JPH02158175A - 光導電素子を製造する方法 - Google Patents
光導電素子を製造する方法Info
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- JPH02158175A JPH02158175A JP1207067A JP20706789A JPH02158175A JP H02158175 A JPH02158175 A JP H02158175A JP 1207067 A JP1207067 A JP 1207067A JP 20706789 A JP20706789 A JP 20706789A JP H02158175 A JPH02158175 A JP H02158175A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 74
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910000878 H alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 2
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 diborane Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 24
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/407—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は一般に光導電素子の技術に関するものであり、
より詳しくは、酸化亜鉛透明導体を、該導体層上へのケ
イ素−水素合金薄膜の付着に先立って、酸素グロー放電
処理する方法に関する。
より詳しくは、酸化亜鉛透明導体を、該導体層上へのケ
イ素−水素合金薄膜の付着に先立って、酸素グロー放電
処理する方法に関する。
光導電素子は一般に、光にさらしたとき電位を発生しう
る光導電体と、この光導電体の照射によって発生する電
流をとり出すのに有効な接合面とから成る。そのような
素子は光起電力素子もつと普通には太陽電池と呼ばれる
素子を含み、この光起電力素子内には、シラン中でのグ
ロー放電によって形成されるケイ素−水素合金材料薄膜
から能動構造物が形成される。米国特許第4,623,
601号明細書には、いくつかの種類のそのような素子
が開示されている。該明細書のすべての記載事項を本明
細書で参照する。米国特許第4,623,601号明細
書に開示されている好ましい構造は、ガラス基板、酸化
亜鉛透明導体、pin薄膜ケイ素(TFS ) 、光起
電力構造物、およびやはり酸化亜鉛から成る裏接合面、
を含む。
る光導電体と、この光導電体の照射によって発生する電
流をとり出すのに有効な接合面とから成る。そのような
素子は光起電力素子もつと普通には太陽電池と呼ばれる
素子を含み、この光起電力素子内には、シラン中でのグ
ロー放電によって形成されるケイ素−水素合金材料薄膜
から能動構造物が形成される。米国特許第4,623,
601号明細書には、いくつかの種類のそのような素子
が開示されている。該明細書のすべての記載事項を本明
細書で参照する。米国特許第4,623,601号明細
書に開示されている好ましい構造は、ガラス基板、酸化
亜鉛透明導体、pin薄膜ケイ素(TFS ) 、光起
電力構造物、およびやはり酸化亜鉛から成る裏接合面、
を含む。
米国特許第4,751.149号明細書のすべての記載
事項も本明細書で参照する。米国特許第4,751,1
49号明細書では低付着温度において高導電性の透明酸
化亜鉛薄膜を付着させるのに好ましい方法が開示されて
いる。
事項も本明細書で参照する。米国特許第4,751,1
49号明細書では低付着温度において高導電性の透明酸
化亜鉛薄膜を付着させるのに好ましい方法が開示されて
いる。
上で引用した二つの特許明細書によって示されるように
、TFSタイプ太陽電池の性能を改良するためにかなり
の努力がなされて来た。一般に、この努力は、薄膜タイ
プの構造物の製造コストは最終的に従来の単結晶タイプ
の太陽電池の製造コストよりも低くなるはずであるとい
う信念にもとづ゛いている。しかし、薄膜タイプ太陽電
池の性能は、通常のように日光の電気への変換効率によ
って評価した場合、単結晶電池の性能よりも低い。した
がって、薄膜タイプの電池の領斌における大部分の研究
と開発の努力は電池効率の向上に向けられて来ている。
、TFSタイプ太陽電池の性能を改良するためにかなり
の努力がなされて来た。一般に、この努力は、薄膜タイ
プの構造物の製造コストは最終的に従来の単結晶タイプ
の太陽電池の製造コストよりも低くなるはずであるとい
う信念にもとづ゛いている。しかし、薄膜タイプ太陽電
池の性能は、通常のように日光の電気への変換効率によ
って評価した場合、単結晶電池の性能よりも低い。した
がって、薄膜タイプの電池の領斌における大部分の研究
と開発の努力は電池効率の向上に向けられて来ている。
本発明の目的は、改良された光起電力変換効率を有する
薄膜ケイ素−水素合金光導電素子を製造する改良された
方法を提供することである。
薄膜ケイ素−水素合金光導電素子を製造する改良された
方法を提供することである。
本発明は、酸化亜鉛導電層を基板上に付着させて光導電
素子の一つの接合面を形成させ、また薄膜ケイ素−水素
合金の一つ以上の層を前記酸化亜鉛薄膜上に付着させて
能動光導電性構造物全形成させるタイプの太陽電池製造
の改良された方法から成る。改良は、@1の薄膜ケイ素
−水素合金層を酸化亜鉛薄膜上に付着させる前にrR索
源を含むガス中でグロー放電により酸化亜鉛薄膜を処理
するということから成る。
素子の一つの接合面を形成させ、また薄膜ケイ素−水素
合金の一つ以上の層を前記酸化亜鉛薄膜上に付着させて
能動光導電性構造物全形成させるタイプの太陽電池製造
の改良された方法から成る。改良は、@1の薄膜ケイ素
−水素合金層を酸化亜鉛薄膜上に付着させる前にrR索
源を含むガス中でグロー放電により酸化亜鉛薄膜を処理
するということから成る。
第1図に、本発明の方法の使用により性能が改良された
タイプの光電池構造物を示す。第1図に示す構造物は、
前述の米国特許第4,623,60f号明細書の第1図
に示されているものと同じである。
タイプの光電池構造物を示す。第1図に示す構造物は、
前述の米国特許第4,623,60f号明細書の第1図
に示されているものと同じである。
第1図の素子10は、基板1またとえばガラス、酸化亜
鉛から成る透明導電層12、および複合TFS層13を
含む。層13は、2層14.1層15、およびn層16
を含む。層16に隣接して第2の導電層17が存在し、
層17はこの好ましい実施例においさはり酸化亜鉛の透
明導電層である。
鉛から成る透明導電層12、および複合TFS層13を
含む。層13は、2層14.1層15、およびn層16
を含む。層16に隣接して第2の導電層17が存在し、
層17はこの好ましい実施例においさはり酸化亜鉛の透
明導電層である。
第1図に示すように、光は基板11と前面電極12を通
過して光起電力構造物13に入射する。したがってこの
実施例の場合、基板11は透明でなければならず、一般
にガラスシートから成るが、適当な透明プラスチック材
料も使用することができる。
過して光起電力構造物13に入射する。したがってこの
実施例の場合、基板11は透明でなければならず、一般
にガラスシートから成るが、適当な透明プラスチック材
料も使用することができる。
強度、望ましい光学的特性、および耐環境安定度の点か
らガラスが好ましい。周知のように、基板とは反対側か
ら光が入射する光起電力構造物も製造することができ、
その場合、基板11は透明である必要はない。単一電池
素子の場合、基板11は、素子が通常いくつかの直列接
続電池となるように構成されるモジュール使用で一般に
必要とされる場合と異なり、必ずしも電気絶縁体である
必要はない。
らガラスが好ましい。周知のように、基板とは反対側か
ら光が入射する光起電力構造物も製造することができ、
その場合、基板11は透明である必要はない。単一電池
素子の場合、基板11は、素子が通常いくつかの直列接
続電池となるように構成されるモジュール使用で一般に
必要とされる場合と異なり、必ずしも電気絶縁体である
必要はない。
米国特許第4,623,601号明細書に述べであるよ
うに、酸化亜鉛層12および17はスパッタリング法に
よって付着させることができる。しかし、この好ましい
実施例の場合、二つの層12および17は、米国特許第
4,751.149号明細書に述べである化学蒸着法に
