JPH09129883A

JPH09129883A - 薄膜装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09129883A
Application number: JP28472195A
Authority: JP
Inventors: Yukimasa Ishida; 幸政石田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-11-01
Filing date: 1995-11-01
Publication date: 1997-05-16

Abstract

(57)【要約】【課題】薄膜装置の製造方法に関し、化成液の取扱を
容易にして絶縁性の高い陽極酸化膜を制御性良く、且
つ、高製造歩留りで形成し、また、ＴＡＢ端子圧着部の
接触抵抗、コンタクト抵抗を低減する。【解決手段】絶縁基板３上に配置された複数の配線層
４の表面を陽極酸化する際に、陽極酸化用の化成液１に
正の水和をする希ガス７を溶解させて陽極酸化を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜装置の製造方法
に関するものであり、特に、アクティブマトリクス型液
晶表示装置に用いる逆スタガ型薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）のゲート電極や補助容量電極等のＡｌ配線層の陽極
酸化方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、アクティブマトリクス型液晶
表示装置における駆動素子としては薄膜トランジスタが
使用されているが、近年の大型化、及び、高精細化に伴
って薄膜トランジスタの高速駆動化、面内輝度分布の均
一化、及び、製造歩留りの向上が要請されており、高速
駆動化、及び、面内輝度分布の均一化のためにゲート配
線層等の低抵抗化が行われている。

【０００３】この様なゲート配線層等の低抵抗化のため
に、ゲート配線層等としてＡｌ或いはＡｌ合金が用いら
れており、このゲート配線層等の表面を陽極酸化した陽
極酸化膜をゲート絶縁膜及びゲート容量等として使用し
ている。

【０００４】しかし、Ａｌ或いはＡｌ合金の陽極酸化膜
の絶縁性が乏しいと、層間短絡の原因となって製造歩留
りを悪くするため、陽極酸化工程を酸化開始から終了ま
で安定して行う必要がある。

【０００５】従来の陽極酸化を用いたＴＦＴにおいて
は、陽極酸化膜の絶縁性を向上するために、また、汚染
物の持ち込みによる汚染、即ち、ケミカルキャリーオー
バーの影響を少なくして薬液の寿命を長くするために、
陽極酸化用薬液（化成液）として、エチレングリコール
溶媒等の薬液の導電率を容易に低くできる溶媒を用いた
有機酸数パーセントの溶液にアンモニア水を加えて、ｐ
Ｈを６．８０〜７．２０に調整した溶液を使用してい
た。

【０００６】このエチレングリコールは、基板上のレジ
スト等の汚染物が液中に容易に溶け込まないため、汚染
物の持ち込みに対する耐性が高く、薬液の導電率の変化
も少ないため安定な陽極酸化を行うことができ、したが
って、薬液の交換回数も少なくてすむので寿命が長くな
る。

【０００７】しかし、エチレングリコールは引火性が高
いので、電気接点を必要とする陽極酸化工程で使用する
場合、防爆対策のために陽極酸化装置のコストが割高に
なるという欠点があり、仮に、防爆設備とした場合でも
作業環境も好ましいとはいえず、特別な排水処理設備、
薬液保管用設備等のためのコストアップも避けられない
という問題がある。

【０００８】ここで、図７を参照して従来の陽極酸化工
程を説明する。なお、図７の右側の図は左側の図におけ
る化成液の液面５４近傍の要部断面図である。図７（ａ）参照従来の陽極酸化工程においては、外部ドライバからの信
号線と接続するゲート端子部及び周辺接続部のＡｌ配線
層５２を陽極酸化から守る必要があり、そのために、化
成液中に浸漬しているゲート端子部、及び、化成液の液
面５４に位置する周辺接続部の表面をフォトレジストマ
スク５３で被覆して化成液から保護していた。なお、図
において、符号５１はＴＦＴマトリクスを設けるガラス
基板である。

【０００９】図７（ｂ）及び（ｃ）参照しかし、実際には、フォトレジストの現像時にその現像
液によってＡｌ配線層５２の露出部もエッチングされ、
フォトレジストマスク５３の端部において段差５５、及
び、サイドエッチング部５６が発生しやすく、このまま
直流電源５７の＋端子にＡｌ配線層５２を接続して陽極
酸化を行った場合に、Ａｌ配線層５２とフォトレジスト
マスク５３との界面においても酸化が進行し、フォトレ
ジストマスク５３が保護膜として機能しないことがあっ
た。

