SE525704C2 - Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller - Google Patents

Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller

Info

Publication number
SE525704C2
SE525704C2 SE0302206A SE0302206A SE525704C2 SE 525704 C2 SE525704 C2 SE 525704C2 SE 0302206 A SE0302206 A SE 0302206A SE 0302206 A SE0302206 A SE 0302206A SE 525704 C2 SE525704 C2 SE 525704C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
coated steel
steel product
product according
layer
metal
Prior art date
Application number
SE0302206A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0302206D0 (sv
SE0302206L (sv
Inventor
Mikael Schuisky
Magnus Cedergren
Original Assignee
Sandvik Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sandvik Ab filed Critical Sandvik Ab
Priority to SE0302206A priority Critical patent/SE525704C2/sv
Publication of SE0302206D0 publication Critical patent/SE0302206D0/sv
Priority to EP04775296A priority patent/EP1665390A1/en
Priority to JP2006523160A priority patent/JP2007502536A/ja
Priority to PCT/SE2004/001173 priority patent/WO2005015645A1/en
Priority to KR1020067002893A priority patent/KR101077046B1/ko
Priority to US10/567,122 priority patent/US7989077B2/en
Priority to CNB2004800231532A priority patent/CN100499174C/zh
Publication of SE0302206L publication Critical patent/SE0302206L/sv
Publication of SE525704C2 publication Critical patent/SE525704C2/sv

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H01L31/03928—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate including AIBIIICVI compound, e.g. CIS, CIGS deposited on metal or polymer foils
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

~:i c: .ß ytterligare processteg vid framställningen av tunnfilms flexibla ClGS-solceller, och detta kan innefatta värmebehandlingar vid temperaturer upp till 600°C i korroderande atmosfär. Det flexibla metalliska substratet bör vara isolerat från den elektriska baksideskontakten om ClGS-moduler med integrerade serieförbindelser ska framställas. Därför är det väsentligt att substratmaterialets värmeutvidgningskoefficient (T EC) ska vara så nära som möjligt det elektriskt isolerande metalloxidskiktets(ens) TEC för att undvika termisk sprickbildning eller spallation av det isolerande metalloxidskiktet.
Vanliga konventionella substratmaterial för framställning av ClGS- solceller är: - Användning av sodaglassubstrat i satsvisa processer; - Deponering av ett molybden-baksideskontaktmaterial direkt på metallbandet som utgör substratet; - Deponering av isolerande kiseIoxid(SiO, eller SiO2)skikt ovanpå metallremsor i satsvisa deponeringsprocesser.
Ett exempel på en känd solcell är beskriven i Thin Solid Films 403-404 (2002) 384-389 av K. Herz et al.: "Die|ectric barriers for flexible ClGS solar moduIes", härmed inkorporerat i den föreliggande beskrivning genom denna referens. Enligt denna artikeln så hade utomordentlig elektrisk isolation för framtagningen av CIGS-solmoduler uppnåtts på metallsubstrat genom användning av SiOX- och/eller AlgOß-barriärskikt. Däremot, på grund av bristen på natrium, var spänningen alstrad av solcellen dålig.
Ett ytterligare exempel på kända solceller utnyttjandes rostfria stålsubstrat är beskriven i Solar Energy Materials & Solar Cells 75 (2003) 65- 71 av Takuya Satoh et al.: "Cu(ln,Ga)Se2 solar cells on stainless steel substrates covered with insulating layers", härmed inkorporerat i föreliggande beskrivning genom denna referens. Däremot, enligt denna artikel, minskade ClGS-solcellema på det rostfria stålet tomgångsspänningen jämfört med den på sodaglassubstraten. 525 704 ooo ooo o n' o oooo o z :o .o o : : 0 o o oo o n o o o o o o o I O o o oo o oo Dessutom, i WO 03/007386 (härmed inkorporerat i föreliggande beskrivning genom denna referens) är en tunnfilmssolcell beskriven. Den innefattar ett flexibelt metalliskt substrat med en första yta och en andra yta.
Ett baksidesmetallkontaktskikt är deponerat på det flexibla metalliska substratets första yta. Ett halvledar-absorptionsskikt är deponerat på baksidesmetallkontakten. En fotoaktiv film deponerad på halvledar- absorptionsskiktet bildar en heteroövergångsstruktur och en gallerkontakt deponerad på heteroövergångsstrukturen. Det flexibla metallsubstratet kan vara konstruerat av antingen aluminium eller rostfritt stål. Vidare beskrivs ett sätt att konstruera en solcell. Denna metoden består av att åstadkomma ett aluminiumsubstrat, deponera ett halvledar-absorptionsskikt på aluminiumsubstratet, samt isolera aluminiumsubstratet från halvledar- absorptionsskiktet för att hämma reaktion mellan aluminiumsubstratet och halvledar-absorptionsskiktet. Även om denna kända solcell fungerar tillfredsställande, uppnår den inte tomgångsspänningsnivån hos en solcell med ett sodaglassubstrat på grund av avsaknaden av natriumdopning.
Således, har alla dessa konventionella metoder deras respektive nackdelar. Alla processer baserade på satsvis produktion kommer alltid att öka kostnaden och det är därför väsentligt att produktionen ska ske med en roll-to-roll process för att minska kostnaden.
Följaktligen, när sodaglas används är det omöjligt att producera flexibla CIGS, och den satsvisa processen är dyr. Vidare kommer deponeringen av Mo-baksideskontakt direkt på det flexibla metallbandsubstratet att begränsa produktionen av CIGS-moduler med integrerade seriekopplingar. Dessutom har SiOx- eller SiOg-isolerande skikt en alltför låg TEC, vilket kan leda till bildandet av sprickor och porer under de följande prooesstegen. Vidare, genom att inte tillsätta en alkalimetall i SiOg-skiktet, måste den (huvudsakligen natrium) tillsättas i ett senare produktionsteg om mera effektivita CIGS ska framställas. Tillskottet av ett eller flera processteg i en produktionlinje är alltid associerat med extra kostnader.
Det är därför den föreliggande uppfinningens primära syfte att åstadkomma ett flexibelt och lätt metalliskt substrat för solcellsproduktion med en värmeutvidgningskoefficient så liknande som möjligt det isolerande metalloxidlagret(en). Ännu ett syfte med föreliggande uppfinningen är att åstadkomma ett flexibelt substrat för solceller som är billigt och vilket kan framställas i en kontinuerlig roll-to-roll-process.
Ytterligare ett syfte med föreliggande uppfinningen är att göra produktionen av flexíbla solceller möjlig med ökad effektivitet med avseende på den spänning som uppnås.
Dessa och andra mål har uppnåtts på ett överraskande sätt genom skapandet av en belagd stålprodukt med egenskaper enligt patentkrav 1:s kännetecknande del. Ytterligare föredragna utföringsforrner är definierade i de osjälvständiga patentkraven.
Kortfattad beskrivning-av uppfinningen Således uppnås ovanstående mål och ytterligare fördelar genom att applicera ett tunnt kontinuerligt, unifonnt, elektriskt isolerande skikt av en metalloxid, såsom aluminiumoxid, på toppen av ett metallband fungerande som substrat. Till den isolerande metalloxiden tillsätts en liten mängd av en alkalimetall för att öka effektiviteten hos solcellen. Metalloxidskiktet ska vara jämnt och kompakt för att undvika porer, vilka annars kan fungera som passager för elektrisk ledning när materialet behandlas ytterligare. Om så önskas, och för att säkerställa säker elektrisk isolation från metallbandsubstratet, kan flera lager (ML) av metalloxider deponeras.
Fördelen med en ML-struktur är att den kommer utesluta varje por och ledande passage genom det isolerande oxidskiktet. Dessutom, genom att deponera ett kontinuerligt uniforrnt kompakt metalloxidlager ovanpå det metallisk substratet, är det lättare att kontrollera de isolerande egenskaperna 525 704 CCI CDI O O OO I 'I .I z : o o o o o o o o o o o o o: o o o o o o o o o o o n .
:II :II I I I O IIII I I I O I Û I I I Û . . o oo o o o o o o o o o o o o 0 0 oo o oo oo oo ooo såväl som tjockleken av metalloxidskiktet, jämfört med till exempel anodiserade oxidskikt på metallband. Dessutom kommer metalloxidskiktet även att ha en förbättrad vidhäftning till substratet, ijämförelse med termiskt växande oxidskikt. Den tillsatta alkalimetallen (huvudsakligen natrium) kommer att diffundera in i CIGS-skiktet under de kommande processtegen i CIGS-framställningen. Vidare, om så behövs, ovanpå nämnda metalloxidskikt, kan det sen deponeras ett molybdenskikt, detta för att erhålla en elektrisk baksideskontakt för framställningen av en flexibel tunnfilmssoloell.
