JPH06232430A - 光起電力装置の製法 - Google Patents
光起電力装置の製法Info
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- JPH06232430A JPH06232430A JP51A JP19975693A JPH06232430A JP H06232430 A JPH06232430 A JP H06232430A JP 51 A JP51 A JP 51A JP 19975693 A JP19975693 A JP 19975693A JP H06232430 A JPH06232430 A JP H06232430A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温で使用したばあいにおける裏面電極と透
明電極の接続部における金属電極の酸化が防止され、出
力特性の低下の少ない光起電力装置の製法を提供する。 【構成】 透光性基板上に積層された第１の電極、非晶
質半導体層および第２の電極からなり、光電変換領域が
複数個電気的に直列接続された光起電力装置の製法。非
晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第１の電
極の表面部分を水素プラズマまたは還元性溶液で還元
し、そののち第２の電極を形成する。
明電極の接続部における金属電極の酸化が防止され、出
力特性の低下の少ない光起電力装置の製法を提供する。 【構成】 透光性基板上に積層された第１の電極、非晶
質半導体層および第２の電極からなり、光電変換領域が
複数個電気的に直列接続された光起電力装置の製法。非
晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第１の電
極の表面部分を水素プラズマまたは還元性溶液で還元
し、そののち第２の電極を形成する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は耐熱性光起電力装置の製
法に関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
より、光起電力装置においては、たとえば透光性基板上
にＩＴＯ、ＩＴＯ／ＳｎＯ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどか
らなる金属酸化物が形成され透明電極として用いられて
おり、一方、半導体上にＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属層
が形成され裏面電極として用いられている。 【０００３】しかしながら、このようにして製造された
光起電力装置を高温で使用すると電気的接続のために設
けられた金属酸化物と金属が接続している部分の金属層
が酸化され、光起電力装置の出力特性が低下するという
問題がある。とくに酸化され易い金属を用いたばあいに
は、前記光起電力装置の出力特性の低下は著しくなる。 【０００４】本発明は、光起電力装置を高温で使用した
ばあいに生ずる電気的接続部分の金属層の酸化を防ぎ、
光起電力装置の出力特性の低下を少なくするためになさ
れたものである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明は、金属酸化物を
還元処理して金属酸化物電極の表面の金属組成を大きく
することを特徴とする光起電力装置の製法に関する。 【０００６】このばあい、通常は表面層の金属成分比が
内部の金属成分比の 1.2倍以上となるようにするのが好
ましい。そして還元され金属成分比が大きくなっている
層は10Å以上、好ましくは20〜30Å以上の厚さが必要で
ある。一方、金属成分比が90原子％以上のときは、 150
Å以下にするのが好ましい。 【０００７】 【実施例】本発明に用いる基板の例としては、半導体装
置の製造に用いられる一般的な透光性基板、たとえばガ
ラス、耐熱性高分子フィルムなどから成形された基板が
あげられる。 【０００８】前記基板上には電気的に分離されている第
１の電極である金属酸化物電極が形成される。この金属
酸化物電極はいわゆる透明電極であって、その具体例と
しては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどがあげられる。 【０００９】前記透光性基板上に電気的に分離されて形
成された透明電極の上に非晶質半導体が積層される。 【００１０】本発明において非晶質半導体とは、非晶質
半導体のみからなるものあるいは結晶質を含む非晶質半
導体のことである。その具体例としては、ａ−Ｓｉ：
Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ、μＣ−Ｓｉ：Ｈ
（微結晶）などがあげられる。 【００１１】本発明の製法によりえられる光起電力装置
は非晶質半導体層の一部を除去し金属酸化物電極を露出
させ、この露出した金属酸化物電極の裏面金属電極と接
続する側の表面の金属成分比が金属酸化物電極の他の部
分の金属成分比よりも大きくなるよう構成されている。
これは、還元性の気体、液により第１の電極の接続部を
処理することにより実現することができる。ところで、
金属成分比をとくに高くするときは、その層の厚さなど
を考慮して第１の電極層の透明性を著しく損うことのな
いようにする必要がある。金属成分比は通常の分析法、
たとえばＡＥＳで容易に測定することができる。 【００１２】前記非晶質半導体層の一部を除去する方法
としては、エネルギービーム法でもよいし、エッチング
法でもよいし、またリフトオフ法でもよい。 【００１３】第２の電極である裏面金属電極としては、
たとえばＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどがあげられる。この裏面
金属電極を分離することで複数個直列接続された光起電
