SE508676C2 - Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller - Google Patents

Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller

Info

Publication number
SE508676C2
SE508676C2 SE9403609A SE9403609A SE508676C2 SE 508676 C2 SE508676 C2 SE 508676C2 SE 9403609 A SE9403609 A SE 9403609A SE 9403609 A SE9403609 A SE 9403609A SE 508676 C2 SE508676 C2 SE 508676C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
layer
sodium
cuinse2
alkali metal
potassium
Prior art date
Application number
SE9403609A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9403609D0 (sv
SE9403609L (sv
Inventor
Marika Bodegaard
Jonas Hedstroem
Lars Stolt
Original Assignee
Nordic Solar Energy Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nordic Solar Energy Ab filed Critical Nordic Solar Energy Ab
Priority to SE9403609A priority Critical patent/SE508676C2/sv
Publication of SE9403609D0 publication Critical patent/SE9403609D0/sv
Priority to DE69529529T priority patent/DE69529529T2/de
Priority to US08/817,693 priority patent/US5994163A/en
Priority to JP51383596A priority patent/JP3690807B2/ja
Priority to AU38205/95A priority patent/AU3820595A/en
Priority to ES95936166T priority patent/ES2191716T3/es
Priority to EP95936166A priority patent/EP0787354B1/en
Priority to PCT/SE1995/001242 priority patent/WO1996013063A1/en
Publication of SE9403609L publication Critical patent/SE9403609L/sv
Publication of SE508676C2 publication Critical patent/SE508676C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/44—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/38 - H01L21/428
    • H01L21/441—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes
    • H01L21/443—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