よって付着させた酸化亜鉛である。もつと詳しく言うと
、この好ましい実施例と以下に示す例とにおける酸化亜
鉛は、不活性キャリアガス中のジエチル亜鉛(C意Ha
)*Zn1ジボランBzH+、および水蒸気を使用する
ことによって付着させた。
うに、酸化亜鉛層12および17はスパッタリング法に
よって付着させることができる。しかし、この好ましい
実施例の場合、二つの層12および17は、米国特許第
4,751.149号明細書に述べである化学蒸着法に
よって付着させた酸化亜鉛である。もつと詳しく言うと
、この好ましい実施例と以下に示す例とにおける酸化亜
鉛は、不活性キャリアガス中のジエチル亜鉛(C意Ha
)*Zn1ジボランBzH+、および水蒸気を使用する
ことによって付着させた。
米国特許第4.751.149号明細書に述べであるよ
うに、これらの材料により、透明性と導電性とが高いホ
ウ素添加酸化亜鉛の薄膜を低い温度で成長させることが
できる。
うに、これらの材料により、透明性と導電性とが高いホ
ウ素添加酸化亜鉛の薄膜を低い温度で成長させることが
できる。
TFS構造物13のあらゆる部分の付着前に、酸化亜鉛
薄膜12を、酸素源を含むガス中でグロー放電により処
理する。下記の例で示されるように、この酸素φグロー
放電処理により、そのように処理された酸化亜鉛薄膜上
に付着させられるTFS太陽電池の効率が改良されると
いうことがわかった。
薄膜12を、酸素源を含むガス中でグロー放電により処
理する。下記の例で示されるように、この酸素φグロー
放電処理により、そのように処理された酸化亜鉛薄膜上
に付着させられるTFS太陽電池の効率が改良されると
いうことがわかった。
研究により、この性能改良のいくつかの原因が示唆され
た。場合によっては、酸化亜鉛付着工程中に、純亜鉛の
シードまたは結晶が薄膜120表面に形成される。酸素
グロー放電工程により、この元素亜鉛が酸化されて酸化
亜鉛が形成される。付着させたままの酸化亜鉛薄膜は、
その表面において、亜鉛原子と酸素原子が交互に積重な
った状態で終ると考えられる。TFSは酸素原子に対し
て強い結合を形成するが、亜鉛原子はケイ素に対して十
分な共有結合を形成することができず、界面にダングリ
ングボンドまたはイオン結合を残す。界面状態の存在は
、電池性能を低下させるキャリア再結合中心として働き
うる。しかし、酸素グロー放電処理のあとでは、酸化亜
鉛薄膜の表面は酸素原子のみで覆われることになるはず
である。したがって、TFS付着の際に、すべてのケイ
素原子は直接に酸素と結合し、弱いケイ素−亜鉛結合が
避けられることになるであろう。また、酸素グロー放電
処理により、酸化亜鉛薄膜の表面から汚染物が除去され
、ケイ素薄膜との接合が良くなる。とにかく、酸素グロ
ー放電処理により、酸化亜鉛被覆基板上に作られるTF
S光導電素子の性能が大きく改良される。
た。場合によっては、酸化亜鉛付着工程中に、純亜鉛の
シードまたは結晶が薄膜120表面に形成される。酸素
グロー放電工程により、この元素亜鉛が酸化されて酸化
亜鉛が形成される。付着させたままの酸化亜鉛薄膜は、
その表面において、亜鉛原子と酸素原子が交互に積重な
った状態で終ると考えられる。TFSは酸素原子に対し
て強い結合を形成するが、亜鉛原子はケイ素に対して十
分な共有結合を形成することができず、界面にダングリ
ングボンドまたはイオン結合を残す。界面状態の存在は
、電池性能を低下させるキャリア再結合中心として働き
うる。しかし、酸素グロー放電処理のあとでは、酸化亜
鉛薄膜の表面は酸素原子のみで覆われることになるはず
である。したがって、TFS付着の際に、すべてのケイ
素原子は直接に酸素と結合し、弱いケイ素−亜鉛結合が
避けられることになるであろう。また、酸素グロー放電
処理により、酸化亜鉛薄膜の表面から汚染物が除去され
、ケイ素薄膜との接合が良くなる。とにかく、酸素グロ
ー放電処理により、酸化亜鉛被覆基板上に作られるTF
S光導電素子の性能が大きく改良される。
酸素グロー放電処理後、TFSt*造物13を酸化亜鉛
薄膜12上に付着させる。好ましくは、TFsは酸化亜
鉛薄膜12を酸素グロー放電で処理するのに使用するグ
ロー放電真空装置内で付着させる。好ましくは、真空は
酸素グロー放電処理後破らないで薄膜12の表面が大気
中の汚染物にさらされる機会がないようにする。TFS
