JPS61203666A - フオトダイオ−ドの製造方法 - Google Patents
フオトダイオ−ドの製造方法Info
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- JPS61203666A JPS61203666A JP60045085A JP4508585A JPS61203666A JP S61203666 A JPS61203666 A JP S61203666A JP 60045085 A JP60045085 A JP 60045085A JP 4508585 A JP4508585 A JP 4508585A JP S61203666 A JPS61203666 A JP S61203666A
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- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトダイオードの製造方法に係り、特にアモ
ルファス、シリコンダイオードの電極形成方法に関する
ものである。
ルファス、シリコンダイオードの電極形成方法に関する
ものである。
近時、ファクシミリの利用が拡大するにつれ、使用され
るイメージセンサにも多種のデバイスが採用されている
が、アモルファスシリコンフォトダイオードもその一つ
として多く使用されているが、その他にも太陽電池等に
もアモルファスシリコンフォトダイオードが使用されて
いる。
るイメージセンサにも多種のデバイスが採用されている
が、アモルファスシリコンフォトダイオードもその一つ
として多く使用されているが、その他にも太陽電池等に
もアモルファスシリコンフォトダイオードが使用されて
いる。
アモルファスシリコンイメージセンサは、多数個のフォ
トダイオードから構成され、このフォトダイオードに逆
方向電圧を印加しておき、そのフォトダイオードに光が
投射されることで、その逆方向電流が変化することを利
用して、電流の変化からイメージを検知するものである
。
トダイオードから構成され、このフォトダイオードに逆
方向電圧を印加しておき、そのフォトダイオードに光が
投射されることで、その逆方向電流が変化することを利
用して、電流の変化からイメージを検知するものである
。
従って、アモルファスシリコンフォトダイオードの一方
の電極は、オーミック接合をしていることが必要である
ため、電極と接合されるアモルファスシリコン面には、
高不純物濃度の低抵抗層として例えばｎ＋のアモルファ
スシリコン層を形成している。
の電極は、オーミック接合をしていることが必要である
ため、電極と接合されるアモルファスシリコン面には、
高不純物濃度の低抵抗層として例えばｎ＋のアモルファ
スシリコン層を形成している。
然しなから、従来構造の光ダイオードでは、アモルファ
スシリコンをイオンエツチングをした場合に、その部分
が低抵抗になるために、アモルファスシリコン層の端面
部分に、漏洩電流が発生してダイオードの電気特性が劣
化するのでその改善が要望されている。
スシリコンをイオンエツチングをした場合に、その部分
が低抵抗になるために、アモルファスシリコン層の端面
部分に、漏洩電流が発生してダイオードの電気特性が劣
化するのでその改善が要望されている。
第２図（ａ）〜第２図（ｅ）は、従来のアモルファスシ
リコン（以下ａ−３ｔという）型フォトダイオードの製
造工程を説明するための要部断面図を示している。
リコン（以下ａ−３ｔという）型フォトダイオードの製
造工程を説明するための要部断面図を示している。
第２図（ａ）で、基板１として例えばガラス基板上に、
光を透過する透明伝導膜の下部電極２として例えばイン
ジウム錫の化合物（■ＴＯ）、又ハ酸化錫膜等を被膜し
、その表面にａ−３ｉを形成するが、基板１側にはｉ型
のａ−３ｉ３を形成し、上部にはｎ＋型ａ−３ｉ４を形
成して、更に上層にバターニング用のレジスト膜５を被
着する。
光を透過する透明伝導膜の下部電極２として例えばイン
ジウム錫の化合物（■ＴＯ）、又ハ酸化錫膜等を被膜し
、その表面にａ−３ｉを形成するが、基板１側にはｉ型
のａ−３ｉ３を形成し、上部にはｎ＋型ａ−３ｉ４を形
成して、更に上層にバターニング用のレジスト膜５を被
着する。
第２図山）は、レジスト膜を所定のパターニングした後
、下部電極２とａ−３ｉ３．４をバターニングしてエツ
チングを行いレジスト膜を除去したものである。、この
際下部電極２とａ−３ｉ３．４の側面Ａ部が、同一端面
でパターニングされている。
、下部電極２とａ−３ｉ３．４をバターニングしてエツ
チングを行いレジスト膜を除去したものである。、この
際下部電極２とａ−３ｉ３．４の側面Ａ部が、同一端面
でパターニングされている。
第２図（Ｃ）は、フォトダイオードを形成するために所
定のレジスト膜６を被着したものである。
定のレジスト膜６を被着したものである。
第２図（ｄ）は、ａ−Ｓｉのフォトダイオード部にレジ
スト膜６をパターニングして、下部電極２を除いて、ａ
−３ｉ３．４を反応性イオンエツチングを行い、レジス
ト膜を除去したものであるが、下部電極２とａ−３ｉ３
．４の側面部Ｂは、同一端面でバターニングされている
。
スト膜６をパターニングして、下部電極２を除いて、ａ
−３ｉ３．４を反応性イオンエツチングを行い、レジス
ト膜を除去したものであるが、下部電極２とａ−３ｉ３
．４の側面部Ｂは、同一端面でバターニングされている
。
第２図（ｅ）は、眉間絶縁膜７を形成した後、上部配線
８を被着形成したものである。
８を被着形成したものである。
このような製造工程においては、フォトダイオード部を
形成するために行った上記の反応性イオンエツチングに
より、ａ−５１の側面部Ａ、Ｂの電気抵抗が著しく低下
し、通常のｉ型ａ−３ｉの抵抗の１／１００以下になる
。
形成するために行った上記の反応性イオンエツチングに
より、ａ−５１の側面部Ａ、Ｂの電気抵抗が著しく低下
し、通常のｉ型ａ−３ｉの抵抗の１／１００以下になる
。
従って、第２図（ｅ）で、矢印りで示す漏洩電流が流れ
て、フォトダイオードのＳ／Ｎを低下させ、検知感度を
劣化させるという欠点がある。
て、フォトダイオードのＳ／Ｎを低下させ、検知感度を
劣化させるという欠点がある。
上記のイメージセンサの製造方法においては、フォトダ
イオードを形成する際に、ａ−３ｉの側面部に低抵抗層
ができることが問題点である。
イオードを形成する際に、ａ−３ｉの側面部に低抵抗層
ができることが問題点である。
本発明は、上記問題点を解消したイメージセンサの製造
方法を提供するもので、その手段は、電極上に順次アモ
ルファスシリコン層と高不純物濃度のアモルファスシリ
コン及び金属からなるオーミック電極層と電極配線とが
積層されてなるフォトダイオードの製造の際に、オーミ
ック電極層を所定の形状に形成した後、オーミック電極
層の下層にあるアモルファスシリコン層の形状を、オー
ミック電極層の周囲より大なる形状に形成した工程を含
むイメージセンサの製造方法によって達成できる。
方法を提供するもので、その手段は、電極上に順次アモ
ルファスシリコン層と高不純物濃度のアモルファスシリ
コン及び金属からなるオーミック電極層と電極配線とが
積層されてなるフォトダイオードの製造の際に、オーミ
ック電極層を所定の形状に形成した後、オーミック電極
層の下層にあるアモルファスシリコン層の形状を、オー
ミック電極層の周囲より大なる形状に形成した工程を含
むイメージセンサの製造方法によって達成できる。
本発明は、イメージセンサに使用されるフォトダイオー
ドを形成する際に、反応性イオンエツチングによってａ
−３ｉの側面部に低抵抗層ができて、この部分に漏洩電
流が流れてＳ／Ｎが劣化するのを防止するために、上部
オーミック電極の形状が通常のアモルファスシリコンの
形状よりも、周辺部で小にすることにより、側面部に上
部オーミック電極の電圧が印加されず、そのために漏洩
電流を極端に減少させることができ、Ｓ／Ｎの良好なフ
ォトダイオードができるようにしたものである。
ドを形成する際に、反応性イオンエツチングによってａ
−３ｉの側面部に低抵抗層ができて、この部分に漏洩電
流が流れてＳ／Ｎが劣化するのを防止するために、上部
オーミック電極の形状が通常のアモルファスシリコンの
形状よりも、周辺部で小にすることにより、側面部に上
部オーミック電極の電圧が印加されず、そのために漏洩
電流を極端に減少させることができ、Ｓ／Ｎの良好なフ
ォトダイオードができるようにしたものである。
第１図（ａ）〜第１図（ｆ）は、本発明によるフォトダ
イオードの製造方法を説明するための要部断面図を示し
ている。
イオードの製造方法を説明するための要部断面図を示し
ている。
第１図（ａ）で、ガラス基板１１の表面に透明な下部電
極１２を形成し、その表面に１−ａ−３ｉ１３を成膜し
、更にｎ”−ａ−３ｉ１４を成膜して、その表面に上部
電極１５として、例えばニッケルクロム（ＮｉＣｒ）金
属膜を１０００人の厚みで蒸着した後、フォトダイオー
ドを形成するために、フォトレジスト膜１６を被着して
バターニングを行う。
極１２を形成し、その表面に１−ａ−３ｉ１３を成膜し
、更にｎ”−ａ−３ｉ１４を成膜して、その表面に上部
電極１５として、例えばニッケルクロム（ＮｉＣｒ）金
属膜を１０００人の厚みで蒸着した後、フォトダイオー
ドを形成するために、フォトレジスト膜１６を被着して
バターニングを行う。
第１図（′ｂ）は、フォトレジスト膜１６によってｎ＋
−ａ−３ｉ１４と、その表面の上部電極１５をパターニ
ングしてエツチングにより形成した後、ｎ＋−ａ−３ｉ
１４と上部電極１５よりＤだけ大きいフォトレジスト膜
１７を被着したものである。
−ａ−３ｉ１４と、その表面の上部電極１５をパターニ
ングしてエツチングにより形成した後、ｎ＋−ａ−３ｉ
１４と上部電極１５よりＤだけ大きいフォトレジスト膜
１７を被着したものである。
第１図（Ｃ）は、フォトレジスト膜１７によって、１−
ａ−３ｉ１４と下部電極１２をバターニングして反応性
イオンエツチングを行って、レジスト膜１７を除去した
ものである。
ａ−３ｉ１４と下部電極１２をバターニングして反応性
イオンエツチングを行って、レジスト膜１７を除去した
ものである。
第１図（ｄ）は、フォトダイオードを形成するために、
フォトレジスト膜１８を被着したものであるが、この際
も第１図（ｂ）と同様に、ｎ”−ａ−３ｉ１４と上部電
極１５よりＤ′だけ大きいフォトレジスト膜１７を被着
したものである。
フォトレジスト膜１８を被着したものであるが、この際
も第１図（ｂ）と同様に、ｎ”−ａ−３ｉ１４と上部電
極１５よりＤ′だけ大きいフォトレジスト膜１７を被着
したものである。
第１図（ｅ）は、フォトレジスト膜１８によって、１−
ａ−３ｉ１４をパターニングして、反応性イオンエツチ
ングを行ったものであるが、ａ−３ｉ１３と比較してｎ
”−ａ−Ｓｉ１４と上部電極１５は、Ｄ及びＤ′だけ大
きくなる。
ａ−３ｉ１４をパターニングして、反応性イオンエツチ
ングを行ったものであるが、ａ−３ｉ１３と比較してｎ
”−ａ−Ｓｉ１４と上部電極１５は、Ｄ及びＤ′だけ大
きくなる。
第１図（ｆ）は、フォトダイオードを形成した後の眉間
の絶縁膜１９を形成して、更に電極配線２０を形成した
ものである。
の絶縁膜１９を形成して、更に電極配線２０を形成した
ものである。
このように上部電極に接合するｎ”−ａ−３ｔ１４がフ
ォトダイオードを構成するｉ−ａ Ｓｉよりも、Ｄ及
びＤ′だけ小になっているために、１−ａ−３ｉの側面
部の抵抗層が反応性イオンエツチングによって低抵抗に
なることがあっても、極めて漏洩電流の少ない高感度の
フォトダイオードが形成されることになる。
ォトダイオードを構成するｉ−ａ Ｓｉよりも、Ｄ及
びＤ′だけ小になっているために、１−ａ−３ｉの側面
部の抵抗層が反応性イオンエツチングによって低抵抗に
なることがあっても、極めて漏洩電流の少ない高感度の
フォトダイオードが形成されることになる。
以上、詳細に説明したように、本発明のイメージセンサ
の製造方法により、漏洩電流が少なくて高感度のイメー
ジセンサを製造することができ、これを用いたファクシ
ミリは高性能の特性を供し得るという効果大なるものが
ある。
の製造方法により、漏洩電流が少なくて高感度のイメー
ジセンサを製造することができ、これを用いたファクシ
ミリは高性能の特性を供し得るという効果大なるものが
ある。
第１図（ａ）〜第１図（ｆ）は、本発明によるイメージ
センサの製造方法を説明するための断面図、第２図（ａ
）〜第２図（ｅ）は、従来のイメージセンサの製造方法
を説明するための断面図、 図において、 １１はガラス基板、 １２は下部電極、１３はｉ−
ａ Ｓ ｔ ％ １４はｎ”−ａ−５ｉ。 １５は上部電極、 １６．１７．１８はフォトレジスト膜、１９は絶縁膜、
２０は電極配線、をそれぞれ示している。 第１１１
センサの製造方法を説明するための断面図、第２図（ａ
）〜第２図（ｅ）は、従来のイメージセンサの製造方法
を説明するための断面図、 図において、 １１はガラス基板、 １２は下部電極、１３はｉ−
ａ Ｓ ｔ ％ １４はｎ”−ａ−５ｉ。 １５は上部電極、 １６．１７．１８はフォトレジスト膜、１９は絶縁膜、
２０は電極配線、をそれぞれ示している。 第１１１
Claims (1)
- 電極上に順次アモルファスシリコン層と高不純物濃度の
アモルファスシリコン及び金属からなるオーミック電極
層と電極配線とが積層されてなるフォトダイオードの製
造の際に、該オーミック電極層を所定の形状に形成した
後、該オーミック電極層の下層にある該アモルファスシ
リコン層の形状を、該オーミック電極層より大なる形状
に形成した工程を含むことを特徴とするフォトダイオー
ドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045085A JPS61203666A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | フオトダイオ−ドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60045085A JPS61203666A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | フオトダイオ−ドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203666A true JPS61203666A (ja) | 1986-09-09 |
Family
ID=12709482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60045085A Pending JPS61203666A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | フオトダイオ−ドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61203666A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177462A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
| CN100405615C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-07-23 | 陈俊华 | 整合式晶片型二极管 |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60045085A patent/JPS61203666A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63177462A (ja) * | 1987-01-17 | 1988-07-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | イメ−ジセンサの製造方法 |
| CN100405615C (zh) * | 2002-09-09 | 2008-07-23 | 陈俊华 | 整合式晶片型二极管 |
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