力装置をうることができる。 【００１４】前記裏面金属電極を分離する方法として
は、エッチング法でもよいし、エネルギービーム法でも
よいしリフトオフ法でもよい。 【００１５】つぎに、図面にもとづき第１の電極の表面
部分を水素プラズマにて還元処理をする一実施例につい
て説明する。図１〜７は本発明の光起電力装置の製法の
一実施例の概略説明図である。 【００１６】まず、図１に示すようにたとえばガラス基
板である透光性基板１上にＳｎＯ2などの金属酸化物電
極２をＣＶＤ法などの方法により形成する。ついで図２
に示すようにレーザビームにより電極を分離する。そし
て、その上にグロー放電分解法などの方法により非晶質
半導体層３を堆積せしめる（図３参照）。 【００１７】そののち図４に示すようにレーザビームを
照射して非晶質半導体層３の一部を除去し金属酸化物電
極２を露出させる。そして、スパッタなどの真空装置を
用いて水素プラズマを発生させ前記露出せられた金属酸
化物電極２を還元し、図５に示すように還元層４を形成
する。 【００１８】水素プラズマの条件としては、水素流量30
〜300sccm 、チャンバー圧力 0.3〜３Torr、基板温度 1
80℃〜製膜温度、放電時間１〜10min 程度の条件があげ
られる。 【００１９】水素プラズマ処理を行なったのち図６に示
すように裏面電極５を形成する。そして図７に示すよう
に裏面電極５を分離すれば本発明にかかわる光起電力装
置が製造される。 【００２０】つぎに本発明の光起電力装置の製法を実施
例にもとづき説明する。 【００２１】実施例１ 厚さ 1.1mmの青板ガラス上に厚さ4500ÅのＳｎＯ2 透明
電極を設け、そののちレーザビームにより前記透明電極
を電気的に分離した基板を形成した。そののちグロー放
電分解法により、基板温度 200℃、圧力約 1.0Torrの条
件でｐ型非晶質ＳｉＣ：Ｈ／ｉ型非晶質Ｓｉ：Ｈ／ｎ型
微結晶質Ｓｉ：Ｈなる構成であって各層の厚さがそれぞ
れ 150Å、6000Å、 300Åのシリコン系半導体層を形成
した。そののち、レーザビームを用いて半導体層の一部
を除去し透明電極を露出せしめた。 【００２２】そののちスパッタ装置を用いて水素プラズ
マを発生させ、露出した透明電極の表面を還元させた。
これにより表面部はほとんど金属Ｓｎとなった。そして
Ａｌ電極を5000Åの厚さになるようにスパッタリング法
により形成し、化学エッチングによりパターン化し同一
面内に16個の太陽電池が直列に接続された太陽電池を製
造した。この太陽電池１個の有効面積は約 8.75 cm2 で
合計の有効面積は約 140cm2 であった。 【００２３】えられた16個の太陽電池を直列に接続した
太陽電池の特性および 150℃で10時間加熱したのちの該
太陽電池の第１表に示す特性をＡＭ−１、 100mV／cm2
のソーラーシュミレーターを用いて測定した。その結果
を表１に示す。 【００２４】実施例２ 水素プラズマで透明電極を還元させるかわりに次亜リン
酸溶液を用いて透明電極を還元させる以外は実施例１と
同様にて太陽電池を製造し、えられた太陽電池特性を測
定した。その結果を表１に示す。 【００２５】比較例１ 水素プラズマで透明電極を還元させなかった以外は実施
例１と同様にして太陽電池を製造し、実施例１と同様の
項目について測定を行った。その結果を表１に示す。 【００２６】 【表１】 【００２７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
光起電力装置を製造するばあいに、透明電極の表面を還
元処理しているので、光起電力装置を高温で使用したば
あいにおいても裏面電極と透明電極の接続部における金
属電極の酸化が防止され、その結果光起電力装置の出力
特性の低下を少なくすることができるという効果があ
る。
法に関する。 【０００２】 【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
より、光起電力装置においては、たとえば透光性基板上
にＩＴＯ、ＩＴＯ／ＳｎＯ2 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどか
らなる金属酸化物が形成され透明電極として用いられて
おり、一方、半導体上にＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属層
が形成され裏面電極として用いられている。 【０００３】しかしながら、このようにして製造された
光起電力装置を高温で使用すると電気的接続のために設
けられた金属酸化物と金属が接続している部分の金属層
が酸化され、光起電力装置の出力特性が低下するという
問題がある。とくに酸化され易い金属を用いたばあいに
は、前記光起電力装置の出力特性の低下は著しくなる。 【０００４】本発明は、光起電力装置を高温で使用した
ばあいに生ずる電気的接続部分の金属層の酸化を防ぎ、
光起電力装置の出力特性の低下を少なくするためになさ
れたものである。 【０００５】 【課題を解決するための手段】本発明は、金属酸化物を
還元処理して金属酸化物電極の表面の金属組成を大きく
することを特徴とする光起電力装置の製法に関する。 【０００６】このばあい、通常は表面層の金属成分比が
内部の金属成分比の 1.2倍以上となるようにするのが好
ましい。そして還元され金属成分比が大きくなっている
層は10Å以上、好ましくは20〜30Å以上の厚さが必要で
ある。一方、金属成分比が90原子％以上のときは、 150
Å以下にするのが好ましい。 【０００７】 【実施例】本発明に用いる基板の例としては、半導体装
置の製造に用いられる一般的な透光性基板、たとえばガ
ラス、耐熱性高分子フィルムなどから成形された基板が
あげられる。 【０００８】前記基板上には電気的に分離されている第
１の電極である金属酸化物電極が形成される。この金属
酸化物電極はいわゆる透明電極であって、その具体例と