När åtskilliga skikt av metalloxid(er) deponeras, kan dessa skikt vara av samma metalloxid eller av olika metalloxider.
Kortfattad beskrivning av ritningarna Figur 1 visar en schematisk genomskäming av en första utföringsform av föreliggande uppfinning.
Figur 2 visar en schematisk genomskäming av en andra utföringsforrn av föreliggande uppfinning.
Figur 3 visar en schematisk genomskäming av ytterligare två utföringsformer av föreliggande uppfinning.
Figur 4 visar schematiskt en produktionslinje för framställningen av ett belagt metallbandmaterial enligt uppfinningen.
Detaljerad beskrivning av uppfinningen Metallbandet som ska beläggas En av nyckelegenskapema hos det underliggande metallbandet är att det ska ha en låg värmeutvidgningskoefficient (T EC) för att undvika spallation eller sprickning av de deponerade metalloxidskikten. Därför är det önskvärt att metallbandets TEC är lägre än 12-10* K* i temperaturintervallet 0 till 600°C.
Detta kommer att innefatta material såsom ferritiska kromstål, titan och några nickellegeringar. Det är även föredraget att materialet i metallbandet ska vara 525 704 6 E.. E..: .E :Oiz ..ä. . :O0: :ost ' :no: cos: i E tillräckligt korrisionsmotståndskraftigt för att motstå miljön vari solcellen kommer att arbeta. Metallens fysiska skepnad är i form av ett band eller folie vars tjocklek bör vara i intervallet 5 till 200 pm, företrädesvis 10 till 100 pm. En annan viktig parameter är metallbandets ytjämnhet, vilken bör vara så jämn som möjligt; ett Ra-värde på mindre än 0,2 pm är lämpligt, företrädesvis mindre än 0,1 pm.
Det isolerande oxidskiktet De elektriskt isolerande oxidskikten ska vidhäfta väl till metallbandet, för att säkerställa högsta möjliga flexibilitet hos solcellen. Detta åstadkommes genom försiktig förbehandling av metallbandet innan beläggningen, först genom att rengöra den på ett lämpligt sätt för att ta bort oljerester, etc., vilka kan påverka beläggningsprocessens effektivitet samt beläggningens vidhäftning och kvalitet. Därefter, behandlas metallbandet med hjälp av en i linje jon-assisterande etsningsprocess. Dessutom ska oxidskiktet även vara en bra elektrisk isolator för att undvika all elektrisk kontakt mellan metallbandet och molybden-baksideskontakten. Detta kan uppnås genom att deponera kompakta och jämna oxidskikt för att erhålla bättre isolerande egenskaper, då det upprepas att multilagrade strukturer också kan deponeras. Antalet individuella oxidskikt i en multi-lager struktur kan vara 10 eller mindre. Som nämnts ovan, kommer en multi-lager oxidstruktur avsluta varje por eller elektrisk passage genom det totala metalloxidskiktet och säkerställa god elektrisk isolation hos metallbandet. Detta faktum är illustrerat i Figur 3, vari porerna avslutas vid de intilliggande oxidskikten. När det finns fler än ett isolerande metalloxidskikt, så kan varje individuellt oxidskikts tjocklek vara mellan 10 nm och upp till 2 pm, företrädesvis mellan 0,1 och 1,5 pm. Den totala tjockleken av det samlade metalloxidskiktet, både i fallet av ett enstaka monolager och multilager (2 till 10 skikt), kan vara upp till 20 pm, företrädesvis 1 till 5 pm.
Oxidskiktets kemiska sammansättning kan vara någon dielektrisk oxid såsom AI2O3, TiOg, HfOg, Ta2O3 och NbgOg eller blandningar av dessa oxider, företrädesvis TiOz och/eller Al-2O3, mest företrädesvis Al2O3, även om andra oxidskikt är möjliga, både stökiometriska och icke-stökiometriska. 525 704 Vidare, när metalloxidbeläggningen består av flera skikt (multilager), kan varje individuellt skikt vara av samma metalloxid, eller av olika metalloxider. Ett individuellt lager kan även bestå av en blandning av metalloxider.
