JPH02103968A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH02103968A JPH02103968A JP63258058A JP25805888A JPH02103968A JP H02103968 A JPH02103968 A JP H02103968A JP 63258058 A JP63258058 A JP 63258058A JP 25805888 A JP25805888 A JP 25805888A JP H02103968 A JPH02103968 A JP H02103968A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ファクシミリ等の画像入力部に用いる光電変
換素子に関する。
換素子に関する。
最近、ファクシミリ等の画像入力部に用いられる光電変
換素子としては、縮小光学系を必要とせず、小型化が可
能であることから、原稿と同一幅の長尺読み取り素子を
用いた密着型イメージセンサ−の開発が活発となってし
・る。
換素子としては、縮小光学系を必要とせず、小型化が可
能であることから、原稿と同一幅の長尺読み取り素子を
用いた密着型イメージセンサ−の開発が活発となってし
・る。
この密着型イメージセンサ−は、光電変換層として水素
化アモルファスシリコン（α−５ｉ：Ｈ）半導体を用い
、金属電極と透明電極とで挟んだサンドイッチ構造の光
電変換素子を配列してなるものであるが、構造が簡単で
優れた充電変換特性を示すことから、実用的なデバイス
として期待されている。
化アモルファスシリコン（α−５ｉ：Ｈ）半導体を用い
、金属電極と透明電極とで挟んだサンドイッチ構造の光
電変換素子を配列してなるものであるが、構造が簡単で
優れた充電変換特性を示すことから、実用的なデバイス
として期待されている。
従来のセンサーの断面図を第５図に示す。図中■は絶縁
性基板、２は金属電極、３は半導体層、４は透明電極、
５は透明絶縁膜、５ａは透明絶縁膜の開口部、６は配線
金属である。
性基板、２は金属電極、３は半導体層、４は透明電極、
５は透明絶縁膜、５ａは透明絶縁膜の開口部、６は配線
金属である。
従来の充電変換素子はガラス基板Ｉ上にクロム等の金属
電極膜２をスパッタリング法により約１０００人の膜厚
に形成し、これを帯状にパターニングし共通電極として
の金属電極２を形成する。
電極膜２をスパッタリング法により約１０００人の膜厚
に形成し、これを帯状にパターニングし共通電極として
の金属電極２を形成する。
次いでプラズマＣＶＤ法により膜厚１μｍの水素化アモ
ルファスシリコンからなる半導体層３を、シラン（Ｓ
ｉ ＩＩ ａ ）ガスを使用して流１ｉ２０〜５０５Ｃ
Ｃ門、圧力０．２〜０．５Ｔｏｒｒ 、基Ｆｉ温度１５
０〜２５０ ’Ｃ，＋１゜Ｆパワー１０〜５０ｍｗ／ｃ
ｍ”、３０〜６０分の条件下で形成する。
ルファスシリコンからなる半導体層３を、シラン（Ｓ
ｉ ＩＩ ａ ）ガスを使用して流１ｉ２０〜５０５Ｃ
Ｃ門、圧力０．２〜０．５Ｔｏｒｒ 、基Ｆｉ温度１５
０〜２５０ ’Ｃ，＋１゜Ｆパワー１０〜５０ｍｗ／ｃ
ｍ”、３０〜６０分の条件下で形成する。
続いてＤＣマグネトロンスパックリング法により、膜厚
８００人の透明電極層４を酸化インジウム錫を使用して
形成し、更にレジストを塗布し、フォトリソエツチング
法によりパターニングして個別電橋としての透明電極４
を形成する。
８００人の透明電極層４を酸化インジウム錫を使用して
形成し、更にレジストを塗布し、フォトリソエツチング
法によりパターニングして個別電橋としての透明電極４
を形成する。
そしてこのレジストパターンをそのままマスクとしてテ
トラフルオロメタンと酸素の混合ガスにより半導体層３
をエツチングして個別に分割された半導体層を形成する
。レジストを除去後、透明絶縁膜を塗布により形成し、
配線部に接続用開口部５ａをパターニングにより開口し
、この開口部５ａを介して配線金属６を透明電極４と接
続して作製されている（例えば特開昭６３−６７７７２
号公報）。
トラフルオロメタンと酸素の混合ガスにより半導体層３
をエツチングして個別に分割された半導体層を形成する
。レジストを除去後、透明絶縁膜を塗布により形成し、
配線部に接続用開口部５ａをパターニングにより開口し
、この開口部５ａを介して配線金属６を透明電極４と接
続して作製されている（例えば特開昭６３−６７７７２
号公報）。
このようにして作製された光電変換素子においては、金
属電極２を介してバイアス電圧を印加しつつ半導体層に
光が照射されると、半導体層にキャリアーが発生し、配
線金属を介してフォト電流（ｌ、）が得られ、また光が
照射されない時にはバイアス電圧が印加されていても、
半導体層と電極間のショットキー障壁により暗電流は極
めて低い値となり、これにより光センサーとしての機能
を果たしうるものである。
属電極２を介してバイアス電圧を印加しつつ半導体層に
光が照射されると、半導体層にキャリアーが発生し、配
線金属を介してフォト電流（ｌ、）が得られ、また光が
照射されない時にはバイアス電圧が印加されていても、
半導体層と電極間のショットキー障壁により暗電流は極
めて低い値となり、これにより光センサーとしての機能
を果たしうるものである。
しかしながらこのセンサーを作製する工程の中に、アル
ミニウム等の金属により配線金属を着膜する工程がある
。この工程はアルミニウム金属をスパッタリングにより
着膜させる工程であるが、透明電極層界面を衝撃するた
めに、アルミニウムが酸化インジウム錫等からなる透明
電極層、更には水素化アモルファスシリコン等からなる
半導体層にまで浸透し、これによりショットキー障壁が
十分には形成されずオーミック接触に近い形となり、開
口部５８面積に比例して暗電流が高くなり、センサーと
しての充分な明暗比が得られないという問題が生じる。
ミニウム等の金属により配線金属を着膜する工程がある
。この工程はアルミニウム金属をスパッタリングにより
着膜させる工程であるが、透明電極層界面を衝撃するた
めに、アルミニウムが酸化インジウム錫等からなる透明
電極層、更には水素化アモルファスシリコン等からなる
半導体層にまで浸透し、これによりショットキー障壁が
十分には形成されずオーミック接触に近い形となり、開
口部５８面積に比例して暗電流が高くなり、センサーと
しての充分な明暗比が得られないという問題が生じる。
そのため本発明は、上記従来のセンサーとその構造や作
製プロセスを変更することなく、暗電流を低く抑えるこ
とができ、かつ明暗比の高い光電変換素子の提供を課題
とする。
製プロセスを変更することなく、暗電流を低く抑えるこ
とができ、かつ明暗比の高い光電変換素子の提供を課題
とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明の光電変換素子は、半導体層を金属電極と透明電
極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、該透
明電極上に絶縁層を設け、その開口部を介して配線金属
を接続し、該接続部に対向する金属電極部を切り欠いた
ことを特徴とするのもであり、上記金属電極の切り欠き
部の面積は、透明電極と配線部属との接続部面積の５０
％以上であるとよいものである。
極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、該透
明電極上に絶縁層を設け、その開口部を介して配線金属
を接続し、該接続部に対向する金属電極部を切り欠いた
ことを特徴とするのもであり、上記金属電極の切り欠き
部の面積は、透明電極と配線部属との接続部面積の５０
％以上であるとよいものである。
また本発明の光電変換素子は、半導体層を金属電極と透
明電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、
該透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層に設けた開口部
を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極とその配線
金属との接続部に対向する透明電極部を、金属電極にお
けるバイアス電圧印加部から電気的に絶縁したことを特
徴とするものである。上記透明電極とその配線金属との
接続部に対向する透明電極部は、金属電極におけるバイ
アス電圧印加部と絶縁層を介して絶縁するとよい。
明電極で挟んだサンドイッチ型光電変換素子において、
該透明電極上に絶縁層を設け、該絶縁層に設けた開口部
を介して配線金属を接続し、かつ該透明電極とその配線
金属との接続部に対向する透明電極部を、金属電極にお
けるバイアス電圧印加部から電気的に絶縁したことを特
徴とするものである。上記透明電極とその配線金属との
接続部に対向する透明電極部は、金属電極におけるバイ
アス電圧印加部と絶縁層を介して絶縁するとよい。
配線部はアルミニウム等の金属によりスパッタリングに
より形成するとよい。
より形成するとよい。
金属電極はクロム（Ｃｒ） 、ニクロム（ＮｉＣｒ）、
タングステン（Ｗ）タンタル（Ｔａ）等を使用しスパッ
タリングにより形成するとよい。
タングステン（Ｗ）タンタル（Ｔａ）等を使用しスパッ
タリングにより形成するとよい。
半導体層は水素化アモルファスシリコンをプラズマＣＶ
Ｄ法により形成するとよい。
