JPH0221663B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0221663B2 JPH0221663B2 JP58193633A JP19363383A JPH0221663B2 JP H0221663 B2 JPH0221663 B2 JP H0221663B2 JP 58193633 A JP58193633 A JP 58193633A JP 19363383 A JP19363383 A JP 19363383A JP H0221663 B2 JPH0221663 B2 JP H0221663B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- electrode
- thin film
- film
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/208—Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜光電変換素子の製造方法に係
り、特に、サンドイツチ型の薄膜光電変換素子の
製造方法に関する。
り、特に、サンドイツチ型の薄膜光電変換素子の
製造方法に関する。
最近、太陽電池やイメージセンサ等の大面積
化、長尺化に伴い、大面積にわたつて堆積可能な
アモルフアスシリコン等の光電変換薄膜を用いた
薄膜光電変換素子の開発が進められている。
化、長尺化に伴い、大面積にわたつて堆積可能な
アモルフアスシリコン等の光電変換薄膜を用いた
薄膜光電変換素子の開発が進められている。
特に、イメージセンサの場合、原稿と同一幅を
もつセンサ部を形成することにより、１対１結像
が可能となり、原稿とセンサ部とを密着させるこ
とができると共に、縮小光学系が不要となること
により、原稿読み取り部の小型化が容易に可能と
なる。
もつセンサ部を形成することにより、１対１結像
が可能となり、原稿とセンサ部とを密着させるこ
とができると共に、縮小光学系が不要となること
により、原稿読み取り部の小型化が容易に可能と
なる。
薄膜光電変換素子は、構造的に見て、第１電極
と第２電極とによつて光導電体層をはさんだサン
ドイツチ構造と、光導電体層上に対向電極を形成
したプレーナ構造とに大別されるが、センサ部の
高密度化の観点からみて、通常はサンドイツチ構
造のものを使用することが多い。
と第２電極とによつて光導電体層をはさんだサン
ドイツチ構造と、光導電体層上に対向電極を形成
したプレーナ構造とに大別されるが、センサ部の
高密度化の観点からみて、通常はサンドイツチ構
造のものを使用することが多い。
ところで、サンドイツチ構造の光電変換素子
は、例えばセラミツク基板上に着膜形成された複
数個のクロム電極（第１電極）と透光性の酸化イ
ンジウム錫（ITO）電極（第２電極）とによつて
光導電体層としてのアモルフアスシリコン層を挾
んだ構造をとつている。このアモルフアスシリコ
ン層は、モノシランガス（SiH4）のグロー放電
分解法等によつて、クロム電極上に堆積せしめら
れるわけであるが、堆積されるべき面積が大きく
なればなるほど、全面にわたつて均一なアモルフ
アスシリコン層を形成するのは難しく、ピンホー
ルの発生をまぬがれ得ないことがある。これは、
製造装置内のダイトが基板表面に付着すること等
の外因の他に、薄膜成長のメカニズムと関係する
内因をもつことが多いためである。
は、例えばセラミツク基板上に着膜形成された複
数個のクロム電極（第１電極）と透光性の酸化イ
ンジウム錫（ITO）電極（第２電極）とによつて
光導電体層としてのアモルフアスシリコン層を挾
んだ構造をとつている。このアモルフアスシリコ
ン層は、モノシランガス（SiH4）のグロー放電
分解法等によつて、クロム電極上に堆積せしめら
れるわけであるが、堆積されるべき面積が大きく
なればなるほど、全面にわたつて均一なアモルフ
アスシリコン層を形成するのは難しく、ピンホー
ルの発生をまぬがれ得ないことがある。これは、
製造装置内のダイトが基板表面に付着すること等
の外因の他に、薄膜成長のメカニズムと関係する
内因をもつことが多いためである。
ここで、サンドイツチ構造の光電変換素子にお
いて、光導電体層にピンホールが存在することに
よつて生じる素子としての機能の変化を考えてみ
る。
いて、光導電体層にピンホールが存在することに
よつて生じる素子としての機能の変化を考えてみ
る。
まず、サンドイツチ構造の光電変換素子の最も
簡単な等価回路を考えると、第１図に示す如くな
る。直列抵抗Rsは、電極の接触抵抗と外部回路
の抵抗との和であり、並列抵抗Rshは光導電体層
自体の抵抗である。ここで、光導電体層にピンホ
ールが無く、第１電極と第２電極との間でシヨー
トが発生しなければ並列抵抗Rshは無限大（∞）
と考えて良い。第１図中、ILは入射光の強度に比
例した光電流、Ijはダイオードに流れる電流、Ish
は、シヨート等によるもれ電流である。
簡単な等価回路を考えると、第１図に示す如くな