しては、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯなどがあげられる。 【０００９】前記透光性基板上に電気的に分離されて形
成された透明電極の上に非晶質半導体が積層される。 【００１０】本発明において非晶質半導体とは、非晶質
半導体のみからなるものあるいは結晶質を含む非晶質半
導体のことである。その具体例としては、ａ−Ｓｉ：
Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−ＳｉＮ：Ｈ、μＣ−Ｓｉ：Ｈ
（微結晶）などがあげられる。 【００１１】本発明の製法によりえられる光起電力装置
は非晶質半導体層の一部を除去し金属酸化物電極を露出
させ、この露出した金属酸化物電極の裏面金属電極と接
続する側の表面の金属成分比が金属酸化物電極の他の部
分の金属成分比よりも大きくなるよう構成されている。
これは、還元性の気体、液により第１の電極の接続部を
処理することにより実現することができる。ところで、
金属成分比をとくに高くするときは、その層の厚さなど
を考慮して第１の電極層の透明性を著しく損うことのな
いようにする必要がある。金属成分比は通常の分析法、
たとえばＡＥＳで容易に測定することができる。 【００１２】前記非晶質半導体層の一部を除去する方法
としては、エネルギービーム法でもよいし、エッチング
法でもよいし、またリフトオフ法でもよい。 【００１３】第２の電極である裏面金属電極としては、
たとえばＡｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどがあげられる。この裏面
金属電極を分離することで複数個直列接続された光起電
力装置をうることができる。 【００１４】前記裏面金属電極を分離する方法として
は、エッチング法でもよいし、エネルギービーム法でも
よいしリフトオフ法でもよい。 【００１５】つぎに、図面にもとづき第１の電極の表面
部分を水素プラズマにて還元処理をする一実施例につい
て説明する。図１〜７は本発明の光起電力装置の製法の
一実施例の概略説明図である。 【００１６】まず、図１に示すようにたとえばガラス基
板である透光性基板１上にＳｎＯ2などの金属酸化物電
極２をＣＶＤ法などの方法により形成する。ついで図２
に示すようにレーザビームにより電極を分離する。そし
て、その上にグロー放電分解法などの方法により非晶質
半導体層３を堆積せしめる（図３参照）。 【００１７】そののち図４に示すようにレーザビームを
照射して非晶質半導体層３の一部を除去し金属酸化物電
極２を露出させる。そして、スパッタなどの真空装置を
用いて水素プラズマを発生させ前記露出せられた金属酸
化物電極２を還元し、図５に示すように還元層４を形成
する。 【００１８】水素プラズマの条件としては、水素流量30
〜300sccm 、チャンバー圧力 0.3〜３Torr、基板温度 1
80℃〜製膜温度、放電時間１〜10min 程度の条件があげ
られる。 【００１９】水素プラズマ処理を行なったのち図６に示
すように裏面電極５を形成する。そして図７に示すよう
に裏面電極５を分離すれば本発明にかかわる光起電力装
置が製造される。 【００２０】つぎに本発明の光起電力装置の製法を実施
例にもとづき説明する。 【００２１】実施例１ 厚さ 1.1mmの青板ガラス上に厚さ4500ÅのＳｎＯ2 透明
電極を設け、そののちレーザビームにより前記透明電極
を電気的に分離した基板を形成した。そののちグロー放
電分解法により、基板温度 200℃、圧力約 1.0Torrの条
件でｐ型非晶質ＳｉＣ：Ｈ／ｉ型非晶質Ｓｉ：Ｈ／ｎ型
微結晶質Ｓｉ：Ｈなる構成であって各層の厚さがそれぞ
れ 150Å、6000Å、 300Åのシリコン系半導体層を形成
した。そののち、レーザビームを用いて半導体層の一部
を除去し透明電極を露出せしめた。 【００２２】そののちスパッタ装置を用いて水素プラズ
マを発生させ、露出した透明電極の表面を還元させた。
これにより表面部はほとんど金属Ｓｎとなった。そして
Ａｌ電極を5000Åの厚さになるようにスパッタリング法
により形成し、化学エッチングによりパターン化し同一
面内に16個の太陽電池が直列に接続された太陽電池を製
造した。この太陽電池１個の有効面積は約 8.75 cm2 で
合計の有効面積は約 140cm2 であった。 【００２３】えられた16個の太陽電池を直列に接続した
太陽電池の特性および 150℃で10時間加熱したのちの該
太陽電池の第１表に示す特性をＡＭ−１、 100mV／cm2
のソーラーシュミレーターを用いて測定した。その結果
を表１に示す。 【００２４】実施例２ 水素プラズマで透明電極を還元させるかわりに次亜リン
酸溶液を用いて透明電極を還元させる以外は実施例１と
同様にて太陽電池を製造し、えられた太陽電池特性を測
定した。その結果を表１に示す。 【００２５】比較例１ 水素プラズマで透明電極を還元させなかった以外は実施
例１と同様にして太陽電池を製造し、実施例１と同様の
項目について測定を行った。その結果を表１に示す。 【００２６】 【表１】 【００２７】 【発明の効果】以上説明したように、本発明においては
光起電力装置を製造するばあいに、透明電極の表面を還
元処理しているので、光起電力装置を高温で使用したば
あいにおいても裏面電極と透明電極の接続部における金
属電極の酸化が防止され、その結果光起電力装置の出力
特性の低下を少なくすることができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図２】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図３】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図４】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図５】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図６】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図７】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【符号の説明】 １ 透光性基板 ２ 第１の電極 ３ 非晶質半導体層 ５ 第２の電極