【００１０】特に、液面５４近傍においては酸化速度が
速いために、極端な場合には、フォトレジストマスク５
３の端部において楔形の酸化が進行して全体が陽極酸化
膜５８に変換され電気的にオープンの状態が発生するな
ど、正常なゲート端子の形成マージンに不安を残す問題
があった。

【００１１】また、別の方法としては、陽極酸化工程に
おいて、ゲート端子部も酸化したのち、クロム酸を用い
てゲート端子部表面の陽極酸化膜、即ち、Ａｌ₂Ｏ₃膜
を除去し、未酸化部分のＡｌ配線層からなるゲート端子
部を露出させる方法もあるが、クロム酸（即ち、六価ク
ロム）は処理方法並びに作業環境が問題となる欠点があ
る。

【００１２】さらに、他の方法としては、ゲート端子部
を化成液の液面５４の上に出して、この部分の陽極酸化
を防止する方法もあるが、高精度の液面制御技術など装
置上のコストが割高になるという問題があり、仮に、こ
の問題点を解決したとしても、マザーガラス１枚当たり
のＴＦＴパネルの取り数が増えると、少なくとも一部の
ＴＦＴパネルのゲート端子部は必然的に化成液中に漬か
ることになり、好ましい方法とは言えないものである。

【００１３】また、このような問題点を解決したとして
も、Ａｌ或いはＡｌ合金は酸化されやすいため、Ａｌ或
いはＡｌ合金からなるゲート端子部にＴＡＢ（Ｔａｐｅ
ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）電極を直接圧
着すると接触抵抗が高くなるため、ＩＴＯ（インジウム
・錫酸化物）膜を介することによって接触抵抗の問題を
回避しているが、Ａｌ或いはＡｌ合金とＩＴＯとの積層
構造ではコンタクト抵抗が高く、現像液等の薬液中では
電池効果によってＡｌが腐食するので、Ａｌ或いはＡｌ
合金とＩＴＯとの間にＣｒやＴｉ等の金属層を介在させ
ていた。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌ或
いはＡｌ合金とＩＴＯとの間にＣｒやＴｉ等の金属層を
介在させた場合にも、Ａｌ或いはＡｌ合金の表面には必
然的に自然酸化膜が形成されるので、ＣｒやＴｉ等の金
属層とのコンタクトが確実ではなく、また、化成液中に
浸る部分の中でも、陽極酸化部と非陽極酸化部との境界
形成におけるマージンの低さが改良されない問題があ
る。

【００１５】また、クロスコンタミネーションを避ける
ために、陽極酸化用の化成液の取扱にも依然として注意
を払わなければならず、また、化成液としてエチレング
リコールを用いた場合に比べて寿命が短いという問題が
ある。

【００１６】したがって、本発明は、化成液の取扱を容
易にして絶縁性の高い陽極酸化膜を制御性良く、且つ、
高製造歩留りで形成し、また、ＴＡＢ端子圧着部の接触
抵抗、コンタクト抵抗を低減することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】図１を参照して本願にお
ける課題を解決するための手段を説明する。図１参照図１は、本発明の実施に用いる陽極酸化装置の要部の概
略的構成図であり、化成液１を入れた化成槽２、及び、
化成槽２に化成液１をポンプ１０を介して循環供給する
導電率調整槽９からなり、この導電率調整槽９にエアバ
ルブ８を介して希ガス７を供給して導電率を調整するも
のである。

【００１８】（１）本発明は、絶縁基板３上に配置され
た複数の配線層４、及び、この配線層４の陽極酸化膜を
含む薄膜容量を有する薄膜装置の製造方法において、配
線層４を陽極酸化する際に、化成液１に正の水和をする
希ガス７を溶解させて陽極酸化を行うことを特徴とす
る。

【００１９】この様に、陽極酸化用の化成液１に正の水
和をする希ガス７を溶解させることにより、化成液１を
構成する水分子のクラスター形成能を高めて水を構造化
し、水の構造化によってイオンを水クラスター分子内に
閉じ込め導電率を下げることができる。

【００２０】したがって、導電率調整のために引火性の
高いエチレングリコールを用いる必要がないので、化成
液１の管理に特別の保管設備を必要とせず、また、陽極
酸化工程において特別の防爆設備を必要としないので、
全体の製造コストを低下させることができる。

【００２１】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、化成液１に溶解させる希ガス７としてＸｅを用いる
ことを特徴とする。

【００２２】この様に、正の水和をする希ガス７とし
て、Ｘｅを用いることにより、溶解を低い圧力で行うこ
とができる。即ち、正の水和は他の希ガスでも可能であ
るが、Ｘｅの溶解が１．１５ａｔｍで可能であるのに対
して、Ａｒの場合には９８．５ａｔｍ、Ｋｒの場合には
１４．５ａｔｍの圧力が必要となる。

【００２３】（３）また、本発明は、上記（１）または
（２）において、配線層４がゲート配線層、ゲート電
極、及び、補助容量電極を構成する第１の導電層と、ゲ
ート配線層と補助容量電極とに接続するゲート端子及び
周辺接続配線層を構成する第２の導電層とからなり、陽
極酸化工程において、ゲート端子及び周辺接続配線層の
上にゲート端子及び周辺接続配線層のパターニング工程
において用いたフォトレジストを残存させた状態で第１
の導電層を陽極酸化することを特徴とする。

【００２４】この様に、陽極酸化工程において、第２の
導電膜によって第１の導電膜の端部を覆っているので、
第２の導電膜の下に存在する第１の導電膜の端部がレジ
スト並びにアルカリ現像液によって腐食されるのを防止
することができる。

【００２５】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、第１の導電膜が、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合
金からなり、また、第２の導電膜が、ＴｉまたはＴｉを
主成分とする合金からなり、第２の導電膜をパターニン
グする際に、フッ酸を含むエッチング液を用い、第１の
導電膜に対して第２の導電膜を選択的にエッチングする
ことを特徴とする。

【００２６】この様に、ゲート電極及びゲート配線層を
構成する第１の導電膜として低抵抗のＡｌまたはＡｌを
主成分とする合金を用いることによって、薄膜トランジ
スタの高速化が可能になり、且つ、絶縁性の高い良質の
陽極酸化膜を得ることができ、また、ゲート端子を構成
する第２の導電膜としてＴｉまたはＴｉを主成分とする
合金を用い、且つ、エッチング液としてフッ硝酸水溶液
等のフッ酸を含むエッチング液を用いることによって、
ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金に対する選択エッチ
ングが容易になり、さらに、ゲート端子近傍の第１の導
電膜を制御性良く陽極酸化することができると共に、ゲ
ート端子部において、Ａｌ／Ｔｉ／ＩＴＯからなる低抵
抗の端子構造を形成することができる。

【００２７】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、エッチング液に正の水和をする希ガスを溶解させる
ことを特徴とする。

【００２８】この様に、エッチング液に希ガスを溶解さ
せることによってエッチング液のイオンの解離率を下げ
て水素イオン濃度を下げることによって、水素イオンに
より下地のＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる
第１の導電膜がエッチングされることを防止することが
できる。

【００２９】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、エッチング液に溶解させる希ガスがＸｅであること
を特徴とする。

【００３０】この場合も、化成液１に対する希ガスの溶
解と同様に、希ガスとしてＸｅを用いることによって、
エッチング液に対する溶解に必要な圧力を低くすること
ができ、イオンの解離率の制御が容易になる。

【００３１】

【発明の実施の形態】図２乃至図６を参照して本発明の
実施の形態を説明する。なお、図２は、本発明の実施に
用いる陽極酸化装置の概略的構成の説明図であり、ま
た、図３乃至図６は、本発明の実施の形態の製造工程の
説明図であり、夫々右側の図はＴＦＴ部を表し、左側の
図はＴＡＢ端子圧着部を表す。

【００３２】図２参照まず、図２を参照して、本発明の実施に用いる陽極酸化
装置を説明する。この陽極酸化装置は化成液循環型の陽
極酸化装置であり、化成液１１を満たす化成槽１２、化
成槽１２からオーバーフローした化成液１１を受けるオ
ーバーフロー槽１３によって、陽極酸化装置の主要部が
構成され、この化成槽１２内の化成液１１に陽極酸化の
対象となるＡｌ配線層１４を形成したガラス基板１５を
浸漬して直流電源１６の＋端子に接続し、一方、カソー
ド１７を直流電源１６の−端子に接続することによって
陽極酸化を行う。なお、このオーバーフロー槽１３に
は、陽極酸化に伴って発生するガス等の排ガス１８を排
気する局所排気口１９が設けられている。

【００３３】また、オーバーフロー槽１３に流入した化
成液１１は配管を介して導電率調整槽２０に導かれ、こ
の導電率調整槽２０にレギュレータ２１、エアバルブ２
２，２３を介してＸｅガス２４を供給し、化成液１１に
Ｘｅガス２４を溶解させる。

【００３４】この場合、導電率計２５によって化成液１
１の導電率を測定し、導電率が所定の値より上昇した場
合には、圧力計２６によって供給するＸｅガス２４の圧
力を調整してＸｅガスの溶解量を制御して所定の導電率
に調整する。

【００３５】そして、導電率の調整された化成液１１は
ポンプ２７によってフィルタ２８を介して化成槽１２の
下側から化成槽１２に供給されるものであり、フィルタ
２８によって、化成液１１中のエッチング残渣等の異物
が除去される。

【００３６】次に、図３乃至図６を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。図３（ａ）参照まず、絶縁性透明基板であるガラス基板３１上に厚さ２
０００〜４０００Å、好適には４０００ÅのＡｌ膜をス
パッタリング法によって堆積させ、ステッパを用いた縮
小露光によって露光したのち現像したフォトレジストマ
スク（図示せず）をマスクとしてエッチングしてＡｌゲ
ート電極３２、Ａｌ補助容量電極（Ｃ_S）３３、及び、
Ａｌゲート配線層３４を形成する。なお、この時、周辺
接続部及び陽極酸化用端子は一体に形成する。

【００３７】この場合、図示していないが、Ａｌゲート
電極３２、Ａｌ補助容量電極３３、及び、Ａｌゲート配
線層３４はテーパーエッチングする必要があるので、イ
オンミリング法によってパターニングする。

【００３８】図３（ｂ）参照次いで、フォトレジストマスクを除去したのち、紫外線
を照射して発生したオゾン利用したＵＶ／Ｏ₃処理によ
って、Ａｌゲート電極３２、Ａｌ補助容量電極３３、及
び、Ａｌゲート配線層３４の表面を清浄化し、次いで、
それらの表面にＴｉ膜をスパッタリング法によって堆積
させる。なお、ＵＶ／Ｏ₃処理の代わりに、３〜１１ｐ
ｐｍ程度のＯ₃を溶解させた純水で洗浄しても良い。

【００３９】次いで、Ｓ１８００シリーズ（シプレイ社
製）のフォトレジストを厚さ３．５μｍに塗布し、プロ
キシミティー露光をしたのち現像してフォトレジストマ
スク３６を形成し、次いで、１４０〜１６０℃でハード
ベークしてフォトレジストマスク３６を焼成する。

【００４０】次いで、フッ硝酸水溶液にＸｅガスを溶解
させたエッチング液を用いてＴｉ膜をパターニングして
ＴＡＢ端子圧着部にＡｌゲート配線層３４と接続するＴ
ｉパッド電極３５及び周辺接続部（図示せず）を形成す
る。この場合、Ｘｅガスの添加は、水分子のクラスター
形成能を高める、即ち、正の水和を行うためであり、イ
オンを水クラスター分子内に閉じ込めることによってイ
オンの解離率は低下する。

【００４１】このイオンの解離率の低下に伴って水素イ
オン濃度が低下するので、水素イオンによってＡｌゲー
ト電極３２、Ａｌ補助容量電極３３、及び、Ａｌゲート
配線層３４がエッチングされることがなく、精度の高い
選択エッチングを行うことができる。

【００４２】図４（ｃ）参照次いで、酒石酸アンモニウム３％水溶液にアンモニア水
を加えてｐＨを６．８０〜７．２０に調整した化成液に
Ｘｅガスを溶解させて、化成液の導電率を０．１〜２．
０Ｓ／ｍ（ジーメンス／メートル）、好適には、０．６
０Ｓ／ｍに調整したのち、Ａｌゲート電極３２、Ａｌ補
助容量電極３３、及び、Ａｌゲート配線層３４を形成し
たガラス基板３１を化成液中に浸漬し、直流電源により
電圧を印加することによってＡｌゲート電極３２、Ａｌ
補助容量電極３３、及び、Ａｌゲート配線層３４の表面
に陽極酸化膜３７を形成する。

【００４３】この場合、化成液にＸｅガスを溶解させる
ことによって、水分子のクラスター形成能を高め、イオ
ンを水クラスター分子内に閉じ込めることによって化成
液の導電率を０．６Ｓ／ｍ程度に低下させるものであ
る。

【００４４】また、陽極酸化工程においては、直流電源
より所定の電圧、例えば、１４０Ｖの電圧を印加し、電
流値が所定の値まで下がった時点を化成終了とするもの
であり、Ａｌゲート配線層３４の端部はＴｉパッド電極
３５及びフォトレジストマスク３６に覆われているので
酸化されることがなく、且つ、陽極酸化用端子は化成液
に漬かっていないので酸化されることはなく、さらに、
化成液の液面に位置する周辺接続部はＴｉ膜を介してフ
ォトレジストマスクで被覆されているので、酸化される
ことはない。

【００４５】次いで、水面の落下速度を速くすることで
薬液除去するクイックダンプリンス（ＱＤＲ）によって
ガラス基板３１を洗浄して化成液を除去したのち、レジ
スト剥離液、例えば、シプレイ社製１１６５を用いてフ
ォトレジストマスク３６を剥離し、次いで、再びクイッ
クダンプリンス（ＱＤＲ）によってガラス基板３１を洗
浄してエッチング液を除去したのち、ガラス基板３１を
１ｍｍ／秒程度の引き上げ速度でゆっくり引き上げて乾
燥させる常温水引き上げ乾燥を行う。なお、この場合、
４０℃〜８０℃の温水を使用する方法もあるが、陽極酸
化膜が水和劣化しやすいため、常温が好ましいものであ
る。

【００４６】なお、レジスト剥離液のシプレイ社製リム
ーバーＲ１１６５（商品名）は、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−
２−ピロリドン）とトリエタノールアミンを主成分とし
た薬液であり、Ａｌを腐食しにくいので、レジスト剥離
工程において、露出しているＡｌ配線層が腐食されるこ
とがない。

【００４７】図４（ｄ）参照次いで、全面にゲート窒化膜３８となる厚さ５００〜５
０００Å、好適には４０００ÅのＳｉ₃Ｎ₄膜、厚さ１
００〜３０００Å、好適には１５０Åのα−Ｓｉ膜（ア
モルファスシリコン膜）３９、チャネル保護層４０とな
る厚さ１２００ÅのＳｉ₃Ｎ₄膜をＰＣＶＤ法（プラズ
マＣＶＤ法）によって堆積させる。

【００４８】次いで、フォトレジスト（図示せず）を塗
布して、Ａｌゲート電極３２をマスクとしたＳＡ（セル
フアライン）露光及びステッパ露光を用いてパターニン
グすることによって、Ａｌゲート電極３２と整合するチ
ャネル保護層４０を形成する。

【００４９】図５参照次いで、チャネル保護層４０上のフォトレジスト（図示
せず）を剥離したのち、ＰＣＶＤ法によってコンタクト
層となる厚さ３００Åのｎ⁺型α−Ｓｉ膜４１を堆積さ
せ、次いで、スパッタリング法によってソース・ドレイ
ン電極となる厚さ８００ÅのＴｉ膜、厚さ１０００Åの
Ａｌ膜、及び、厚さ８００ÅのＴｉ膜を順次堆積させ
て、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ電極４２を形成する。

【００５０】次いで、Ｃｌ₂＋ＢＣｌ₃を反応ガスとし
たＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によってＴｉ／Ａ
ｌ／Ｔｉ電極４２乃至α−Ｓｉ膜３９を一括してパター
ニングしてソース領域４３、ドレイン領域４４、及び、
チャネル領域からなるＴＦＴ領域を形成したのち、Ｏ₂
ガスとＨ₂Ｏガスを用いてコロージョン（ｃｏｒｒｏｓ
ｉｏｎ）対策をおこなう。このＯ₂ガス＋Ｈ₂Ｏガスに
よって、残留反応ガス中のＣｌ^-を除去し、残留反応ガ
スの起因するＨＣｌによる腐食を防止することができ
る。

【００５１】図６参照次いで、ＰＣＶＤ法によって、パッシベーション膜とな
る厚さ３３００ÅのＳｉ₃Ｎ₄膜を堆積させて保護窒化
膜４５とし、Ｔｉパッド電極３５に対するコンタクトホ
ール４６に対応するパターンをプロキシミティ露光によ
って露光し、また、ソース領域４３に対するコンタクト
ホール４７に対応するパターンをステッパ露光で露光し
たフォトレジストマスク（図示せず）をマスクとして、
ＳＦ₆或いはＣＦ₄を反応ガスとしたＲＩＥによって保
護窒化膜４５を貫通するコンタクトホール４７、及び、
保護窒化膜４５とゲート窒化膜３８を貫通するコンタク
トホール４６を形成する。

【００５２】次いで、全面にＩＴＯ膜を堆積させ、ステ
ッパ露光により露光して現像したフォトレジストマスク
（図示せず）をマスクとし、シュウ酸水溶液をエッチン
グ液としてＩＴＯ膜をパターニングして、ＴＡＢ端子圧
着部においてＴｉパッド電極３５と接続するＩＴＯ電極
４８、及び、ＴＦＴ領域においてソース領域４３のＴｉ
／Ａｌ／Ｔｉ電極４２に接続する画素電極４９を形成し
て、薄膜トランジスタマトリクスが完成する。

【００５３】この様に、本発明においては、Ｘｅガスを
用いて化成液の導電率を調整するので、エチレングリコ
ールを用いた場合と同様に安定して絶縁性の高い良質の
陽極酸化膜を形成することができ、また、化成液の寿命
を長くすることができる。

【００５４】また、引火性のあるエチレングリコール
や、毒性の強いクロム酸を用いていないので、極めて安
全に陽極酸化膜を形成することができ、設備コストを低
減し、且つ、作業環境を良好なものとすることができ
る。

【００５５】また、ＴＡＢ端子圧着部周辺での陽極酸化
を制御性良く行なうことができるので、Ａｌ／Ｔｉ界面
を清浄に保ったままでＡｌ／Ｔｉ／ＩＴＯ構造を形成す
ることができ、したがって、ＴＡＢ端子圧着部における
コンタクト抵抗を低減することができる。

【００５６】また、陽極酸化用電極を、マザーガラス切
断時に切り取られる周辺接続配線層の一部を利用してい
るので、製造コストを大幅にあげることなくプロセスマ
ージンの広い薄膜装置の製造方法を提供することができ
る。

【００５７】なお、上記の本発明の実施の形態の説明に
おいては、Ｔｉ膜のエッチング工程において、フッ硝酸
水溶液を用いているが、フッ酸＋クエン酸アンモン、或
いは、フッ酸＋硝酸＋酢酸等のフッ酸を含む他の溶液を
用いても良い。

【００５８】また、上記の実施の形態においては、Ｔｉ
膜のエッチング工程において、フッ硝酸水溶液を用いた
ウェット・エッチングを行っているが、ＳＦ₆或いはＣ
Ｆ₄を反応ガスとしたＲＩＥによるドライ・エッチング
を用いても良い。

【００５９】また、上記の実施の形態においては、ゲー
ト電極等を形成するためにＡｌを用いているが、Ａｌに
限られるものではなく、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ
−Ｓｃ、或いは、Ａｌ−Ｔｉ−Ｂ等のＡｌを主成分とす
る合金を用いても良いものである。

【００６０】また、上記の実施の形態においては、パッ
ド電極としてＴｉを用いているが、Ｔｉに限られるもの
ではなく、Ｔｉ−Ｔａ、Ｔｉ−Ｗ等のＴｉを主成分とす
る合金を用いても良く、さらに、Ｔａ、或いは、Ｔａ−
Ｍｏ、Ｔａ−Ｔｉ等のＴａを主成分とする合金を用いて
も良いのであり、Ｔｉと同様の効果が得られる。

【００６１】さらに、上記の実施の形態においては、絶
縁性透明基板としてガラス基板を用いているが、このガ
ラス基板はできるだけ熱膨張係数の小さな石英ガラス基
板等が望ましい。