る。直列抵抗Rsは、電極の接触抵抗と外部回路
の抵抗との和であり、並列抵抗Rshは光導電体層
自体の抵抗である。ここで、光導電体層にピンホ
ールが無く、第１電極と第２電極との間でシヨー
トが発生しなければ並列抵抗Rshは無限大（∞）
と考えて良い。第１図中、ILは入射光の強度に比
例した光電流、Ijはダイオードに流れる電流、Ish
は、シヨート等によるもれ電流である。
ここで外部回路を流れる電流をＩとすると、
Ｉ＝−IL＋Ij＋Ish ……(1)
が成立する。
光導電体層にピンホールの無い理想的な光電変
換素子即ち、並列抵抗Rsh＝∞、Rs＝０の場合の
電流−電圧特性曲線（Ｉ−Ｖ曲線）を第２図に示
す。ここで、I1は光入射時の特性曲線、I2は、暗
時の特性曲線である。Rsh＝∞であるからIsh０
であり、光入射時には光電流−ILが支配的とな
り、暗時においては、ダイオードを流れる電流Ij
が支配的となる。
換素子即ち、並列抵抗Rsh＝∞、Rs＝０の場合の
電流−電圧特性曲線（Ｉ−Ｖ曲線）を第２図に示
す。ここで、I1は光入射時の特性曲線、I2は、暗
時の特性曲線である。Rsh＝∞であるからIsh０
であり、光入射時には光電流−ILが支配的とな
り、暗時においては、ダイオードを流れる電流Ij
が支配的となる。
ここで、光導電体層において、第１電極と第２
電極とが重なり合う部分にピンホールが発生する
と、第１電極と第２電極との間が一部短絡し、並
列抵抗Rshが大幅に減少する。この場合の電流−
電圧特性曲線を第３図に示す。ここではRs＝０
としておく。I3は光入射時の特性曲線、I4は、暗
時の特性曲線である。
電極とが重なり合う部分にピンホールが発生する
と、第１電極と第２電極との間が一部短絡し、並
列抵抗Rshが大幅に減少する。この場合の電流−
電圧特性曲線を第３図に示す。ここではRs＝０
としておく。I3は光入射時の特性曲線、I4は、暗
時の特性曲線である。
この場合、たとえば、ダイオード電流Ij０の
バイアス領域では関係式(1)は、 Ｉ−IL＋Ish＝−IL＋Ｖ／Rsh ……(2) となり、光照射時においても暗時においても、電
流Ｉの電圧Ｖ依存性が大きいことからもわかるよ
うに、第２図に示された理想的な光電変換素子の
もつ特性に比べて、大幅に特性が低下している。
バイアス領域では関係式(1)は、 Ｉ−IL＋Ish＝−IL＋Ｖ／Rsh ……(2) となり、光照射時においても暗時においても、電
流Ｉの電圧Ｖ依存性が大きいことからもわかるよ
うに、第２図に示された理想的な光電変換素子の
もつ特性に比べて、大幅に特性が低下している。
すなわち、太陽電池においては、順バイアス領
域すなわちＶ＞０領域が利用されるが、理想的な
光電変換素子の場合に比べ、ピンホールを有する
場合は変換効率が悪い。
域すなわちＶ＞０領域が利用されるが、理想的な
光電変換素子の場合に比べ、ピンホールを有する
場合は変換効率が悪い。
一方、イメージセンサでは、逆バイアス領域す
なわちＶ＜０の領域を利用するが、理想的な光電
変換素子に比べ、明暗比が大幅に低下している。
なわちＶ＜０の領域を利用するが、理想的な光電
変換素子に比べ、明暗比が大幅に低下している。
このように、光電変換素子の光導電体層におけ
るピンホールの発生は、太陽電池においては、変
換効率の低下および開放端電圧の低下をもたら
し、イメージセンサにおいては光学像の読み取り
能力の低下を招く等、致命的な欠陥であり、素子
としての製造歩留りの低下が大きな問題となつて
いる。
るピンホールの発生は、太陽電池においては、変
換効率の低下および開放端電圧の低下をもたら
し、イメージセンサにおいては光学像の読み取り
能力の低下を招く等、致命的な欠陥であり、素子
としての製造歩留りの低下が大きな問題となつて
いる。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
万一、光導電体層にピンホールが発生した場合に
も、素子特性に大きな影響を及ぼすことのないよ
うにし、光電変換素子の製造歩留りの低下を防ぐ
ことを目的とする。
万一、光導電体層にピンホールが発生した場合に
も、素子特性に大きな影響を及ぼすことのないよ
うにし、光電変換素子の製造歩留りの低下を防ぐ
ことを目的とする。
前記目的を達成するため、本発明の方法は、第
１電極上に形成された光導電体層すなわち、光電
変換膜中にピンホールが発生した場合にも、その
上すなわち、ピンホールに第２電極が堆積しない
ようにし、第１電極と第２電極との間の短絡を防
ごうとするものである。
１電極上に形成された光導電体層すなわち、光電
変換膜中にピンホールが発生した場合にも、その
上すなわち、ピンホールに第２電極が堆積しない
ようにし、第１電極と第２電極との間の短絡を防
ごうとするものである。
すなわち、サンドイツチ構造の光電変換素子
を、製造するにあたり、基板上に形成された第１
電極上に光電変換薄膜を着膜した後、暗中で電解
メツキを行うことにより、前記光電変換薄膜中に
露呈する第１の電極上に、該光電変換薄膜面より
も突出するように金属を析出させる工程と、次い