508 676 2 innefattande alkalimetallen natrium (Na) eller kalium (K) att bildas ovanpå strukturen före det att CuInSe2-skiktet påläg- ges.
Med ett kopparindiumselenid-skikt menas i detta sammanhang och i patentkraven ett kopparindiumselenid-skikt med olika sammansättningar och med olika legeringsämnen, främst gallium och svavel. Främst avses med kopparindiumselenid föreningarna CuInSe2, CuInxGa1_xSe2 och CuInxGa1_xSySe2_Y.
Nedan beskrives dock uppfinningen med ett kopparindiumsele- nid-skikt enligt formeln CuInSeP Nedan beskrives föreliggande uppfinning närmare delvis i samband med ett på bifogade ritning visat utföringsexempel av uppfinningen, där figur 1 visar en solcellsstruktur.
Föreliggande uppfinning bygger på insikten att påläggning av natrium eller kalium i form av elementärt natrium eller ka- lium eller en förening i vilka dessa grundämnen ingår på den yta på vilken CuInSe2-skiktet skall uppbyggas, d.v.s. ex- empelvis på molybden-skiktet, medför att kornen i den poly- kristallina CuInSe2-filmen blir mer orienterade i en kolumnär struktur. Kornen blir också större och strukturen tätare.
Dessutom minskar resistiviteten i CuInSe2-skiktet, vilket också innebär att en högre effektiv p-dopning erhålles inne- bärande att cellspänningen ökar.
I stället för natrium eller kalium torde andra alkalimetaller medföra samma effekt, i varje fall litium, som har låg atom- vikt.
I figur 1 visas schematiskt ett snitt genom en solcell av typen tunnfilmssolcell. Tunnfilmssolceller uppbyggs på sub- strat som kan vara stora, exempelvis 1 X 0.4 meter. Härvid förefinns ett mycket stort antal celler över substratytan, vilka är elektriskt sammankopplade. Figur 1 visar endast en 508 676 3 del av en sådan cell. Tillverkningstekniken för att fram- ställa ett stort antal separata men elektriskt förbundna celler på en substratyta är välkänd och beskrives inte närma- re här.
En solcell vid vilken uppfinningen kan tillämpas kan vara uppbyggd på följande sätt. Vanligen är substratet 1 en glas- skiva av lämplig tjocklek, exempelvis 2.0 mm. Först sputtras ett skikt 2 av molybden (Mo) på glasytan. Molybdenskiktet ut- gör bakkontakt och pluspol i den färdiga cellen. Molybden- skiktet kan ha en tjocklek av exempelvis 1000 nanometer. Där- efter pålägges ett CuInSe2-skikt 3 med en tjocklek av exem- pelvis 2500 nanometer. Ovanpå detta skikt 3 pålägges först ett skikt 4 av kadmiumsulfid (CdS) med en tjocklek av exem- pelvis 50 nanometer, varefter en kontakt i form av transpa- rent dopat zinkoxidskikt (ZnO) 5 med en tjocklek av exempel- vis 500 nanometer pålägges.
När solljus infaller mot solcellen uppstår en elektrisk spän- ning mellan kontakten 5 (Zn0), som är minuspol, och bakkon- takten 2.
Nedan beskrives uppfinningen med natrium som exempel. Detsam- ma gäller dock andra alkalimetaller. I figur 1 anges skiktet betecknat 6 som Na. För det fall andra alkalimetaller avses skall dessa utgöra nämnda skikt 6.
Enligt uppfinningen bringas ett skikt 6 innefattande en alka- limetall, i exemplet natrium (Na), att bildas ovanpå metall- skiktet 2, d.v.s. ovanpå molybdenskiktet i ovanstående exem- pel, före det att CuInSe2-skiktet 3 pålägges.
Enligt en föredragen utföringsform bringas natrium att på- läggas genom förångning av natriumselenid (Na2Se) på bakkon- takten, d.v.s. metallskiktet.
Enligt en annan föredragen utföringsform bringas kalium att 508 676 4 påläggas genom förångning av kaliumselenid (K2Se) på bakkon- takten, d.v.s. metallskiktet.
Enligt en annan föredragen utföringsform sputtras alkalime- tallen, i exemplet natrium, på samtidigt som bakkontakten då denna utgöres av molybden.
Enligt en ytterligare föredragen utföringsform bringas skik- tet innefattande alkalimetallen, i exemplet natrium, att ha en tjocklek av 50 till 500 nanometer.
Enligt en utföringsform bringas skiktet att innefatta även syre (0).
Det har visat sig att när CuInSe2-skiktet pålägges ovanpå skiktet innefattande natrium eller kalium kommer natrium respektive kalium i allt väsentligt att försvinna från me- tallkontaktens yta. När CuInSe2-skiktet pålagts återfinnes natrium respektive kalium dels i korngränserna i CuInSe2- skiktet, dels på detta skikts yta. När sedan cds-skiktet pålägges med en våt process försvinner natrium- respektive kaliumföreningen från ytan, förutsatt att natrium- respektive kaliumföreningen är löslig i aktuell vätska.
Detta förfarande ger vid den som exempel angivna solcellen en ytterst överraskande höjning av verkningsgraden, nämligen med omkring 25 %. En dylik solcell där uppfinningen inte tilläm- pas har typiskt en verkningsgrad av 12 %. Genom tillämpning av uppfinningen ökar verkningsgraden till 15 %.
Ovan har föreliggande uppfinning beskrivits i anslutning till en viss solcellsstruktur. Emellertid kan föreliggande uppfin- ning tillämpas vid andra strukturer, där exempelvis bakkon- takten inte utgöres av molybden utan av en annan lämplig me- tall, såsom wolfram, nickel, titan och krom.
Dessutom kan andra substrat än glas innehållande natrium an- 508 676 vändas. Exempelvis kan glas, som inte innehåller natrium an- vändas, liksom glas innehållande natrium vilka försetts med en diffusionsbarriär mot natrium på den yta, där bakkontakten uppbygqs- Föreliggande uppfinning skall därför inte anses begränsad till ovan angivna utföringsformer, utan kan varieras inom dess av bifogade patentkrav angivna ram.