説明図である。 【図２】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図３】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図４】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図５】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図６】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【図７】本発明の光起電力装置の製法の一実施例の概略
説明図である。 【符号の説明】 １ 透光性基板 ２ 第１の電極 ３ 非晶質半導体層 ５ 第２の電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透光性基板上に積層された第１の電極、非晶質半導
体層および第２の電極からなり、光電変換領域が複数個
電気的に直列接続された光起電力装置の製法であって、
前記非晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第
１の電極の表面部分を水素プラズマで還元し、そののち
第２の電極を形成することを特徴とする光起電力装置の
製法。 ２ 透光性基板上に積層された第１の電極、非晶質半導
体層および第２の電極からなり、光電変換領域が複数個
電気的に直列接続された光起電力装置の製法であって、
前記非晶質半導体層の一部を除去したのち、露出した第
１の電極の表面部分を還元性溶液で還元し、そののち第
２の電極を形成することを特徴とする光起電力装置の製
法。 ３ 透光性基板上に第１の電極を形成し、該第１の電極
の透光性基板と反対側の表面層を水素プラズマで還元
し、前記表面層の金属成分比が第１の電極の他の部分の
金属成分比より大きくすることを特徴とする光起電力装
置の製法。 ４ 透光性基板上に第１の電極を形成し、該第１の電極
の透光性基板と反対側の表面層を還元性溶液で還元し、
前記表面層の金属成分比が第１の電極の他の部分の金属
成分比より大きくすることを特徴とする光起電力装置の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51A JPH06232430A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 光起電力装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51A JPH06232430A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 光起電力装置の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62043712A Division JPH065771B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 光起電力装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232430A true JPH06232430A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=16413107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51A Pending JPH06232430A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | 光起電力装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001036103A (ja) * | 1999-07-15 | 2001-02-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | アモルファスシリコン系薄膜光電変換装置 |
| US10236401B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-03-19 | Panasonic Corporation | Solar cell module and method of producing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100979A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPS61164274A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JPS61164273A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP51A patent/JPH06232430A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61100979A (ja) * | 1984-10-22 | 1986-05-19 | シーメンス ソーラー インダストリーズ，エル．ピー． | 薄膜太陽電池の製造方法 |
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