層14 、15および16は、当業者には周知のように
、シランならびに適当な希釈剤および添加ガス中でのグ
ロー放電によって付着させる。前述の米国特許第4,6
23,601号明細書には1例として明確な付着パラメ
ータが示しであるO 裏面導体17は酸化亜鉛とするのが好ましく、前述のよ
うな、スパッタリング法または化学蒸着法によって付着
させることができる。または、裏接合面17は導電金属
たとえばアルミニウムとすることができ、蒸着、スパッ
タリングその他の周知の方法によって付着させることが
できる。
薄膜12上に付着させる。好ましくは、TFsは酸化亜
鉛薄膜12を酸素グロー放電で処理するのに使用するグ
ロー放電真空装置内で付着させる。好ましくは、真空は
酸素グロー放電処理後破らないで薄膜12の表面が大気
中の汚染物にさらされる機会がないようにする。TFS
層14 、15および16は、当業者には周知のように
、シランならびに適当な希釈剤および添加ガス中でのグ
ロー放電によって付着させる。前述の米国特許第4,6
23,601号明細書には1例として明確な付着パラメ
ータが示しであるO 裏面導体17は酸化亜鉛とするのが好ましく、前述のよ
うな、スパッタリング法または化学蒸着法によって付着
させることができる。または、裏接合面17は導電金属
たとえばアルミニウムとすることができ、蒸着、スパッ
タリングその他の周知の方法によって付着させることが
できる。
10c++wX10mの寸法のガラス基板上にTFS電
池を作ることによって、本発明を試験した。厚さ1.8
丸で面積抵抗約7Ω/口(オーム/スクエア〕の酸化亜
鉛薄膜を、前述の化学蒸着法によって前記基板上に付着
させた。基板は真空室内に配置し、圧力を鵠ミリトルま
で低下させた。基板を205℃に加熱した。02流量を
6 SCCM (cIL!(標準状態)7分)としてか
ら、13.56MHzで30Wの高周波電力を加えて、
40mX40cfnの寸法の電極間でグロー放電を発生
させた。この試験においては、試料を、0.1,5,3
.および6分間処理した。次に、02グロー放電後真空
を破ることなく、すべての試料に、酸化亜鉛上に付着さ
せた同一のpin TFS熱起電力構造物を作った。こ
れらの素子を酸化亜鉛層接合面の付着により完成させ、
次に最大電力において熱起電力変換効率を試験した。0
2グロー放電により1.5分間処理した素子は8.71
〜8.73 %の効率を有していた。02グロー放電に
より3および6分間処理した試料のいくつかはこれより
もわずかに高い効率を有していた。0分間処理した試料
すなわち0、グロー放電処理を受けなかった試料は、8
.03〜8.27 %の効率を有していた。これらの結
果から見て、最適の02グロ一放電処理時間は1.5分
よりも小さい時間であると思われる。すなわち、実質的
にすべての性能改良は0!グロー放電処理の最初の1.
5分以内に達成されると考えられ、また製造コストを最
小限におさえるためには最小の処理時間が好ましいから
である。
池を作ることによって、本発明を試験した。厚さ1.8
丸で面積抵抗約7Ω/口(オーム/スクエア〕の酸化亜
鉛薄膜を、前述の化学蒸着法によって前記基板上に付着
させた。基板は真空室内に配置し、圧力を鵠ミリトルま
で低下させた。基板を205℃に加熱した。02流量を
6 SCCM (cIL!(標準状態)7分)としてか
ら、13.56MHzで30Wの高周波電力を加えて、
40mX40cfnの寸法の電極間でグロー放電を発生
させた。この試験においては、試料を、0.1,5,3
.および6分間処理した。次に、02グロー放電後真空
を破ることなく、すべての試料に、酸化亜鉛上に付着さ
せた同一のpin TFS熱起電力構造物を作った。こ
れらの素子を酸化亜鉛層接合面の付着により完成させ、
次に最大電力において熱起電力変換効率を試験した。0
2グロー放電により1.5分間処理した素子は8.71
〜8.73 %の効率を有していた。02グロー放電に
より3および6分間処理した試料のいくつかはこれより
もわずかに高い効率を有していた。0分間処理した試料
すなわち0、グロー放電処理を受けなかった試料は、8
.03〜8.27 %の効率を有していた。これらの結
果から見て、最適の02グロ一放電処理時間は1.5分
よりも小さい時間であると思われる。すなわち、実質的
にすべての性能改良は0!グロー放電処理の最初の1.
5分以内に達成されると考えられ、また製造コストを最
小限におさえるためには最小の処理時間が好ましいから
である。
本明細書で使用する言葉“酸素グロー放電処理1という
のは、酸素を含む低圧の雰囲気において高周波で駆動さ
れるグロー放電をさす、実施例においては酸素のみを使
用した。しかし、酸素と、不活性ガスたとえばアルゴン
またはヘリウムとの混合物も有効に作用するはずであり
、かつ純粋の酸素よりも取扱いの安全性が高い。酸素と
窒素との混合物、おそらくは清浄な空気でさえも、必要
な酸素源となるであろう。本発明の初期試験においては
、ろ過した室内空気を使用し、背定的な結果を得た。他
のグロー放電駆動法たとえばDCによるものも有効であ
る。
のは、酸素を含む低圧の雰囲気において高周波で駆動さ
れるグロー放電をさす、実施例においては酸素のみを使
用した。しかし、酸素と、不活性ガスたとえばアルゴン
またはヘリウムとの混合物も有効に作用するはずであり
、かつ純粋の酸素よりも取扱いの安全性が高い。酸素と
窒素との混合物、おそらくは清浄な空気でさえも、必要
な酸素源となるであろう。本発明の初期試験においては
、ろ過した室内空気を使用し、背定的な結果を得た。他
のグロー放電駆動法たとえばDCによるものも有効であ
る。
以上、本発明を特定の熱起電力構造物の特定製造法につ
いて記述、説明したが、本発明の範囲内においているい
ろな変形が可能であると理解すべきである。
いて記述、説明したが、本発明の範囲内においているい
ろな変形が可能であると理解すべきである。
第1図は、本発明の方法の使用により製造することので
きる、性能が改良された光導電素子の横断面図である。 図中、10は光導電素子、11は基板、12は酸化亜鉛
透明導電層、13は複合薄膜ケイ素(TFS )層、1
4はp層、15は1層、16はn層、17は第2の導電
層。 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 信1名
きる、性能が改良された光導電素子の横断面図である。 図中、10は光導電素子、11は基板、12は酸化亜鉛
透明導電層、13は複合薄膜ケイ素(TFS )層、1
4はp層、15は1層、16はn層、17は第2の導電
層。 代理人 弁理士 秋 沢 政 光 信1名
Claims (13)
- (1)ZnOから成る第1の導電層を基板に付着させ、
ケイ素−水素合金の薄膜を前記第1の導電層に付着させ
る、光導電素子を製造する方法であって、ZnOから成
る前記第1の導電層を前記基板に付着させたあと、前記
第1の導電層を、酸素源を含むガス中でグロー放電によ
って処理することを特徴とする光導電素子を製造する方
法。 - (2)前記第1の導電層を、酸素源を含むガス中でグロ
ー放電によって処理したあと、真空を破ることなく、前
記ケイ素−水素合金の薄膜を、シラン中のグロー放電に
よって付着させる工程をさらに含む請求項1記載の方法
。 - (3)前記ガスが酸素から成る請求項1記載の方法。
- (4)前記ガスが酸素と不活性ガスとの混合物から成る
請求項1記載の方法。 - (5)前記不活性ガスがアルゴン、ヘリウム、または窒
素のうち一つ以上を含む請求項4記載の方法。 - (6)前記ガスが空気から成る請求項1記載の方法。
- (7)光起電力素子を製造する方法であって、酸化亜鉛
の薄膜を基板上に付着させて、第1の集電接合面を形成
させ、 前記酸化亜鉛の薄膜を、酸素源を含むガス中でグロー放
電によって処理し、 前記酸化亜鉛の薄膜上に、水素および導電率変化ドーパ
ントのうち一つ以上を含む少くとも一層のケイ素薄膜を
付着させて、光起電力構造物を形成させ、 前記光起電力構造物上に導電薄膜を付着させて、第2の
集電接合面を形成させる ことを特徴とする光起電力素子を製造する方法。 - (8)前記ガスが酸素から成る請求項7記載の方法。
- (9)前記ガスが酸素と不活性ガスとの混合物から成る
請求項7記載の方法。 - (10)前記不活性ガスがアルゴン、ヘリウム、または
窒素のうち一つ以上を含む請求項9記載の方法。 - (11)前記酸化亜鉛の薄膜が不活性キャリアガス中の
ジエチル亜鉛、ジボラン、および水蒸気から化学蒸着に
よって付着させられる請求項7記載の方法。 - (12)前記第2の集電接合面が導電性酸化亜鉛薄膜か
ら成る請求項7記載の方法。 - (13)前記ガスが空気から成る請求項7記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US07/273,453 US4873118A (en) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell |
US273453 | 1988-11-18 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02158175A true JPH02158175A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=23044007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1207067A Pending JPH02158175A (ja) | 1988-11-18 | 1989-08-11 | 光導電素子を製造する方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4873118A (ja) |
EP (1) | EP0371582A1 (ja) |
JP (1) | JPH02158175A (ja) |
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1989
- 1989-08-11 JP JP1207067A patent/JPH02158175A/ja active Pending
- 1989-08-16 EP EP89308320A patent/EP0371582A1/en not_active Withdrawn
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