Claims (9)

10 15 20 25 30 35 508 676 Patentkrav
1. Förfarande för att tillverka tunnfilmsolceller, där i ett tillverkningssteg kopparindiumselenid-skikt (CuInSe2) (3) på- lägges på en struktur innefattande ett metallskikt (2) utgö- rande bakkontakt i solcellen, vilken bakkontakt är pålagd på ett substrat (1), k ä n n e t e c k n a t a v, att ett skikt (6) innefattande en alkalimetall bringas att bildas ovanpå strukturen före det att CuInSe2-skiktet (3) pâlägges.
2. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t a v, att ett skikt (6) innefattande alkalimetallen natrium (Na) eller kalium (K) bringas att bildas ovanpå strukturen före det att CuInSe2-skiktet (3) pålägges.
3. Förfarande enligt krav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t a v, att natrium bringas att påläggas genom förångning av natriumselenid (Na2Se) på bakkontakten.
4. Förfarande enligt krav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t a v, att kalium bringas att påläggas genom förångning av ka- liumselenid (K2Se) på bakkontakten.
5. Förfarande enligt krav 1 eller 2, k ä n n e t e c k n a t a v, att alkalimetallen sputtras på samtidigt som bakkontak- ten då denna utgöres av molybden.
6. Förfarande enligt krav 1, 2, 3, 4 eller 5, k ä n n e - t e c k n a t a v, att skiktet innefattande alkalimetallen bringas att ha en tjocklek av 50 till 500 nanometer.
7. Förfarande enligt krav 1, 2, 3, 4, 5 eller 6, k ä n n e - t e c k n a t a v, att skiktet innefattande alkalimetallen även bringas att innefatta syre (0).
8. Förfarande enligt krav 1, 2, 3, 4, 5, 6 eller 7, k ä n - n e t e c k n a t a v, att bakkontakten utföres i molybden 508 676 (Mo).
9. Förfarande enligt något av föregående krav, k ä n n e - t e c k n a t a v, att kadmiumsulfid (CdS) pålägges ovanpå kopparindiumselenid-skiktet samt att en kontakt företrädesvis i form av ett skikt av dopad zinkoxid (ZnO) pålägges ovanpå skiktet av kadmiumsulfid-skiktet.
SE9403609A 1994-10-21 1994-10-21 Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller SE508676C2 (sv)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403609A SE508676C2 (sv) 1994-10-21 1994-10-21 Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
DE69529529T DE69529529T2 (de) 1994-10-21 1995-10-20 Herstellungsverfahren von dünnschicht-solarzellen
US08/817,693 US5994163A (en) 1994-10-21 1995-10-20 Method of manufacturing thin-film solar cells
JP51383596A JP3690807B2 (ja) 1994-10-21 1995-10-20 薄膜太陽電池の製法
AU38205/95A AU3820595A (en) 1994-10-21 1995-10-20 A method of manufacturing thin-film solar cells
ES95936166T ES2191716T3 (es) 1994-10-21 1995-10-20 Un procedimiento de fabricacion de celulas solares de capa delgada.
EP95936166A EP0787354B1 (en) 1994-10-21 1995-10-20 A method of manufacturing thin-film solar cells
PCT/SE1995/001242 WO1996013063A1 (en) 1994-10-21 1995-10-20 A method of manufacturing thin-film solar cells

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9403609A SE508676C2 (sv) 1994-10-21 1994-10-21 Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9403609D0 SE9403609D0 (sv) 1994-10-21
SE9403609L SE9403609L (sv) 1996-04-22
SE508676C2 true SE508676C2 (sv) 1998-10-26

