JPH0629206A - 半導体装置の製造方法およびそのための装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法およびそのための装置Info
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- JPH0629206A JPH0629206A JP18193692A JP18193692A JPH0629206A JP H0629206 A JPH0629206 A JP H0629206A JP 18193692 A JP18193692 A JP 18193692A JP 18193692 A JP18193692 A JP 18193692A JP H0629206 A JPH0629206 A JP H0629206A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトリソグラフィー工程において半導体装
置を現像液等に浸漬する際に、前記半導体装置に用いら
れているＩＴＯ等の金属酸化物に腐食を生じない製造方
法およびそのための装置を提供する。 【構成】 半導体装置８を、この半導体装置８に用いら
れる金属層の平衡電位より高い電位を示す補助金属９と
電気的に接続して現像液６等に浸漬する。
置を現像液等に浸漬する際に、前記半導体装置に用いら
れているＩＴＯ等の金属酸化物に腐食を生じない製造方
法およびそのための装置を提供する。 【構成】 半導体装置８を、この半導体装置８に用いら
れる金属層の平衡電位より高い電位を示す補助金属９と
電気的に接続して現像液６等に浸漬する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
およびそのための装置に関し、特に液晶ディスプレーな
どの半導体装置を製造する際に、フォトリソグラフ工程
などの、半導体がイオン導電性を有する液体中に浸漬さ
れる工程を有する、半導体装置の製造方法およびそのた
めの装置に関する。
およびそのための装置に関し、特に液晶ディスプレーな
どの半導体装置を製造する際に、フォトリソグラフ工程
などの、半導体がイオン導電性を有する液体中に浸漬さ
れる工程を有する、半導体装置の製造方法およびそのた
めの装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置において、酸化物半導
体は透明電極層としてあるいは絶縁層として液晶ディス
プレーや太陽電池などに広く用いられている。透明電極
層としては、高い光透過性と高い電気伝導性を示すこと
から、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）、Ｉｎ2 Ｏ3 、
ＳｎＯ2 などが使用されており、また絶縁層としてはＴ
ａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 などが用いられている。一方、電
極層としては、低抵抗である金属アルミニウムが主とし
て用いられている。
体は透明電極層としてあるいは絶縁層として液晶ディス
プレーや太陽電池などに広く用いられている。透明電極
層としては、高い光透過性と高い電気伝導性を示すこと
から、ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ＋ＳｎＯ2 ）、Ｉｎ2 Ｏ3 、
ＳｎＯ2 などが使用されており、また絶縁層としてはＴ
ａ2 Ｏ5 、Ａｌ2 Ｏ3 などが用いられている。一方、電
極層としては、低抵抗である金属アルミニウムが主とし
て用いられている。
【０００３】半導体装置は、ＣＶＤ法やスパッタ法によ
る薄膜の堆積と、ウェットエッチングあるいはドライエ
ッチング、フォトリソグラフィー等の薄膜の加工とを繰
り返すことにより製造される。ここで簡単のために、半
導体装置として非晶質シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を内蔵した液晶ディスプレイ装置を例にとり、その
製造方法について説明する。
る薄膜の堆積と、ウェットエッチングあるいはドライエ
ッチング、フォトリソグラフィー等の薄膜の加工とを繰
り返すことにより製造される。ここで簡単のために、半
導体装置として非晶質シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を内蔵した液晶ディスプレイ装置を例にとり、その
製造方法について説明する。
【０００４】ガラス基板上にスパッタ法によりＩＴＯ層
を蒸着し、ウェットエッチングによりパターンを形成す
る。次に、ＩＴＯ保護層としてＣＶＤ法によりＳｉＯx
層を形成する。その後、スパッタ法によりＣｒ層を形成
し、パターン加工してゲート電極とする。次いで、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮx ／ａ−Ｓｉ／ＳｉＮx 層を形成し、
パターン形成後、ｎ+ ａ−Ｓｉ層を堆積する。次に、ド
ライエッチングによりＩＴＯとのコンタクトホールを開
口し、スパッタ法により順次Ｔｉ層、Ａｌ層を堆積す
る。最後に、フォトリソグラフィーによりＴｉ／Ａｌか
らなる二層のソース、ドレインを形成する。
を蒸着し、ウェットエッチングによりパターンを形成す
る。次に、ＩＴＯ保護層としてＣＶＤ法によりＳｉＯx
層を形成する。その後、スパッタ法によりＣｒ層を形成
し、パターン加工してゲート電極とする。次いで、ＣＶ
Ｄ法によりＳｉＮx ／ａ−Ｓｉ／ＳｉＮx 層を形成し、
パターン形成後、ｎ+ ａ−Ｓｉ層を堆積する。次に、ド
ライエッチングによりＩＴＯとのコンタクトホールを開
口し、スパッタ法により順次Ｔｉ層、Ａｌ層を堆積す
る。最後に、フォトリソグラフィーによりＴｉ／Ａｌか
らなる二層のソース、ドレインを形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして半導体装置を製造する場合、例えば液晶ディ
スプレイの製造においてフォトリソグラフィーによりソ
ース・ドレインのＡｌ層を形成する工程等で腐食が発生
する。その原理を図６を用いて説明する。半導体装置と
して、ガラス基板１上にＩＴＯ層２をパターン形成し、
その上にＡｌ層３を堆積し、さらにＡｌ層３の上にフォ
トレジスト４のパターンを形成したものを示す。Ａｌ層
３の表面には局所的な活性部が多数存在し、アルカリ性
の現像液６に浸漬すると、この活性部よりＡｌの溶解反
応が進行する。その結果、Ａｌ層３内部にはＩＴＯ層に
達する微少なピンホール５が多数発生し、Ａｌ／現像液
（電解液）／ＩＴＯ系の局部電池が形成される。局部電
池の化学反応式は以下のように考えられている。
ようにして半導体装置を製造する場合、例えば液晶ディ
スプレイの製造においてフォトリソグラフィーによりソ
ース・ドレインのＡｌ層を形成する工程等で腐食が発生
する。その原理を図６を用いて説明する。半導体装置と
して、ガラス基板１上にＩＴＯ層２をパターン形成し、
その上にＡｌ層３を堆積し、さらにＡｌ層３の上にフォ
トレジスト４のパターンを形成したものを示す。Ａｌ層
３の表面には局所的な活性部が多数存在し、アルカリ性
の現像液６に浸漬すると、この活性部よりＡｌの溶解反
応が進行する。その結果、Ａｌ層３内部にはＩＴＯ層に
達する微少なピンホール５が多数発生し、Ａｌ／現像液
（電解液）／ＩＴＯ系の局部電池が形成される。局部電
池の化学反応式は以下のように考えられている。
【０００６】 アノード側 （１） Ａｌ＋４ＯＨ- →Ｈ2 ＡｌＯ3 -
＋Ｈ2 Ｏ＋３ｅ- Ｅ0 Ａｌ＝−２. ３（Ｖ） カソード側 （２） Ｉｎ2 Ｏ3 ＋３Ｈ2 Ｏ＋６ｅ-
→２Ｉｎ＋６ＯＨ- Ｅ0 ＩＴＯ＝−１. ０（Ｖ） （３） ２Ｈ2 Ｏ＋２ｅ- →２ＯＨ- ＋Ｈ2 ↑ Ｅ0 Ｈ2 ＝−０. ８３（Ｖ） Ｅ0 は各部の平衡電位である。上記の反応式で表わされ
るように、アノード側でＡｌ膜が溶解し（（１）式）、
同時にカソード側で還元反応として水素発生反応が起こ
る（（３）式）。ピンホール５を通じてＩＴＯ層２まで
電解液が侵入するとＩｎ2 Ｏ3 の還元が起こり（（２）
式）、その結果、ＩＴＯ層２が腐食される。
＋Ｈ2 Ｏ＋３ｅ- Ｅ0 Ａｌ＝−２. ３（Ｖ） カソード側 （２） Ｉｎ2 Ｏ3 ＋３Ｈ2 Ｏ＋６ｅ-
→２Ｉｎ＋６ＯＨ- Ｅ0 ＩＴＯ＝−１. ０（Ｖ） （３） ２Ｈ2 Ｏ＋２ｅ- →２ＯＨ- ＋Ｈ2 ↑ Ｅ0 Ｈ2 ＝−０. ８３（Ｖ） Ｅ0 は各部の平衡電位である。上記の反応式で表わされ
るように、アノード側でＡｌ膜が溶解し（（１）式）、
同時にカソード側で還元反応として水素発生反応が起こ
る（（３）式）。ピンホール５を通じてＩＴＯ層２まで
電解液が侵入するとＩｎ2 Ｏ3 の還元が起こり（（２）
式）、その結果、ＩＴＯ層２が腐食される。
【０００７】なおソース・ドレインにＴｉとＡｌとの二
層を用いた場合も、Ａｌ層のピンホールを通じてＴｉ層
まで侵入した電解液はさらにＴｉ層に存在するピンホー
ル、結晶粒界を通じてＩＴＯ層まで達し、Ａｌ／現像液
（電解液）／ＩＴＯ系の局部電池を形成することにな
り、ＩＴＯの腐食が起こる。
層を用いた場合も、Ａｌ層のピンホールを通じてＴｉ層
まで侵入した電解液はさらにＴｉ層に存在するピンホー
ル、結晶粒界を通じてＩＴＯ層まで達し、Ａｌ／現像液
（電解液）／ＩＴＯ系の局部電池を形成することにな
り、ＩＴＯの腐食が起こる。
【０００８】本発明は上記問題を解決するもので、半導
体装置をイオン導電性を有する液中に浸漬する工程にお
いて、酸化物半導体が腐食されない半導体装置の製造方
法およびそのための装置を提供することを目的とするも
のである。
体装置をイオン導電性を有する液中に浸漬する工程にお
いて、酸化物半導体が腐食されない半導体装置の製造方
法およびそのための装置を提供することを目的とするも
のである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明は、少なくとも酸化物半導体層と金属層とを有
する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置を
イオン導電性を有する液中に浸漬する工程で、前記半導
体装置を前記金属層の平衡電位よりも高い電位を示す補
助金属と電気的に接続して、前記イオン導電性を有する
液中へ浸漬することで構成した。
に本発明は、少なくとも酸化物半導体層と金属層とを有
する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置を
イオン導電性を有する液中に浸漬する工程で、前記半導
体装置を前記金属層の平衡電位よりも高い電位を示す補
助金属と電気的に接続して、前記イオン導電性を有する
液中へ浸漬することで構成した。
【００１０】
【作用】上記により、半導体装置をイオン導電性を有す
る液中に浸漬する際に、半導体装置の金属層の平衡電位
よりも高い電位を示す補助金属を同時に浸漬し、かつ前
記半導体装置と前記補助金属を電気的に接続すること
で、カソード側では補助金属上での水素発生反応が支配
的となり、酸化物半導体の還元反応すなわち腐食は回避
される。
る液中に浸漬する際に、半導体装置の金属層の平衡電位
よりも高い電位を示す補助金属を同時に浸漬し、かつ前
記半導体装置と前記補助金属を電気的に接続すること
で、カソード側では補助金属上での水素発生反応が支配
的となり、酸化物半導体の還元反応すなわち腐食は回避
される。
【００１１】イオン導電性を有する液がアルカリ性を示
す場合、その液中ではＡｌ等の金属の電気化学的な酸化
や酸化物半導体の電気化学的な還元が起こり易いが、本
発明の方法を用いることによりこの反応すなわち腐食を
回避することができる。
す場合、その液中ではＡｌ等の金属の電気化学的な酸化
や酸化物半導体の電気化学的な還元が起こり易いが、本
発明の方法を用いることによりこの反応すなわち腐食を
回避することができる。
【００１２】また、フォトリソグラフ工程でレジストの
現像に用いる現像液はアルカリ性を示し、さらにこの工
程では半導体装置に酸化物半導体と金属の積層構造が生
じていることが多いため、この工程で電気化学的な還元
反応による酸化物半導体の腐食が起こり易いが、本発明
の方法を用いることにより腐食を回避することが可能で
ある。
現像に用いる現像液はアルカリ性を示し、さらにこの工
程では半導体装置に酸化物半導体と金属の積層構造が生
じていることが多いため、この工程で電気化学的な還元
反応による酸化物半導体の腐食が起こり易いが、本発明
の方法を用いることにより腐食を回避することが可能で
ある。
【００１３】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらに限定されない。
るが、本発明はこれらに限定されない。
【００１４】（実施例１）本実施例では、本発明の効果
を調べるために酸化物半導体としてＩＴＯを用い、その
上に金属層として順次Ｔｉ、Ａｌを積層したものを用い
た。イオン導電性を有する液としてはフォトリソグラフ
ィーの現像液を選択し、これに浸漬した際のＩＴＯの腐
食について調べた。
を調べるために酸化物半導体としてＩＴＯを用い、その
上に金属層として順次Ｔｉ、Ａｌを積層したものを用い
た。イオン導電性を有する液としてはフォトリソグラフ
ィーの現像液を選択し、これに浸漬した際のＩＴＯの腐
食について調べた。
【００１５】図１は本実施例に用いたサンプル８を示し
ており、ガラス基板１上にＩＴＯ層２、Ｔｉ層７、Ａｌ
層３を順次スパッタ法により各々１００nm、１００nm、
７００nmの厚みで形成したものである。
ており、ガラス基板１上にＩＴＯ層２、Ｔｉ層７、Ａｌ
層３を順次スパッタ法により各々１００nm、１００nm、
７００nmの厚みで形成したものである。
【００１６】このサンプル８を図２に示すような装置内
の現像液６に４５秒間浸漬した。なお補助金属９には銅
箔を用い、サンプル８と補助金属９との面積比を１：２
になるよう調整し、補助金属とサンプルとは銅線10で接
続した。フォトリソグラフィーの現像液６としてはＳＨ
ＩＰＬＥＹ社製のマイクロポジット・デベロッパーを用
いた。
の現像液６に４５秒間浸漬した。なお補助金属９には銅
箔を用い、サンプル８と補助金属９との面積比を１：２
になるよう調整し、補助金属とサンプルとは銅線10で接
続した。フォトリソグラフィーの現像液６としてはＳＨ
ＩＰＬＥＹ社製のマイクロポジット・デベロッパーを用
いた。
【００１７】このように現像液６中に浸漬した補助金属
９の表面から、水素ガスの発生が確認された。サンプル
８の酸化物半導体層の腐食の度合いをＩＴＯ面からの目
視により評価したところ、サンプル８にはＩＴＯ層の腐
食は認められなかった。
９の表面から、水素ガスの発生が確認された。サンプル
８の酸化物半導体層の腐食の度合いをＩＴＯ面からの目
視により評価したところ、サンプル８にはＩＴＯ層の腐
食は認められなかった。
【００１８】比較のため、同様のサンプル８を、補助金
属９に接続することなしに現像液６中に４５秒間浸漬し
た。このサンプル８の酸化物半導体層の腐食の度合いを
上記と同様にＩＴＯ面からの目視により評価したとこ
ろ、１cm2 あたり平均２カ所にＩＴＯ層の腐食が認めら
れた。
属９に接続することなしに現像液６中に４５秒間浸漬し
た。このサンプル８の酸化物半導体層の腐食の度合いを
上記と同様にＩＴＯ面からの目視により評価したとこ
ろ、１cm2 あたり平均２カ所にＩＴＯ層の腐食が認めら
れた。
【００１９】また、浸漬時間を９０秒として同様の実験
を行ったところ、補助金属９と接続しなかったものは１
cm2 あたり平均９カ所にＩＴＯ層の腐食が認められたの
に対し、本発明により補助金属９と接続して浸漬したも
のについてはＩＴＯ層の腐食は１cm2 あたり平均２カ所
に留まった。
を行ったところ、補助金属９と接続しなかったものは１
cm2 あたり平均９カ所にＩＴＯ層の腐食が認められたの
に対し、本発明により補助金属９と接続して浸漬したも
のについてはＩＴＯ層の腐食は１cm2 あたり平均２カ所
に留まった。
【００２０】次に、サンプル８と補助金属９の面積比が
１：５、１：１０となるように、補助金属の面積を大き
くして同様の実験を行ったところ、１：１０の面積比で
ＩＴＯ層の腐食はなくなり、補助金属の面積を大きくす
れば補助金属上での水素発生反応が支配的となり、ＩＴ
Ｏの腐食が回避されることがわかった。
１：５、１：１０となるように、補助金属の面積を大き
くして同様の実験を行ったところ、１：１０の面積比で
ＩＴＯ層の腐食はなくなり、補助金属の面積を大きくす
れば補助金属上での水素発生反応が支配的となり、ＩＴ
Ｏの腐食が回避されることがわかった。
【００２１】以上のことから、本発明の方法によって、
半導体装置の製造工程における酸化物半導体層の腐食を
回避できることが判った。 （実施例２）本実施例では、半導体装置として液晶ディ
スプレイ装置を製造する工程の内、フォトレジスト工程
において本発明による製造方法および製造装置を用い
た。
半導体装置の製造工程における酸化物半導体層の腐食を
回避できることが判った。 （実施例２）本実施例では、半導体装置として液晶ディ
スプレイ装置を製造する工程の内、フォトレジスト工程
において本発明による製造方法および製造装置を用い
た。
【００２２】図３に、本実施例による液晶ディスプレイ
装置の製造工程を説明するための断面図を示す。先ずガ
ラス基板１上にスパッタ法によりＩＴＯ層２を蒸着し、
ウェットエッチングによるパターン形成後、ＣＶＤ法に
よりＳｉＯx 層１１を形成した。その後スパッタ法によ
りＣｒ層１２を形成し、パターン加工してゲート電極と
した。次に、ＣＶＤ法によりＳｉＮx 層１３、ａ−Ｓｉ
層１４、ＳｉＮx 層１５を形成し、パターン形成後、ｎ
+ ａ−Ｓｉ層１６を堆積した。次いで、ドライエッチン
グによりＩＴＯとのコンタクト穴１７を開口し、Ｔｉ層
７、Ａｌ層３をスパッタ法により順次堆積した。その
後、フォトレジスト４を表面に塗布し、露光した。
装置の製造工程を説明するための断面図を示す。先ずガ
ラス基板１上にスパッタ法によりＩＴＯ層２を蒸着し、
ウェットエッチングによるパターン形成後、ＣＶＤ法に
よりＳｉＯx 層１１を形成した。その後スパッタ法によ
りＣｒ層１２を形成し、パターン加工してゲート電極と
した。次に、ＣＶＤ法によりＳｉＮx 層１３、ａ−Ｓｉ
層１４、ＳｉＮx 層１５を形成し、パターン形成後、ｎ
+ ａ−Ｓｉ層１６を堆積した。次いで、ドライエッチン
グによりＩＴＯとのコンタクト穴１７を開口し、Ｔｉ層
７、Ａｌ層３をスパッタ法により順次堆積した。その
後、フォトレジスト４を表面に塗布し、露光した。
【００２３】フォトレジストの現像装置の原理を図４に
示す。図中２０は図３に示したものと同様の半導体装置
であり、固定冶具２１により吸引固定した。現像装置内
には補助金属９が固定されており、これを半導体装置２
０と電気的に接続した。このように半導体装置２０を固
定し、現像液６を注入した。現像終了と共に現像液を排
出し、水２２で半導体装置２０を洗浄した。
示す。図中２０は図３に示したものと同様の半導体装置
であり、固定冶具２１により吸引固定した。現像装置内
には補助金属９が固定されており、これを半導体装置２
０と電気的に接続した。このように半導体装置２０を固
定し、現像液６を注入した。現像終了と共に現像液を排
出し、水２２で半導体装置２０を洗浄した。
【００２４】この後、エッチングによりＴｉ／Ａｌ層の
パターンを形成してソース、ドレインとし、レジストを
剥離して、液晶ディスプレイ装置を構成した。比較のた
めに、補助金属と接続しなかったこと以外は上記と同様
の方法で液晶ディスプレイ装置を構成した。
パターンを形成してソース、ドレインとし、レジストを
剥離して、液晶ディスプレイ装置を構成した。比較のた
めに、補助金属と接続しなかったこと以外は上記と同様
の方法で液晶ディスプレイ装置を構成した。
【００２５】このようにして得た液晶ディスプレイ装置
に駆動用のＩＣを実装してその特性を評価したところ、
本発明により補助金属を接続して現像を行ったものは正
常に動作したのに対し、補助金属を接続しなかったもの
には動作不良がみられた。その不良解析を行ったとこ
ろ、ＩＣを実装する部分にＩＴＯの腐食がみられた。
に駆動用のＩＣを実装してその特性を評価したところ、
本発明により補助金属を接続して現像を行ったものは正
常に動作したのに対し、補助金属を接続しなかったもの
には動作不良がみられた。その不良解析を行ったとこ
ろ、ＩＣを実装する部分にＩＴＯの腐食がみられた。
【００２６】以上のことから、本発明により、半導体装
置の製造工程での酸化物半導体層の腐食を回避できるこ
とが判った。 （実施例３）本実施例では半導体装置としてアモルファ
スシリコン太陽電池を製造した。
置の製造工程での酸化物半導体層の腐食を回避できるこ
とが判った。 （実施例３）本実施例では半導体装置としてアモルファ
スシリコン太陽電池を製造した。
【００２７】図５に、本実施例によるアモルファスシリ
コン太陽電池の製造工程の断面図を示す。先ず、ガラス
基板３０上にスパッタ法によりＩＴＯ層３１を蒸着し
た。次に、ＣＶＤ法によりｐ−ａ−Ｓｉ／ｉ−ａ−Ｓｉ
／ｎ−ａ−Ｓｉ層３２を製膜した。その後、ドライエッ
チングによりパターンを形成し、スパッタ法により電極
としてＡｌ層３３を製膜した。次いで、表面にフォトリ
ソグラフィー用のレジスト３４を塗布し、感光した。
コン太陽電池の製造工程の断面図を示す。先ず、ガラス
基板３０上にスパッタ法によりＩＴＯ層３１を蒸着し
た。次に、ＣＶＤ法によりｐ−ａ−Ｓｉ／ｉ−ａ−Ｓｉ
／ｎ−ａ−Ｓｉ層３２を製膜した。その後、ドライエッ
チングによりパターンを形成し、スパッタ法により電極
としてＡｌ層３３を製膜した。次いで、表面にフォトリ
ソグラフィー用のレジスト３４を塗布し、感光した。
【００２８】実施例２と同様の方法でフォトレジストの
現像を行い、比較のために補助金属と接続しなかったも
のも同様に現像を行った。このようにして得たアモルフ
ァスシリコン太陽電池を目視により検査したところ、本
発明により補助金属を接続して現像を行ったものには異
常がみられなかったのに対し、補助金属を接続しなかっ
たものにはＩＴＯ層に腐食がみられた。
現像を行い、比較のために補助金属と接続しなかったも
のも同様に現像を行った。このようにして得たアモルフ
ァスシリコン太陽電池を目視により検査したところ、本
発明により補助金属を接続して現像を行ったものには異
常がみられなかったのに対し、補助金属を接続しなかっ
たものにはＩＴＯ層に腐食がみられた。
【００２９】以上のことから、本発明により、半導体装
置の製造工程での酸化物半導体層の腐食を回避できるこ
とが判った。なお本発明の実施例では補助金属として銅
を用いたが、ニッケル、銀、マンガンあるいは白金を主
体とする成分からなる補助金属を用いても同様の効果が
得られる。
置の製造工程での酸化物半導体層の腐食を回避できるこ
とが判った。なお本発明の実施例では補助金属として銅
を用いたが、ニッケル、銀、マンガンあるいは白金を主
体とする成分からなる補助金属を用いても同様の効果が
得られる。
【００３０】また本発明の実施例では、酸化物半導体と
してＩＴＯを用いたが、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の他の酸化物半導体につい
ても同様の効果が得られる。
してＩＴＯを用いたが、酸化インジウム（Ｉｎ2 Ｏ
3 ）、酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の他の酸化物半導体につい
ても同様の効果が得られる。
【００３１】さらに本発明の実施例においては、半導体
装置として液晶ディスプレイ装置、アモルファスシリコ
ン太陽電池について説明を行ったが、フォトダイオード
やエレクトロルミネッセンス素子等の他の半導体装置に
ついても同様の効果が得られることはいうまでもない。
装置として液晶ディスプレイ装置、アモルファスシリコ
ン太陽電池について説明を行ったが、フォトダイオード
やエレクトロルミネッセンス素子等の他の半導体装置に
ついても同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によると、半導体装
置をイオン導電性を有する液中に浸漬する際に、半導体
装置の金属層の平衡電位よりも高い電位を示す補助金属
を同時に浸漬し、かつ前記半導体装置と前記補助金属を
電気的に接続することで、酸化物半導体の還元反応すな
わち腐食を回避することができる。
置をイオン導電性を有する液中に浸漬する際に、半導体
装置の金属層の平衡電位よりも高い電位を示す補助金属
を同時に浸漬し、かつ前記半導体装置と前記補助金属を
電気的に接続することで、酸化物半導体の還元反応すな
わち腐食を回避することができる。
【００３３】イオン導電性を有する液がアルカリ性を示
す場合、本発明の方法を用いることにより、その液中で
起こり易いＡｌ等の金属の電気化学的な酸化や酸化物半
導体の電気化学的な還元を回避することができ、従って
腐食を回避することができる。
す場合、本発明の方法を用いることにより、その液中で
起こり易いＡｌ等の金属の電気化学的な酸化や酸化物半
導体の電気化学的な還元を回避することができ、従って
腐食を回避することができる。
【００３４】また、現像液がアルカリ性を示し、その工
程で半導体装置に酸化物半導体と金属の積層構造が生じ
ていることが多いフォトリソグラフ工程においても、本
発明の方法を用いることにより、この工程で起こり易い
電気化学的な還元反応による酸化物半導体の腐食を回避
することが可能である。
程で半導体装置に酸化物半導体と金属の積層構造が生じ
ていることが多いフォトリソグラフ工程においても、本
発明の方法を用いることにより、この工程で起こり易い
電気化学的な還元反応による酸化物半導体の腐食を回避
することが可能である。
【００３５】さらに、本発明の装置によればイオン導電
性を有する液中に補助金属が保持されているので、本発
明の製造方法を容易に実施することができる。
性を有する液中に補助金属が保持されているので、本発
明の製造方法を容易に実施することができる。
【図１】本発明の一実施例における測定サンプルを示す
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例における現像装置を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明の他の実施例における液晶ディスプレイ
装置の製造工程を説明するための断面図である。
装置の製造工程を説明するための断面図である。
【図４】本発明の他の実施例における現像装置の原理を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明のさらに他の実施例におけるアモルファ
スシリコン太陽電池の製造工程を説明するための断面図
である。
スシリコン太陽電池の製造工程を説明するための断面図
である。
【図６】従来の腐食発生の原理を示す図である。
２ ＩＴＯ層（酸化物半導体層） ３ Ａｌ層（金属層） ６ 現像液（イオン導電性を有する液） ７ Ｔｉ層（金属層） ８ サンプル（半導体装置） ９ 補助金属
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも酸化物半導体層と金属層とを
有する半導体装置の製造方法において、前記半導体装置
をイオン導電性を有する液中に浸漬する工程で、前記半
導体装置を前記金属層の平衡電位よりも高い電位を示す
補助金属と電気的に接続して、前記イオン導電性を有す
る液中へ浸漬することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 金属層がアルミニウムを主体とする成分
からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
製造方法。 - 【請求項３】 補助金属が銅、ニッケル、銀、マンガン
あるいは白金のいずれかを主体とする成分からなること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 酸化物半導体層が酸化インジウムあるい
は酸化錫あるいはその両方を主体とする層であることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体装置が酸化物半導体層とそれに順
次積層してなる単数あるいは複数の金属層とを有し、酸
化物半導体層が酸化インジウムあるいは酸化錫あるいは
その両方を主体とする酸化物半導体層であり、最後の金
属層がアルミニウムを主体とする層であることを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 イオン導電性を有する液がｐＨ≧１０の
アルカリ性を示す液であることを特徴とする請求項１〜
５のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 イオン導電性を有する液がフォトレジス
トの現像液であることを特徴とする請求項６記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項８】 イオン導電性を有する液中に補助金属が
固定されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法のための装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18193692A JPH0629206A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18193692A JPH0629206A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629206A true JPH0629206A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16109489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18193692A Pending JPH0629206A (ja) | 1992-07-09 | 1992-07-09 | 半導体装置の製造方法およびそのための装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629206A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006106580A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| KR100776034B1 (ko) * | 2001-07-13 | 2007-11-16 | 주식회사 포스코 | 스크랩 쵸퍼 설비의 쵸퍼나이프 결합장치 |
| US7368612B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-05-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of producing high-purity hydroxypivalaldehyde and/or dimer thereof |
| KR20140053840A (ko) | 2011-03-03 | 2014-05-08 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | 3-하이드록시-2,2-다이메틸프로판알 수용액의 농축 방법 |
-
1992
- 1992-07-09 JP JP18193692A patent/JPH0629206A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776034B1 (ko) * | 2001-07-13 | 2007-11-16 | 주식회사 포스코 | 스크랩 쵸퍼 설비의 쵸퍼나이프 결합장치 |
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| JP4591028B2 (ja) * | 2004-10-08 | 2010-12-01 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7368612B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-05-06 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of producing high-purity hydroxypivalaldehyde and/or dimer thereof |
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| US9061985B2 (en) | 2011-03-03 | 2015-06-23 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method for concentrating aqueous 3-hydroxy-2,2-dimethylpropanal solution |
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