で第２電極を着膜形成した後に、析出された前記
金属をエツチング除去することにより、金属上の
第２電極を除去する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
を、製造するにあたり、基板上に形成された第１
電極上に光電変換薄膜を着膜した後、暗中で電解
メツキを行うことにより、前記光電変換薄膜中に
露呈する第１の電極上に、該光電変換薄膜面より
も突出するように金属を析出させる工程と、次い
で第２電極を着膜形成した後に、析出された前記
金属をエツチング除去することにより、金属上の
第２電極を除去する工程とを含むことを特徴とす
るものである。
以下、本発明の光電変換素子の製造方法につい
て、図面を参照しつつ実施例に基づいて説明す
る。
て、図面を参照しつつ実施例に基づいて説明す
る。
まず、商品名コーニング7059＃
として市販され
ているガラス基板１の表面全体に蒸着法によつ
て、膜厚約2000ÅのクロムCr膜を堆積した後、
フオトリソグラフイー法により、第４図に示す如
く第１電極としてのクロム電極２のパターニング
を行なう。
ているガラス基板１の表面全体に蒸着法によつ
て、膜厚約2000ÅのクロムCr膜を堆積した後、
フオトリソグラフイー法により、第４図に示す如
く第１電極としてのクロム電極２のパターニング
を行なう。
次いで、モノシランガス（SiH4）のグロー放
電分解法によつて、第５図に示す如く光電変換膜
としてのアモルフアス水素化シリコン層３を膜厚
約1μｍとなるように堆積する。
電分解法によつて、第５図に示す如く光電変換膜
としてのアモルフアス水素化シリコン層３を膜厚
約1μｍとなるように堆積する。
この後、硫酸銅CuSO4・5H2O＋蒸留水をメツ
キ液とし、陽極としてプラチナ板（pt）を使用し
てなる電解メツキ処理装置を使用し、銅のメツキ
生成膜４をピンホールすなわち、光電変換膜内の
クロム電極露呈部に生成させる。この電解メツキ
処理装置は、第９図に示す如く、電解液槽３１内
に浸漬された陽極３２と陰極３３とよりなるもの
で、ガラス基板１をメツキ液内に浸漬し、陰極３
３に前記クロム電極２を接続せしめ、これと該陽
極との間に約6Vの電圧を印加し、暗所で、約１
分間通電する。このようにして第６図に示す如
く、前記アモルフアス水素化シリコン層３の着膜
工程で発生したピンホール５内に、アモルフアス
水素化シリコン層３よりも約5μｍ突出するよう
に銅メツキ生成膜４（金属析出柱）を形成するわ
けである。
キ液とし、陽極としてプラチナ板（pt）を使用し
てなる電解メツキ処理装置を使用し、銅のメツキ
生成膜４をピンホールすなわち、光電変換膜内の
クロム電極露呈部に生成させる。この電解メツキ
処理装置は、第９図に示す如く、電解液槽３１内
に浸漬された陽極３２と陰極３３とよりなるもの
で、ガラス基板１をメツキ液内に浸漬し、陰極３
３に前記クロム電極２を接続せしめ、これと該陽
極との間に約6Vの電圧を印加し、暗所で、約１
分間通電する。このようにして第６図に示す如
く、前記アモルフアス水素化シリコン層３の着膜
工程で発生したピンホール５内に、アモルフアス
水素化シリコン層３よりも約5μｍ突出するよう
に銅メツキ生成膜４（金属析出柱）を形成するわ
けである。
そして更に、充分、洗浄を行なつた後、反応性
スパツタリング法によつて、室温にて第２電極と
しての酸化インジウム錫（ITO）膜５を第７図の
如く、約700Å堆積させる。
スパツタリング法によつて、室温にて第２電極と
しての酸化インジウム錫（ITO）膜５を第７図の
如く、約700Å堆積させる。
最後に、希硝酸を主成分とするエツチング液に
浸漬し、銅メツキ生成膜をエツチング除去するこ
とにより、前記ピンホール上の第２電極をも除去
せしめられ、第８図の如くなる。
浸漬し、銅メツキ生成膜をエツチング除去するこ
とにより、前記ピンホール上の第２電極をも除去
せしめられ、第８図の如くなる。
このようにして、光電変換層内のピンホール発
生部位では第２電極が除去されることにより、第
２電極と第１電極との間のシヨートの発生を防ぐ
ことが可能となり、信頼性の高い光電変換素子を
得ることができる。
生部位では第２電極が除去されることにより、第
２電極と第１電極との間のシヨートの発生を防ぐ
ことが可能となり、信頼性の高い光電変換素子を
得ることができる。
なお、実施例における銅メツキ生成膜は、フオ
トリソグラフイー技術のリフトオフ法におけるレ
ジストの働きと同様の働きをするものであり、従
つて、メツキ生成膜としては、銅に限定されるも
のではなく、他の金属でも同様の効果を呈するこ
とが可能である。
トリソグラフイー技術のリフトオフ法におけるレ
ジストの働きと同様の働きをするものであり、従
つて、メツキ生成膜としては、銅に限定されるも
のではなく、他の金属でも同様の効果を呈するこ
とが可能である。
また、実施例においては、金属生成膜すなわち
銅メツキ生成膜のエツチングに用いるエツチング
液としては、希硝酸を用いたが、必ずしもこれに
限定されるものではない。この時は、第２電極お
よび第１電極をエツチングしないものかあるいは
これらに対するエツチング速度が極めて小さいエ
ツチング液を選ぶことが大切である。
銅メツキ生成膜のエツチングに用いるエツチング
液としては、希硝酸を用いたが、必ずしもこれに
限定されるものではない。この時は、第２電極お
よび第１電極をエツチングしないものかあるいは
これらに対するエツチング速度が極めて小さいエ
ツチング液を選ぶことが大切である。
更に、電解メツキ工程においては、光電変換膜
を絶縁性に保つことすなわち、暗所で行なうこと
が重要である。
を絶縁性に保つことすなわち、暗所で行なうこと
が重要である。
以上、説明してきたように、本発明の方法によ
れば、光電変換膜の形成後に、暗中で電解メツキ
を行うことにより、絶縁性の光電変換膜中のピン
ホール部に、該光電変換膜面よりも突出するよう
に金属を析出させ、更に、この上に第２電極を形
成した後、エツチングにより、該金属をエツチン
グ除去することにより、このピンホール上の第２
電極も除去し、ピンホール上には第２電極が存在
しない状態にし、第２電極と第１電極とのシヨー
トを防ぎ、信頼性の高い光電変換素子を提供する
ことが可能となる。
れば、光電変換膜の形成後に、暗中で電解メツキ
を行うことにより、絶縁性の光電変換膜中のピン
ホール部に、該光電変換膜面よりも突出するよう
に金属を析出させ、更に、この上に第２電極を形
成した後、エツチングにより、該金属をエツチン
グ除去することにより、このピンホール上の第２
電極も除去し、ピンホール上には第２電極が存在
しない状態にし、第２電極と第１電極とのシヨー
トを防ぎ、信頼性の高い光電変換素子を提供する
ことが可能となる。
第１図は、サンドイツチ型光電変換素子の等価
回路を示す図、第２図は、理想的な光電変換素子
の電流−電圧特性曲線を示す図、第３図は、光電
変換層において、第１電極と第２電極とが重なり
合う部分にピンホールが発生した場合の光電変換
素子の電流−電圧特性曲線を示す図、第４図乃至
第８図は、本発明実施例の光電変換素子の製造工
程を示す図、第９図は、本発明実施例の光電変換
素子の製造工程で用いられる電解メツキ処理装置
を示す図である。 １……ガラス基板、２……クロム電極、３……
アモルフアス水素化シリコン層、４……銅メツキ
生成膜、５……酸化インジウム錫膜、３１……電
解液槽、３２……陽極、３３……陰極、I1，I3…
…光照射時のＩ−Ｖ特性曲線、I2，I4……暗時の
Ｉ−Ｖ特性曲線。
回路を示す図、第２図は、理想的な光電変換素子
の電流−電圧特性曲線を示す図、第３図は、光電
変換層において、第１電極と第２電極とが重なり
合う部分にピンホールが発生した場合の光電変換
素子の電流−電圧特性曲線を示す図、第４図乃至
第８図は、本発明実施例の光電変換素子の製造工
程を示す図、第９図は、本発明実施例の光電変換
素子の製造工程で用いられる電解メツキ処理装置
を示す図である。 １……ガラス基板、２……クロム電極、３……
アモルフアス水素化シリコン層、４……銅メツキ
生成膜、５……酸化インジウム錫膜、３１……電
解液槽、３２……陽極、３３……陰極、I1，I3…
…光照射時のＩ−Ｖ特性曲線、I2，I4……暗時の
Ｉ−Ｖ特性曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電変換薄膜を第１及び第２の電極によつて
挟んだサンドイツチ構造の薄膜光電変換素子の製
造方法において、 基板上に第１の電極を形成する第１の電極形成
工程と、 この上層に光導電性の光電変換薄膜を形成する
光電変換薄膜形成工程と、 電解メツキ法により、前記光電変換薄膜のピン
ホールに起因する前記第１の電極の露呈部に前記
光電変換薄膜面から突出するように金属生成膜を
析出せしめる電解メツキ工程と、 この上層に第２の電極を形成する第２の電極形
成工程と、 前記金属生成膜をエツチング除去することによ
り、この金属生成膜上の部分の第２の電極をエツ
チング除去するエツチング工程とを含むことを特
徴とする薄膜光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193633A JPS6085577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58193633A JPS6085577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085577A JPS6085577A (ja) | 1985-05-15 |
| JPH0221663B2 true JPH0221663B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=16311184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58193633A Granted JPS6085577A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 薄膜光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085577A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0673988B2 (ja) * | 1984-08-14 | 1994-09-21 | 株式会社リコー | 多色感熱記録方法 |
| US4774193A (en) * | 1986-03-11 | 1988-09-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for avoiding shorts in the manufacture of layered electrical components |
| JPH02223924A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 表示パネルの製造方法 |
| JP2686022B2 (ja) * | 1992-07-01 | 1997-12-08 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP58193633A patent/JPS6085577A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6085577A (ja) | 1985-05-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0143915B1 (ko) | P-형 텔루륨-함유 ii-vi 반도체 박막용 안정한 저항성 접점을 제조하는 방법 및 그 저항성 접점을 갖는 광기전 장치 | |
| US5863412A (en) | Etching method and process for producing a semiconductor element using said etching method | |
| US20120103669A1 (en) | Metal transparent conductors with low sheet resistance | |
| JP3619681B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS62213177A (ja) | 電気デバイス製作時の短絡防止方法 | |
| JPH0221664B2 (ja) | ||
| JPH0221663B2 (ja) | ||
| JPS61116883A (ja) | 金属配線付き透明電極 | |
| JPH0221662B2 (ja) | ||
| JPH0629206A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 | |
| US5084399A (en) | Semi conductor device and process for fabrication of same | |
| JPS61216360A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| Horiuchi et al. | Fabrication and photoelectrochemical properties of interdigitated array microelectrodes consisting of optically transparent and nontransparent band electrodes | |
| JPH0629205A (ja) | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 | |
| JPS5823490A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH11233802A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JP2764297B2 (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH0729649Y2 (ja) | 光電変換装置 | |
| KR0162299B1 (ko) | 포토다이오드의 제조방법 | |
| JPH06232430A (ja) | 光起電力装置の製法 | |
| JPS61203666A (ja) | フオトダイオ−ドの製造方法 | |
| JPH06324349A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JPS5823491A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
| JPS639756B2 (ja) | ||
| JPH02148773A (ja) | 光センサー |