Family

ID=20395698

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9403609A SE508676C2 (sv) 1994-10-21 1994-10-21 Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5994163A (sv)
EP (1) EP0787354B1 (sv)
JP (1) JP3690807B2 (sv)
AU (1) AU3820595A (sv)
DE (1) DE69529529T2 (sv)
ES (1) ES2191716T3 (sv)
SE (1) SE508676C2 (sv)
WO (1) WO1996013063A1 (sv)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4447866B4 (de) * 1994-11-16 2005-05-25 Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg Verfahren zur Herstellung einer Verbindungshalbleiter-Dünnschichtsolarzelle
JP3519543B2 (ja) * 1995-06-08 2004-04-19 松下電器産業株式会社 半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法
WO2003007386A1 (en) * 2001-07-13 2003-01-23 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
US7053294B2 (en) * 2001-07-13 2006-05-30 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate
AU2003207295A1 (en) * 2002-02-14 2003-09-04 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Light absorbing layer forming method
US20060057766A1 (en) * 2003-07-08 2006-03-16 Quanxi Jia Method for preparation of semiconductive films
SE525704C2 (sv) * 2003-08-12 2005-04-05 Sandvik Ab Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller
US20050056863A1 (en) * 2003-09-17 2005-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor film, method for manufacturing the semiconductor film, solar cell using the semiconductor film and method for manufacturing the solar cell
US8372734B2 (en) 2004-02-19 2013-02-12 Nanosolar, Inc High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide nanoflake particles
US7604843B1 (en) 2005-03-16 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Metallic dispersion
US8309163B2 (en) * 2004-02-19 2012-11-13 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor and inter-metallic material
US8329501B1 (en) 2004-02-19 2012-12-11 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from inter-metallic microflake particles
US20060060237A1 (en) * 2004-09-18 2006-03-23 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
US7700464B2 (en) 2004-02-19 2010-04-20 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from nanoflake particles
US7663057B2 (en) * 2004-02-19 2010-02-16 Nanosolar, Inc. Solution-based fabrication of photovoltaic cell
US8846141B1 (en) 2004-02-19 2014-09-30 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from microflake particles
US7605328B2 (en) 2004-02-19 2009-10-20 Nanosolar, Inc. Photovoltaic thin-film cell produced from metallic blend using high-temperature printing
US8623448B2 (en) * 2004-02-19 2014-01-07 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer from chalcogenide microflake particles
US7306823B2 (en) * 2004-09-18 2007-12-11 Nanosolar, Inc. Coated nanoparticles and quantum dots for solution-based fabrication of photovoltaic cells
US20090032108A1 (en) * 2007-03-30 2009-02-05 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US8541048B1 (en) 2004-09-18 2013-09-24 Nanosolar, Inc. Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
US7732229B2 (en) * 2004-09-18 2010-06-08 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells with conductive barrier layers and foil substrates
US7838868B2 (en) 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
US8927315B1 (en) 2005-01-20 2015-01-06 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. High-throughput assembly of series interconnected solar cells
US20080053516A1 (en) 2006-08-30 2008-03-06 Richard Allen Hayes Solar cell modules comprising poly(allyl amine) and poly (vinyl amine)-primed polyester films
US8197928B2 (en) 2006-12-29 2012-06-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Intrusion resistant safety glazings and solar cell modules
US8771419B2 (en) * 2007-10-05 2014-07-08 Solopower Systems, Inc. Roll to roll evaporation tool for solar absorber precursor formation
AT10578U1 (de) * 2007-12-18 2009-06-15 Plansee Metall Gmbh Dunnschichtsolarzelle mit molybdan-haltiger ruckelektrodenschicht
US8197885B2 (en) * 2008-01-11 2012-06-12 Climax Engineered Materials, Llc Methods for producing sodium/molybdenum power compacts
CA2716191A1 (en) * 2008-03-26 2009-10-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company High performance anti-spall laminate article
EP2257994B1 (en) * 2008-04-04 2018-01-17 Kuraray America Inc. Solar cell modules comprising high melt flow poly(vinyl butyral) encapsulants
JP4384237B2 (ja) * 2008-05-19 2009-12-16 昭和シェル石油株式会社 Ｃｉｓ系薄膜太陽電池の製造方法
US20090288701A1 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 E.I.Du Pont De Nemours And Company Solar cell laminates having colored multi-layer encapsulant sheets
