JPS6367748A - 電極パタ−ンおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野ｊ 本発明は、例えば縦形簿膜トランジスタ、ブレーナ型光
セシサなど１こ適用される電極パターンおよびその製造
方法に関する。

「従来技術およびその問題点」 近年、各種電子部品の製造に際して、基板上に蒸着、ス
パッタリングなどの手段で金、１膜を形成し、これをフ
ォトエツチングして電場パターンを形成する技術が広く
応用されている。

従来の電極パターンの一般的なＩＲ造を示すと、例えば
第６図に示すように、ガラス、セラミックスなどの基板
１上に、必要に応じて半導体層などの薄膜２を介し、金
属膜のストリ・ンブからなる電極パターン３が形成され
ている。この場合、電極パターン３は、所定の周隙ａを
おいて形成されている。

しかしなから、通常の工・ンチング技術によって上記の
電極パターンを形成する場合、隣撞する電極パターン３
が電気的にショートしないようにするため、電場パター
ン３の間隙ａは最低で５１０ｕｍ程度必要であり、また
、電場パターン３が断線しないようにするため、？柵パ
ターン３の１羞ｂも最低１０ｕｍ程度は必要とされてい
る。したがって、電極パターン３の配列３厘には限度が
あり、これが電気部品の小型化、性能の向上のネックと
なっていた。

「発明の目的」 本発明の目的は、通常のエツチング技術を用いでより高
と度のパターンが形成できるようにした電極パターンお
よびその製造方法を提供することにある。

［発明の構成ｊ 本発明による電極パターンは、基板表面または基板上に
形成された薄膜表面に、凸部をなすラインと凹部をなす
ラインとが交互に形成され、これらの凸部および凹部に
金１膜が互いに分離されてそれぞれ形成されていること
を特徴とする。

このように、凸部および凹部に金属膜を分離して形成す
ることにより、凸部と凹部の段差によって電極パターン
の間隙を設けることができ、間隙のために必要なスペー
スをほとんどなくすことができる。したがって、従来の
電極パターンに比べて、パターンのと度を飛躍的に高め
ることが可能となる。

また、本発明による電極パターンの製造方法は、基板表
面または基板上に形成された薄膜表面を異方性エツチン
グして凸部をなすラインと凹部をなすラインとを交互に
形成し、この凹凸表面に金属を異方性堆積させて金属膜
を形成し、さらに等方性エツチングを行なって前記凸部
をなす部分に付着した金属膜と前記凹部をなす部分に付
着した金属膜とを分離することを特徴とする。

この方法によれば、前記本発明の構造の電極パターンを
通常のエツチング技術により容易（こ形成することがで
きる。

［発明の実施例」 第１図および第２図には、本発明をブレーナ型光センサ
に応用した実施例が示されでいる。

すなわち、透明なガラス基板１１上に、水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｊ　：Ｈ）などの光導電性を有す
る半導体層１２が形成されている。半導体層１２は、そ
の表面に、凸部をなすライン１２ａと、凹部をなすライ
ン＋２ｂとを有している。そして、それぞれのライン１
２ａ　、＋２ｂに、金属膜からなる電極パターン１３ａ
　、　１３ｂか形成されでいる。電極パターン１３ａ　
、　１３ｂは、凹凸の段部によって互いに分離されてい
る。平面的に見ると、両電極パターン１３ａ　、　１３
ｂは、＜シ歯状にがみあうような形状で形成されでいる
。そして、両電極パターン１３ａ　、　１３ｂの間に電
圧が印加されるようになっている。

上記の構成において、ガラス基板１１の裏面（第１図中
下面）から光しか照射されると、その先りの強さに応し
て半導体層１２が光導電性を持つ、そして、両電極パタ
ーン１３ａ　、１３ｂの間に印加された電圧により、半
導体層１２そ逼して光しの強さくこ応した電流が電柵パ
ターン１３ａから＋３ｂに流れ、これか電流計Ａに表示
され、光を検知することになる。

この種の光センサにおいては、一般に電極パターン１３
ａ　、　＋３ｂの配列記度か高いほど感度が良好となる
６本発明の場合、平面的に見て、電極パターン１３ａ　
、１３ｂの間の間隙はほとんど必要がなく、電極パター
ン１３ａ　、１３ｂ　％はぼ接したような状態で配列す
ることができる。したがって、電きパターン１３ａ　、
１３ｂの配列２度を極めて高くすることができ、感度の
高い光センサそ得ることができる。

なお、半導体層１２の凸部１２ａにおける厚さをＣとし
、凹部１２ｂにあける厚さをｄとしたとき、電極パター
ンの厚さをｆとすれば凸部１２ａと凹部１２ｂとの段差
（ｃ−ｄ）は、（ｃ−ｄ）〉ｆとすることが好ましい。