【００６２】

【発明の効果】本発明によれば、Ｘｅ等の希ガスを用い
て化成液の導電率を調整するので、陽極酸化工程等が安
全なものとなり、特別の防爆設備や薬液保管設備を必要
とすることがなく、また、高品質の陽極酸化膜を得るこ
とができるので、層間短絡がなく製造歩留りが向上する
ことができ、さらに、ＴＡＢ端子圧着部をＡｌ／Ｔｉ／
ＩＴＯ構造或いはＡｌ／Ｔａ／ＩＴＯ構造としたのでコ
ンタクト抵抗が低減し、ＴＡＢ実装のみではなく、ドラ
イバＩＣを基板に直接マウンとするＣＯＧ（Ｃｈｉｐ
ｏｎＧｌａｓｓ）実装においてもコンタクト抵抗の低
減が可能になるので、薄膜装置の性能が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施に用いる陽極酸化装置の概略的構
成の説明図である。

【図３】本発明の実施の形態の途中までの製造工程の説
明図である。

【図４】本発明の実施の形態の図３以降の製造工程の説
明図である。

【図５】本発明の実施の形態の図４以降の製造工程の説
明図である。

【図６】本発明の実施の形態の図５以降の製造工程の説
明図である。

【図７】従来の陽極酸化方法の説明図である。

【符号の説明】

１化成液２化成槽３絶縁基板４配線層５カソード６直流電源７希ガス８エアバルブ９導電率調整槽１０ポンプ１１化成液１２化成槽１３オーバーフロー槽１４Ａｌ配線層１５ガラス基板１６直流電源１７カソード１８排ガス１９局所排気口２０導電率調整槽２１レギュレータ２２エアバルブ２３エアバルブ２４Ｘｅガス２５導電率計２６圧力計２７ポンプ２８フィルタ３１ガラス基板３２Ａｌゲート電極３３Ａｌ補助容量電極３４Ａｌゲート配線層３５Ｔｉパッド電極３６フォトレジストマスク３７陽極酸化膜３８ゲート窒化膜３９ α−Ｓｉ膜４０チャネル保護層４１ｎ⁺型α−Ｓｉ膜４２Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ電極４３ソース領域４４ドレイン領域４５保護窒化膜４６コンタクトホール４７コンタクトホール４８ＩＴＯ電極４９画素電極５１ガラス基板５２Ａｌ配線層５３フォトレジストマスク５４液面５５段差５６サイドエッチング部５７直流電源５８陽極酸化膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基板上に配置された複数の配線層、
及び、前記配線層の陽極酸化膜を含む薄膜容量を有する
薄膜装置の製造方法において、前記配線層を陽極酸化す
る際に、化成液に正の水和をする希ガスを溶解させて陽
極酸化を行うことを特徴とする薄膜装置の製造方法。
【請求項２】上記化成液に溶解させる希ガスとして、
Ｘｅを用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜装置
の製造方法。
【請求項３】上記配線層がゲート配線層、ゲート電
極、及び、補助容量電極を構成する第１の導電層と、前
記ゲート配線層及び前記補助容量電極とに接続するゲー
ト端子及び周辺接続配線層を構成する第２の導電層とか
らなり、上記陽極酸化工程において、前記ゲート端子及
び周辺接続配線層の上に前記ゲート端子及び周辺接続配
線層のパターニング工程において用いたフォトレジスト
を残存させた状態で前記第１の導電層を陽極酸化するこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜装置の製
造方法。
【請求項４】上記第１の導電膜が、ＡｌまたはＡｌを
主成分とする合金からなり、また、上記第２の導電膜
が、ＴｉまたはＴｉを主成分とする合金からなり、前記
第２の導電膜をパターニングする際に、フッ酸を含むエ
ッチング液を用い、前記第１の導電膜に対して前記第２
の導電膜を選択的にエッチングすることを特徴とする請
求項３記載の薄膜装置の製造方法。
【請求項５】上記エッチング液に、正の水和をする希
ガスを溶解させることを特徴とする請求項４記載の薄膜
装置の製造方法。
【請求項６】上記エッチング液に溶解させる希ガス
が、Ｘｅであることを特徴とする請求項５記載の薄膜装
置の製造方法。