CN102047442B (zh) 2008-06-02 2014-05-07 纳幕尔杜邦公司 具有低雾度包封层的太阳能电池模块
WO2010009436A2 (en) 2008-07-17 2010-01-21 Uriel Solar Inc. High power efficiency, large substrate, polycrystalline cdte thin film semiconductor photovoltaic cell structures grown by molecular beam epitaxy at high deposition rate for use in solar electricity generation
US20100101647A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Non-autoclave lamination process for manufacturing solar cell modules
JP6076598B2 (ja) 2008-10-31 2017-02-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーＥ．Ｉ．Ｄｕ Ｐｏｎｔ Ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ Ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ 低ヘイズ封入材を含む太陽電池モジュール
US8084129B2 (en) * 2008-11-24 2011-12-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Laminated articles comprising a sheet of a blend of ethylene copolymers
US8080727B2 (en) 2008-11-24 2011-12-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell modules comprising an encapsulant sheet of a blend of ethylene copolymers
US20100154867A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Mechanically reliable solar cell modules
EP2374156B1 (en) * 2008-12-31 2016-09-07 E. I. du Pont de Nemours and Company Solar cell modules comprising encapsulant sheets with low haze and high moisture resistance
KR20110122121A (ko) * 2009-01-22 2011-11-09 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 태양 전지 모듈에 대한 킬레이트제를 포함하는 폴리(비닐 부티랄) 밀봉제
US8709856B2 (en) * 2009-03-09 2014-04-29 Zetta Research and Development LLC—AQT Series Enhancement of semiconducting photovoltaic absorbers by the addition of alkali salts through solution coating techniques
JP5229901B2 (ja) * 2009-03-09 2013-07-03 富士フイルム株式会社 光電変換素子、及び太陽電池
JP4629151B2 (ja) * 2009-03-10 2011-02-09 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び太陽電池、光電変換素子の製造方法
US7785921B1 (en) * 2009-04-13 2010-08-31 Miasole Barrier for doped molybdenum targets
US8247243B2 (en) 2009-05-22 2012-08-21 Nanosolar, Inc. Solar cell interconnection
US9284639B2 (en) * 2009-07-30 2016-03-15 Apollo Precision Kunming Yuanhong Limited Method for alkali doping of thin film photovoltaic materials
KR20120052360A (ko) * 2009-07-31 2012-05-23 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광전지용 가교결합성 봉지제
KR101306913B1 (ko) * 2009-09-02 2013-09-10 한국전자통신연구원 태양 전지
US20110162696A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Miasole Photovoltaic materials with controllable zinc and sodium content and method of making thereof
US20110203655A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 First Solar, Inc. Photovoltaic device protection layer
DE102010017246A1 (de) * 2010-06-04 2011-12-08 Solibro Gmbh Solarzellenmodul und Herstellungsverfahren hierfür
US8609980B2 (en) 2010-07-30 2013-12-17 E I Du Pont De Nemours And Company Cross-linkable ionomeric encapsulants for photovoltaic cells
TWI538235B (zh) 2011-04-19 2016-06-11 弗里松股份有限公司 薄膜光伏打裝置及製造方法
US20130000702A1 (en) * 2011-06-30 2013-01-03 Miasole Photovoltaic device with resistive cigs layer at the back contact
EP2934883B1 (en) 2012-12-19 2018-06-27 E. I. du Pont de Nemours and Company Cross-linked polymers and their use in packaging films and injection molded articles
EP2936551A1 (en) 2012-12-21 2015-10-28 Flisom AG Fabricating thin-film optoelectronic devices with added potassium
US20150207011A1 (en) * 2013-12-20 2015-07-23 Uriel Solar, Inc. Multi-junction photovoltaic cells and methods for forming the same
US20150325729A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Encapsulant composition comprising a copolymer of ethylene, vinyl acetate and a third comonomer
TWI677105B (zh) 2014-05-23 2019-11-11 瑞士商弗里松股份有限公司 製造薄膜光電子裝置之方法及可藉由該方法獲得的薄膜光電子裝置
TWI661991B (zh) 2014-09-18 2019-06-11 瑞士商弗里松股份有限公司 用於製造薄膜裝置之自組裝圖案化
US9947531B2 (en) 2015-01-12 2018-04-17 NuvoSun, Inc. High rate sputter deposition of alkali metal-containing precursor films useful to fabricate chalcogenide semiconductors
EP3414780B1 (en) 2016-02-11 2020-12-02 Flisom AG Fabricating thin-film optoelectronic devices with added rubidium and/or cesium
HUE053775T2 (hu) 2016-02-11 2021-07-28 Flisom Ag Önszervezõdõ mintázódás vékonyréteg eszközök gyártására
WO2017147037A1 (en) 2016-02-26 2017-08-31 Dow Global Technologies Llc Method for improving stability of photovoltaic articles incorporating chalcogenide semiconductors
EP3762973B1 (en) 2018-03-08 2023-03-29 Dow Global Technologies LLC Photovoltaic module and encapsulant composition having improved resistance to potential induced degradation