この段差（ｃ−ｄ）か（ｃ−ｄ）＜ｆては、電極パター
ン１３ａ、１３ｂそ確実に分離することが困難となり、
ショートが発止しやすくなる。また、凸部１２ａ、凹部
１２ｂの幅、すなわち電極パターン１３ａ　、　１３ｂ
　ｌ構成する金属膜の幅ｅは、ＩＯｕｍ以上とすること
か好ましい。この幅ｅが１０Ｌｌｒｒ１未満では、断線
か生しやすくなる傾向かある。

電極パターン１３ａ　、１３ｂを構成する金属としては
、例えばＡ１、Ｍｏ、　Ｃｒ、　Ｎｉ−Ｃｒ　、王１な
どの各）■金、富か使用できる。まセ、ＴＴＯなどのご
明ぷで項己使用できる。電極パターン１３ａ　、１３ｂ
そ透明導電嘆で形成した場合には、光りを第１図におい
て基板１１の上方から照射させることもてきる。また、
この実施例では、ブレーナ型光センサに適用したため、
基板１１の上に半導体層１２ヲ介してパターン電極１３
ａ　、１３ｂを形成しているが、他の電子部品に適用す
る場合、基板１１の表面に直接凸部および凹部を形成し
、その上に電極パターンを形成するようにしでもよい。

第３図、Ｍ４図および第５図には、上記電極パターンの
製造工程が示されている。

第３図に示すように、ガラス基板１１上に、水素化アモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ・Ｈ）９どの光導電牲を有
する物質をプラズマＣＶＤなとの手段により堆積し、半
導体層１２を形成する。そして、この半導体層１２表面
に、ストリップ状のレジスト１４を所定間隔をおいで形
成する。

この状態で、ＦＩＩＥ（リアクティブイオンエツチング
）などの異方性エツチングを行ない、レジスト１４で晋
われでいない部分をエツチングする。そして、レジスト
１４を剥離することにより、菓４図ｊこ示すように、半
導体層１２には、凸部１２ａと凹部１２ｂとが形成され
る。

ざらに、第３図に示すように、半導体層１２土に＾１等
の金Ｒを真宣蒸＠などの手段で異方性堆積させる。その
結果、半導体層１２の凸部１２ａおよび凹部１２ｂを覆
うように金１膜１５が形成されるが、異方″浩堆積のた
め、凸部１２ａの上面および凹部１２ｂの底面には厚く
形成され、凸部１２ａと凹部１２ｂとの段差の部分１５
゛には薄く形成される。

この状態で、ウェットエツチングなどの等方性エツチン
グを行なうと、薄い金属膜からなる段差の部分１５゛が
先にエツチング除去され、エツチングを適度なところで
止めると、凸部１２ａの上面および凹部１２ｂの底面に
のみ金属膜か形成された状態となる。これによって、第
１図に示すような構造の電極パターン１３ａ　、１３ｂ
が形成される。

「発明の幼果」 以上説明したように、本発明の電極パターンによれば、
基板表面または基板上に形成された３膜表面に、凸部を
なすラインと凹部をなすラインとを交互に形成し、これ
らの凸部および凹部に金、１膜を互いに分離して形成し
たので、パターンを分離するためのスペースが（よとん
ど必要なくなり、高２度のパターンが得られる。また、
本発明の電極パターンの製造方法によれば、基板表面ま
たは基板上に形成された３膜表面を異方性エツチングし
て凸部をなすラインと凹部をなすラインとを交互に形成
し、この凹凸表面に金属を異方性堆積させて金属膜を形
成し、ざらに等方性エツチングを行なって凸部をなす部
分に付着した金属膜と凹部をなす部分に付着した金１膜
とを分離することにより、上記電極パターンを容易に形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による電柵パターンをブレーナ型光セン
サに通用した実施例を示す部分断面図、第２図は同ブレ
ーナ型光センサの平面図、第３図、第４図および第５図
は不発明による電機パターンの製造方法の実施例を工程
に従ってそれぞれ示す部分断面図、第６図は従来の電極
パターンの一例を示す部分断面図である。 図中、１１はガラス基板、１２は半導体層、１２ａは凸
部、＋２ｂは凹部、１３ａ　、１３ｂは電極パターン、
１４はレジスト、１５は金属膜である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板表面または基板上に形成された薄膜表面に、
   凸部をなすラインと凹部をなすラインとが交互に形成さ
   れ、これらの凸部および凹部に金属膜が互いに分離され
   てそれぞれ形成されていることを特徴とする電極パター
   ン。
2. （２）基板表面または基板上に形成された薄膜表面を異
   方性エッチングして凸部をなすラインと凹部をなすライ
   ンとを交互に形成し、この凹凸表面に金属を異方性堆積
   させて金属膜を形成し、さらに等方性エッチングを行な
   って前記凸部をなす部分に付着した金属膜と前記凹部を
   なす部分に付着した金属膜とを分離することを特徴とす
   る電極パターンの形成方法。