Ｄ法により形成するとよい。
透明電極は酸化インジウム錫、酸化錫等により形成する
とよく、プラズマＣｖＤ法により形成するとよい。
とよく、プラズマＣｖＤ法により形成するとよい。
絶縁層としてはポリイミドを使用するとよく、スパッタ
リング、塗膜等適宜の手段で形成するとよい。
リング、塗膜等適宜の手段で形成するとよい。
アルミニウム等の金属を透明電極層上にスパッタリング
により着膜させると、透明電極層表面を衝撃するために
、アルミニウム原子が酸化インジウム錫からなる透明電
極層を損傷し、更には水素化アモルファスシリコン等の
半導体層に浸透し、透明電極層と半導体層間のショット
キー障壁が破壊され、オーミック接触に近い形となる。
により着膜させると、透明電極層表面を衝撃するために
、アルミニウム原子が酸化インジウム錫からなる透明電
極層を損傷し、更には水素化アモルファスシリコン等の
半導体層に浸透し、透明電極層と半導体層間のショット
キー障壁が破壊され、オーミック接触に近い形となる。
そのため配線金属とその透明電極との接続部においては
、その面積に比例して暗電流が多く流れ、センサーとし
ての充分な明暗比が得られなくなるものと考えられる。
、その面積に比例して暗電流が多く流れ、センサーとし
ての充分な明暗比が得られなくなるものと考えられる。
そのために本発明は、透明電極とその配線金属の接続部
に対向する金属電極部分を切り欠くことにより、暗電流
の電圧依存性を低く抑えることができ、また透明電極と
その配線金属との接続部を、金属電極におけるバイアス
電圧印加部と絶縁層を介して絶縁することにより、透明
電極とその配線金属との接続部においてはバイアス電圧
が印加されていない状態とすることができ、垂直方向に
電界が存在しないので、暗電流を低く抑えることができ
るものである。
に対向する金属電極部分を切り欠くことにより、暗電流
の電圧依存性を低く抑えることができ、また透明電極と
その配線金属との接続部を、金属電極におけるバイアス
電圧印加部と絶縁層を介して絶縁することにより、透明
電極とその配線金属との接続部においてはバイアス電圧
が印加されていない状態とすることができ、垂直方向に
電界が存在しないので、暗電流を低く抑えることができ
るものである。
以下、図面に従い実施例を説明する。
第１図は本発明の光電変換素子を示す図で、第１図（ａ
）はその平面図、第１図（ｂ）はその八−Ａ線での断面
図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説明す
るための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の実施
例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図（ｂ
）はその平面図、第４図は第３図同様、本発明の光電変
換素子の他の実施例を示す図である。
）はその平面図、第１図（ｂ）はその八−Ａ線での断面
図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を説明す
るための図、第３図は本発明の光電変換素子の他の実施
例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３図（ｂ
）はその平面図、第４図は第３図同様、本発明の光電変
換素子の他の実施例を示す図である。
なお、図中２ａは金Ｂ電極の開口部を示し、上記第５図
における番号と同一のものは同一内容を示す。
における番号と同一のものは同一内容を示す。
まず本発明の光電素子の製造方法を第１図、及び第２図
により説明する。
により説明する。
まず第２図（ａ）に示すように絶縁性基板１としてガラ
スを用い、その上にクロムを用いて金属電極２を約１０
００人の膜厚にスパッタリング法により着膜し、第１図
（ａ）に示すような帯状の形状にフォトリソエツチング
し、共通電極を形成する。その際後で形成する透明絶縁
膜の開口部５ａに対向する切り欠き開口部２ａを有する
パターンとしておく。
スを用い、その上にクロムを用いて金属電極２を約１０
００人の膜厚にスパッタリング法により着膜し、第１図
（ａ）に示すような帯状の形状にフォトリソエツチング
し、共通電極を形成する。その際後で形成する透明絶縁
膜の開口部５ａに対向する切り欠き開口部２ａを有する
パターンとしておく。
次いで第２図（ｃ）に示すように、半導体層３として水
素化アモルファスシリコンを約１．５μｍ１更にその上
に透明電極４を酸化インジウム錫を約７００人の膜厚に
スパッタリングにより形成し、まず透明電極層４をフォ
トリソエツチングにより、次いで半導体層３をテトラフ