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623601A (en) * 1985-06-04 1986-11-18 Atlantic Richfield Company Photoconductive device containing zinc oxide transparent conductive layer
US4915745A (en) * 1988-09-22 1990-04-10 Atlantic Richfield Company Thin film solar cell and method of making
US4873118A (en) * 1988-11-18 1989-10-10 Atlantic Richfield Company Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell
US5028274A (en) * 1989-06-07 1991-07-02 International Solar Electric Technology, Inc. Group I-III-VI2 semiconductor films for solar cell application
DE4442824C1 (de) * 1994-12-01 1996-01-25 Siemens Ag Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht
US5730852A (en) * 1995-09-25 1998-03-24 Davis, Joseph & Negley Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
ES2191716T3 (es) 2003-09-16
DE69529529D1 (de) 2003-03-06
EP0787354B1 (en) 2003-01-29
WO1996013063A1 (en) 1996-05-02
EP0787354A1 (en) 1997-08-06
AU3820595A (en) 1996-05-15
SE9403609D0 (sv) 1994-10-21
SE9403609L (sv) 1996-04-22
US5994163A (en) 1999-11-30
DE69529529T2 (de) 2003-12-11
JP3690807B2 (ja) 2005-08-31
JPH10512096A (ja) 1998-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE508676C2 (sv) Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
EP0715358B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit Chalkopyrit-Absorberschicht und so hergestellte Solarzelle
US9054241B2 (en) Back contact electrodes for cadmium telluride photovoltaic cells
EP1052703B1 (de) Dünnschichtsolarzelle auf der Basis der Ib/IIIa/VIa-Verbindungshalbleiter und Verfahren zum Herstellen einer solchen Solarzelle
US8309390B2 (en) Method of manufacturing a photovoltaic device and system for patterning an object
CN105164815B (zh) 用于光伏电池或模块的背接触式基板
US20040206390A1 (en) Preparation of CIGS-based solar cells using a buffered electrodeposition bath
JP2009021479A (ja) Ｃｉｓ系太陽電池及びその製造方法
US20130118575A1 (en) Cigs type solar cell and electrode-attached glass substrate therefor
JPH0528512B2 (sv)
EP2369631A2 (en) Thin film photovoltaic cell
JP2008081794A (ja) アルミニウム合金および薄膜系太陽電池基板
CN105164813B (zh) 用于光伏电池或模块的背接触式基板
JP2010232608A (ja) カルコパイライト型太陽電池の製造方法
KR20140147831A (ko) 박막 태양광 모듈의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 따라서 획득될 수 있는 박막 태양광 모듈
US20070189956A1 (en) Method for producing a monocrystalline cu(in,ga)se2powder, and mono-grain membrane solar cell containing said powder
CN103855249A (zh) 可用作太阳能电池吸收层的基于黄铜矿的材料的铟溅射方法和材料
JP2000150932A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2000144377A (ja) 化合物薄膜の製造方法
JP3777281B2 (ja) 化合物半導体太陽電池及びその製造方法
JPH1126790A (ja) 半導体薄膜及びその製造方法並びに薄膜太陽電池
JPS5898986A (ja) 薄膜太陽電池
JPH08195502A (ja) 薄膜光電変換素子
JP2006294767A (ja) 太陽電池用基板およびそれを用いた太陽電池
JPH03110870A (ja) 非単結晶光電変換素子

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed