特性の変化のため、集積回路装置が誤動作、あ
るいは特性の仕様を満たさないことがあるところに欠点
があった。
そこで、この発明は電極以外の部分に導電性かつ遮光性
材料膜を形成させ、電磁波や光の影響で電気的特性が変
化し難い半導体集積回路装置を製造することを目的とし
ている。
材料膜を形成させ、電磁波や光の影響で電気的特性が変
化し難い半導体集積回路装置を製造することを目的とし
ている。
上記問題点を解決するために、この発明は、半導体集積
回路装置を製造する過程において、電極以外の部分に導
電性かつ遮光性材料膜を形成する過程を取り入れた。
回路装置を製造する過程において、電極以外の部分に導
電性かつ遮光性材料膜を形成する過程を取り入れた。
上記のように製造された半導体集積回路装置は、外部か
らの電磁波や光を受けても、電気的特性は変化せず、安
定した動作や特性を得ることができる。また、上記作用
を利用すれば、電磁波や光の影響を気にせずに特性評価
を行うこともできる。
らの電磁波や光を受けても、電気的特性は変化せず、安
定した動作や特性を得ることができる。また、上記作用
を利用すれば、電磁波や光の影響を気にせずに特性評価
を行うこともできる。
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、この発明による半導体集積回路装置の完成後
の断面図である。第２図に、半導体集積回路装置の製造
工程途中の断面図を示す。
の断面図である。第２図に、半導体集積回路装置の製造
工程途中の断面図を示す。
第２図において、半導体集積回路装置の最終保護膜１の
上面に、導電性かつ遮光性材料膜２（例えばＡｌとかＣ
ｒのような金属膜）を形成する。さらに導電性かつ遮光
性材料膜２の上面に、フォトレジスト３を塗布する。電
極４の上部の上記フォトレジスト３をフォトリソグラフ
ィー技術により除去すると電極４の上部のみ上記導電性
かつ遮光性材料膜２が露出する。この露出した導電性か
つ遮光性材料膜２を等方性のエツチングにより除去する
。ここで等方性のエツチングによって起こる横方向への
エツチングを利用して、フォトレジスト３の開口部より
も広範囲にわたって、導電性かつ遮光性材料膜を除去す
る。続けて、上記エツチングにより露出した最終保護膜
１を、異方性エツチングにより、フォトレジスト３の開
口部と同程度の大きさに除去する。最後にフォトレジス
ト３を剥離する。第２図は完成図、第３図は第１図の上
部から見た平面図である。
上面に、導電性かつ遮光性材料膜２（例えばＡｌとかＣ
ｒのような金属膜）を形成する。さらに導電性かつ遮光
性材料膜２の上面に、フォトレジスト３を塗布する。電
極４の上部の上記フォトレジスト３をフォトリソグラフ
ィー技術により除去すると電極４の上部のみ上記導電性
かつ遮光性材料膜２が露出する。この露出した導電性か
つ遮光性材料膜２を等方性のエツチングにより除去する
。ここで等方性のエツチングによって起こる横方向への
エツチングを利用して、フォトレジスト３の開口部より
も広範囲にわたって、導電性かつ遮光性材料膜を除去す
る。続けて、上記エツチングにより露出した最終保護膜
１を、異方性エツチングにより、フォトレジスト３の開
口部と同程度の大きさに除去する。最後にフォトレジス
ト３を剥離する。第２図は完成図、第３図は第１図の上
部から見た平面図である。
この発明は、以上説明したように電極以外の部分に導電
性かつ遮光性材料膜を形成することにより、電磁波や光
を受けても電気的特性が変化せず、安定した動作や特性
を得ることが可能な半導体集積回路装置を製造できる効
果がある。
性かつ遮光性材料膜を形成することにより、電磁波や光
を受けても電気的特性が変化せず、安定した動作や特性
を得ることが可能な半導体集積回路装置を製造できる効
果がある。
４、図面の簡単な説明 ・
第１図はこの発明にかかる半導体集積回路装置の断面図
、第２図は半導体集積回路の製造工程途中の断面図、第
３図は第１図の半導体集積回路を上部から見た平面図で
ある。
、第２図は半導体集積回路の製造工程途中の断面図、第
３図は第１図の半導体集積回路を上部から見た平面図で
ある。
１・・・最終保護膜
２・・・導電性かつ遮光・性材料膜
３・・・フォトレジスト
４・・・電極
以上
出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 電極以外の部分に導電性かつ遮光性材料膜を形成させ
て外部からの電磁波や光を遮断することを特徴とする半
導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP769588A JPH01183137A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP769588A JPH01183137A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183137A true JPH01183137A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11672905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP769588A Pending JPH01183137A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5219766A (en) * | 1990-04-25 | 1993-06-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a radiation resistance and method for manufacturing same |
| US7170147B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-01-30 | Lucent Technologies Inc. | Dissipative isolation frames for active microelectronic devices, and methods of making such dissipative isolation frames |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP769588A patent/JPH01183137A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5219766A (en) * | 1990-04-25 | 1993-06-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a radiation resistance and method for manufacturing same |
| US7170147B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-01-30 | Lucent Technologies Inc. | Dissipative isolation frames for active microelectronic devices, and methods of making such dissipative isolation frames |
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