ルオロメタンと酸素により通常の条件でのドライエツチ
ングにより各々第１図（ａ）に示すような受光部形状に
パターニングする。
素化アモルファスシリコンを約１．５μｍ１更にその上
に透明電極４を酸化インジウム錫を約７００人の膜厚に
スパッタリングにより形成し、まず透明電極層４をフォ
トリソエツチングにより、次いで半導体層３をテトラフ
ルオロメタンと酸素により通常の条件でのドライエツチ
ングにより各々第１図（ａ）に示すような受光部形状に
パターニングする。
更に第２図（ｄ）に示すように、透明絶縁層５としてポ
リイミドを約１． ５μｍの膜厚で塗膜形成し、次いで
開口部５ａを、第１図（ａ）に示すような形状にパター
ニングする。この際開口部５ａの大きさを金ｆＩ４電極
における開口部２ａより小さくフォトリソエツチングす
る。
リイミドを約１． ５μｍの膜厚で塗膜形成し、次いで
開口部５ａを、第１図（ａ）に示すような形状にパター
ニングする。この際開口部５ａの大きさを金ｆＩ４電極
における開口部２ａより小さくフォトリソエツチングす
る。
そして第２図（ｆ）に示すようにその上に配線金属６と
してアルミニウム金属を約１．５μの膜厚にスパッタリ
ングにより着膜し、第２図（ｇ）、第１図（ａ）に示す
ような形状に配線金属６をフォトリソエツチングし、本
発明の光電変換素子を作製する。
してアルミニウム金属を約１．５μの膜厚にスパッタリ
ングにより着膜し、第２図（ｇ）、第１図（ａ）に示す
ような形状に配線金属６をフォトリソエツチングし、本
発明の光電変換素子を作製する。
次に第３図に本発明の光電変換素子の他の実施例を示す
。
。
第３図（ａ）に示す本発明の光電変換素子は、配線金属
６と透明電極との接続部（ロ）と、光電変換素子におけ
る受光部（イ）とを分離した構造を有するものである。
６と透明電極との接続部（ロ）と、光電変換素子におけ
る受光部（イ）とを分離した構造を有するものである。
その作製方法としては、まず基板１上に金属電極２、半
導体層３を順次着膜し、同１ （ｂ）に示ずように分離
した形状に金属電極２、半導体層３をパターニングする
。次いでポリイミドからなる透明絶縁層５を着膜させ、
上記金属電極２、半導体層３のパターン上に開口部をレ
ジストを介してエツチングにより開口する。そして透明
電極４として上記第１図に示す実施例同様に水素化アモ
ルファスシリコンを着膜させ、第３図（ｂ）に示すよう
な形状にバターニングする。
導体層３を順次着膜し、同１ （ｂ）に示ずように分離
した形状に金属電極２、半導体層３をパターニングする
。次いでポリイミドからなる透明絶縁層５を着膜させ、
上記金属電極２、半導体層３のパターン上に開口部をレ
ジストを介してエツチングにより開口する。そして透明
電極４として上記第１図に示す実施例同様に水素化アモ
ルファスシリコンを着膜させ、第３図（ｂ）に示すよう
な形状にバターニングする。
次いで上記第１図に示す実施例同様に透明絶縁層５をポ
リイミドを使用して形成し、開口部５ａをパターニング
により開口する。そしてその上に配線金属６をアルミニ
ウム金属を使用して約１゜５μの膜厚にスパッタリング
により形成し、第３図（ｂ）に示すような形状に配線金
属６をバターニングする。
リイミドを使用して形成し、開口部５ａをパターニング
により開口する。そしてその上に配線金属６をアルミニ
ウム金属を使用して約１゜５μの膜厚にスパッタリング
により形成し、第３図（ｂ）に示すような形状に配線金
属６をバターニングする。
こうして第３図（ａ）に示すような受光部（イ）と配線
金属６と透明電極との接続部（ロ）とを絶縁層５により
電気的に絶縁した構造とすることができるが、受光部（
イ）における金属電極部２をバイアス電源■、に接続し
、一方配線金属６を駆動回路部（図示せず）に接続し、
フォト電流を取り出すようにする。
金属６と透明電極との接続部（ロ）とを絶縁層５により
電気的に絶縁した構造とすることができるが、受光部（
イ）における金属電極部２をバイアス電源■、に接続し
、一方配線金属６を駆動回路部（図示せず）に接続し、
フォト電流を取り出すようにする。
また、第３図に示した光電変換素子における配線金属６
と透明電極との接続部（ロ）を形成するにあたって、基
板１上に直接透明電極層４を形成してもよいが、密着性
をとるために第４図に示すように金属電極２を形成し、
その上に透明電極層４を形成して配線金属６との接続を
とるようにするとよい。
と透明電極との接続部（ロ）を形成するにあたって、基
板１上に直接透明電極層４を形成してもよいが、密着性
をとるために第４図に示すように金属電極２を形成し、
その上に透明電極層４を形成して配線金属６との接続を
とるようにするとよい。
本発明の光電変換素子は、配線金属と透明電極との接続
部に対向する金属電極に、該接続部面積に対応する切り
欠きを設けるか、または透明電極とその配線金属との接
続部を金属電極におけるバイアス電圧印加部と絶縁層を
介して絶縁することにより、透明電極と金属電極間に電
圧が印加しても配線金属と透明電極との接続部に対応す
る部分は電圧が印加゛されないので、従来のセンサーと
その構造、また作製プロセスを変更することなく、暗電
流を低下させることができ、センサーとしての明暗比を
高くすることができるものであるゆ
部に対向する金属電極に、該接続部面積に対応する切り
欠きを設けるか、または透明電極とその配線金属との接
続部を金属電極におけるバイアス電圧印加部と絶縁層を
介して絶縁することにより、透明電極と金属電極間に電
圧が印加しても配線金属と透明電極との接続部に対応す
る部分は電圧が印加゛されないので、従来のセンサーと
その構造、また作製プロセスを変更することなく、暗電
流を低下させることができ、センサーとしての明暗比を
高くすることができるものであるゆ
第１図は本発明の光電変換素子を示す図で、第１図（ａ
）はその平面図、第１図（ｂ）はその人ＡＵＡでのＩ！
Ｊｒ面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を
説明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他
の実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３
図（ｂ）はその平面図、第４図は第３図同様、本発明の
光電変換素子の他の実施例の断面図、第５図は従来の光
電変換素子の断面図である。 図中１は絶縁性基板、２は金属電極、２ａは金属電極の
開口部、３は半導体層、４は透明電極、５は透明絶縁膜
、５ａは透明絶縁膜の開口部、６は配線金属である。 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人 弁
理士 内１）亘彦（外５名）第 図 ａ 第２図 第３図 （ｂ）
）はその平面図、第１図（ｂ）はその人ＡＵＡでのＩ！
Ｊｒ面図、第２図は本発明の光電変換素子の作製過程を
説明するための図、第３図は本発明の光電変換素子の他
の実施例を示す図で、第３図（ａ）はその断面図、第３
図（ｂ）はその平面図、第４図は第３図同様、本発明の
光電変換素子の他の実施例の断面図、第５図は従来の光
電変換素子の断面図である。 図中１は絶縁性基板、２は金属電極、２ａは金属電極の
開口部、３は半導体層、４は透明電極、５は透明絶縁膜
、５ａは透明絶縁膜の開口部、６は配線金属である。 出 願 人 富士ゼロックス株式会社代理人 弁
理士 内１）亘彦（外５名）第 図 ａ 第２図 第３図 （ｂ）
Claims (4)
- （１）半導体層を金属電極と透明電極で挟んだサンドイ
ッチ型光電変換素子において、該透明電極上に絶縁層を
設け、該絶縁層に設けた開口部を介して配線金属を接続
し、かつ該接続部に対向する金属電極部を切り欠いたこ
とを特徴とする光電変換素子。 - （２）上記切り欠き部の面積が、透明電極と配線金属と
の接続部面積の５０％以上であることを特徴とする請求
項１記載の光電変換素子。 - （３）上記絶縁層がポリイミドにより形成されることを
特徴とする請求項１記載の光電変換素子。 - （４）半導体層を金属電極と透明電極で挟んだサンドイ
ッチ型光電変換素子において、該透明電極上に絶縁層を
設け、該絶縁層に設けた開口部を介して配線金属を接続
し、かつ該透明電極とその配線金属との接続部に対向す
る透明電極部を、金属電極におけるバイアス電圧印加部
から電気的に絶縁したことを特徴とする光電変換素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258058A JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
| US07/420,829 US5038190A (en) | 1988-10-13 | 1989-10-12 | Photoelectric conversion device with disabled electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258058A JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103968A true JPH02103968A (ja) | 1990-04-17 |
| JP2653131B2 JP2653131B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=17314951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258058A Expired - Lifetime JP2653131B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 光電変換素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5038190A (ja) |
| JP (1) | JP2653131B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06314779A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-08 | Nec Corp | イメージセンサ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150362A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置 |
| JPS61172367A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS633458A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Ricoh Co Ltd | 等倍光センサ |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698495A (en) * | 1984-06-12 | 1987-10-06 | Nec Corporation | Amorphous silicon photo-sensor for a contact type image sensor |
| JPS61216360A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61281550A (ja) * | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Fuji Electric Co Ltd | 密着型イメ−ジセンサ |
| JPS61284957A (ja) * | 1985-06-11 | 1986-12-15 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPS6233452A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | イメ−ジセンサ |
| US4764682A (en) * | 1986-09-16 | 1988-08-16 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Photosensitive pixel sized and shaped to optimize packing density and eliminate optical cross-talk |
| US4811069A (en) * | 1987-02-23 | 1989-03-07 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258058A patent/JP2653131B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-12 US US07/420,829 patent/US5038190A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150362A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置 |
| JPS61172367A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | イメ−ジセンサ |
| JPS633458A (ja) * | 1986-06-24 | 1988-01-08 | Ricoh Co Ltd | 等倍光センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5038190A (en) | 1991-08-06 |
| JP2653131B2 (ja) | 1997-09-10 |
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