Dessutom, enligt föreliggande uppfinning, är oxidskiktet dopat med en mängd av en alkalimetall, lämpligen Iitium, natrium eller kalium, företrädesvis natrium. Alkalimetallkoncentrationen i det deponerade oxidskiktet bör vara mellan 0,01 och 10% (i vikt), företrädesvis 0,1 och 6%, och mest företrädesvis 0,2-4%, för att förbättra effektiviteten hos CIGS-solcellen genom Na-diffusion genom baksideskontaktskiktet på ett sätt liknande det observerat för CIGS deponerat på sodaglas. Det är verkligen överraskande för fackmannen, att alkalimetallen i det alkalimetall-dopade oxidskiktet klarar av att tränga genom ' baksideskontaktskiktet och på ett avgörande sätt påverka CIGS-skiktets prestanda.
När natrium används, kan Na-källan vara vilken natriuminnehållande förening som helst och Na-föreningen blandeas företrädesvis med oxidkällamaterialet före deponeringen, eller så kan Na tillsättas för sig själv till oxidbeläggningen i ett separat processteg. Koncentrationen av Na i oxidkällan bör vara de ovan nämnda. Följande Na-föreningarna är användbara som Na- källor för oxidskiktet: Na, Na20, NaOH, NaF, NaCl, Nal, NagS, NazSe, NaNOs och Na2CO3, bara för att lista några.
Enligt en utföringsform av den föreliggande uppfinningen, när flera metalloxidskikt deponeras på substratet, dopas endast det allra yttersta skiktet, eller möjligen de två yttersta skikten, med en alkalimetall. Orsaken är naturligtvis att huvudsakligen detta skikt eller dessa skikt bidrar till diffusion av alkalimetall in i och förbi molybdenskiktet och in i CIGS-skiktet i en solcell.
Beskrivning av baksideskontaktskiktet Beroende på ytterligare processteg, och på de specifika villkoren föreskrivna av den individuella kunden, beläggs ett toppskikt bestående huvudsakligen av molybden ovanpå oxidskiktet. Detta toppskikt bör vara kompakt och vidhäfta väl till det underliggande, tidigare deponerade oxidskiktet, medan samtidigt tillåta genomträngandet av alkalimetaIlen(ema).
Molybden-toppskiktets tjocklek bör vara 0,01-5,0 um, företrädesvis 0,1-2,0 um, helst omkring 0,5 um.
Beskrivning av beläggningsmetod Fördelaktigt är beläggningsmetoden integrerad i en rolI-to-roll-band- produktionslinje. l denna roll-to-roll-produktionslinje är det första produktionssteget en jon-assisterad etsning av metallbandets yta, för att åstadkomma god vidhäftning till det intilliggande isolerande oxidskiktet. Det isolerande oxidskiktet deponeras med hjälp av termisk elektronstrålsevaporation (EB) i en roll-to-roll-process. Denna process är välkänd för fackmannen och är, t.ex., omfattande beskriven i boken Electron Beam Technology av Siegfried Schiller, Ullrich Heisig och Siegfried Panzer, Verlag Technik Gmbh Berlin 1995, ISBN 3-341-01153-6, härmed inkorporerat i föreliggande beskrivning genom denna referens.
Det isolerande oxidskiktet kan vara antingen ett enkelt eller monolager, eller ett flertal skikt, så kallat multilager. Medan monolagret vanligtvis fungerar tillfredsställande, ger utföringsformen med multilager större säkerhet med avseende på sprickor och ytporer. Bildandet av multilager kan uppnås genom integrering av flera EB-beläggningskammare i linje (se figur 4), eller genom att köra bandet flera gånger genom samma EB-beläggningskammare. Om en stökiometrisk oxid är önskad, bör beläggningen av oxiderna göras under reducerat tryck med ett partialtryck av syre som reaktiv gas i kammaren. I en sådan produktionlinje, bör den sista kammaren vara EB-kammaren för beläggningen av molybdenet för baksideskontaktskiktet. Mors beläggning bör göras i reducerad atmosfär vid ett maximum tryck på 1-102 mbar.
Föredragen utföringsfonn av uppfinningen Först är substratmaterialet framställd genom konventionell metallurgisk ståltillverkning till en kemisk sammansättning såsom beskrivits ovan. De är därefter varmvalsade ner till en interrnediär storlek, och därefter kallvalsade i 525 704 oo oo oo o o g g 4 I I o o o o o o o. oo 0 0 O O o o o o o oo o o o o :OI II' I I Û IQII O C I Û I C I I I o o oo o o o o o o o o o o o o 9 I c o o oo o oo oo oo ooo o flera steg med ett antal rekristallationssteg mellan nämnda valsningssteg, tills en slutlig tjocklek av omkring 0,042 mm och en bredd med ett maximum på 1000 mm. Substratrnaterlalets yta är sedan rengjort på ett lämpligt sätt för att avlägsna all restolja från valsningen. l Figur 1 illustreras ett typisk tvärsnitt av ett flexibelt metalliskt substrat för framställning av tunnfilms-CIGS-solceller. Substratmaterialet är ett flexibelt metallband (1), vilket kan bestå av rostfritt stål, eller någon annan metall eller legering som har ett TEC lägre än 12 x 10% K", itemperaturintervallet 0- 600°C. Metallbandets ytjämnhet bör hållas så låg som möjligt. Metallbandets tjocklek bör ligga i intervallet 5 - 200 pm, företrädesvis 10-100 pm för att säkerställa god flexibilitet.
Ovanpå metallbandsubstatets yta (1), kan ett enkelt lager av alkalimetall-dopad (i detta fall natrium) aluminiumoxid (4) deponeras i en roll- to-roll-EB-process, direkt ovanpå det flexibla metallbandet som illustrerats i Figur 2. Ovanpå den elektriskt isolerade enkellagrade alkalimetall-dopade aluminiumoxiden, kan även ett molybdenskikt deponeras med hjälp av elektronstràledeponering i en roll-to-roll-process.
Som ett alternativ till ett enkelt eller monolager (4) enligt Figur 2, kan en elektriskt isolerande multilagerstruktur av aluminiumoxid (2) deponeras, också genom EB-deponering i en roll-to-roll-process. Aluminiumoxid- multilagerstrukturen ska vara väl vidhäftande till metallbandet såväl som kompakt och jämn.
Den deponerade alumíniumoxiden är dopad med en liten mängd alkalimetall, företrädesvis natrium. För att skapa en baksideskontakt för ClGS- solcellen kan ett molybdenskikt (3) deponeras ovanpå det elektriskt isolerade metallbandet. Molybdenskiktet ska vara kompakt och väl vidhäftande till metalloxidbeläggníngen för att undvika sprickbildning eller spallation.
Dessutom, ska molybdenskiktet ha en tjocklek mellan 0,1 - 5 pm, företrädesvis 0,4-2 pm.
En annan variant till de två ovannämnda exemplen är att inget molybden-baksidekontaktskikt deponeras ovanpå den elektriskt isolerande aluminiumoxid-multilagerstrukturen (2) eller det elektriskt isolerande aluminiumoxid-enkellagret (4) deponerat genom EB-deponering i roll-to-roll- processen. Detta är illustrerat i Figur 3. lfiguren är fördelen av en multilager metalloxidstruktur illustrerad genom avslutningen av varje por (5) och/eller elektriska passager (5) genom metalloxidmultilagren.
RolI-to-roll-elektronstråle-evaporationsprocessen illusteras i Figur 4.
Den första delen av en sådan produktionslinje är avlindningshaspeln (6) inom en vakuumkammare (7), därefter den i-linje-jonassisterade etsningskammaren (8), följt av en serie EB-evaporationskammare (9), antalet EB- evaporationskammare som behövs kan variera från 1 upp till 10 kammare, detta för att åstadkomma den önskade multilagrade metalloxidstrukturen. Alla metalloxid-EB-evaporationskammare (9) är utrustade med EB-kanoner (10) och vattenkylda koppardeglar (11) förförångningen. Den efterföljande kammaren är en separat kammare (12) för molybdentopplagrets EB- förångning, denna kammaren är också utrustad med en EB-kanon (13) och en degel (14) för molybdensmältan. Behovet av en separat EB- evaporationskammare för molybdenet kan uteslutas om endast metalloxid- belagda band ska framställas. Efter denna kammaren kommer utgångsvakuumkammaren (15) och haspeln (16) för det belagda bandmaterialet, där haspeln är lokaliserad inom vakuumkammaren (15).
Vakuumkamrarna 7 och 15 kan också ersättas med ett ingångsvakuum- låssystem respektive ett utgångsvakuum-låssystem. l det senare fallet, är avlindningshaspel 6 och haspel 16 är placerade i fria luften.

Claims (13)

PATENTKRAV
1. En belagd stålprodukt innefattande av ett metallbandsmaterial, k ä n n et e c k n a d a v att nämnda band har en beläggning innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en alkalimetall eller en blandning av alkalimetaller, där det nämnda metallbandmaterialets värmeutvidgningskoefficient är mindre än 12-10” K” itemperaturintervallet 0- 600°C, a v att det elektriskt isolerande skiktet innefattar åtminstone ett oxidskikt, och att oxidskiktet består väsentligen av någon av följande dielektriska oxider: AI2O3, Ti02, HfOz, Ta2O3 och Nb203 eller blandningar av dessa oxider, företrädesvis AI2O3 och/eller TiOg..
2. Belagd stålprodukt enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d a v att det metalliska bandmaterialet har en tjocklek på 5 till 200 pm, företrädesvis 10 till 100 pm.
3. Belagd stålprodukt enligt någon av kraven 1 och 2, k å n n et e c k n a d a v att det elektriskt isolerande skiktet har en multilagerstruktur av 2 till 10 skikt, för att säkerställa effektiv elektrisk isolering.
4. Belagd stålprodukt enligt krav 3, kä n n ete c k n a d a v att varje individuellt oxidskikt har en tjocklek på mellan 0,01 och 2 pm, företrädesvis mellan 0,1 och 1,5 pm.
5. Belagd stålprodukt enligt krav 1 eller 4, k ä n n ete c k n a d a v att endast skiktet, eller de två skikt, längst bort från det metalliska bandsubstratet är dopad(e) med alkalimetall(er).
6. Belagd stålprodukt enligt någon av de föregående, k ä n n e t e c k n a d a v att oxidbeläggningens totala tjocklek kan vara upp till 20 pm, företrädesvis 1 till 5 pm.
7. Belagd stålprodukt enligt någon av de föregående kraven, k ä n n e t e c k n a d a v att det elektriskt isolerande skiktet är belagt med ett ledande skikt, företrädesvis huvudsakligen gjort av molybden. 525 7ll4 _ fil
8. Belagd stålprodukt enligt krav 7, k ä n n et e c k n ad a v att molybdenskiktet har en tjocklek på mellan 0,01 och 5 pm, företrädesvis 0,1 och 2 pm.
9. Belagd stålprodukt enligt någon av de föregående kraven, k ä n n ete c k n a d a v att alkalimetallen är antingen Li, Na eller K, eller blandningar därav, företrädesvis Na.
10. Belagd stålprodukt enligt krav 3 eller 4, k ä n n ete c k n a d a v att de individuella skikten i multilagerstrukturen är antingen tillverkade av samma metalloxid eller av olika metalloxider och att varje individuellt skikt är tillverkat av en metalloxid eller av en blandning av två eller flera metalloxider.
11. Belagd stålprodukt enligt någon av de föregående kraven k ä n n etec k n a d a v att den är lämplig som ett substratrnaterial' för framställningen av flexibla Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-solceller.
12. Metod för framställning av en belagd stålprodukt enligt något av kraven 1- 1 1, k ä n n ete c k n a d a v att det(de) elektriskt isolerande skiktet(en) och det(en) elektriskt ledande skiktet(en) alla är deponerade i en roll-to-roll elektronstrâle-förångningsprocess.
13. En flexibel Cu(|n,Ga)Se2 (CIGS)-solcell k ä n n e t e c k n a d a v att den innefattar en belagd stålprodukt enligt något av kraven 1-11.
SE0302206A 2003-08-12 2003-08-12 Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller SE525704C2 (sv)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0302206A SE525704C2 (sv) 2003-08-12 2003-08-12 Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller
EP04775296A EP1665390A1 (en) 2003-08-12 2004-08-09 New metal strip product
JP2006523160A JP2007502536A (ja) 2003-08-12 2004-08-09 新規な金属ストリップ
PCT/SE2004/001173 WO2005015645A1 (en) 2003-08-12 2004-08-09 New metal strip product
KR1020067002893A KR101077046B1 (ko) 2003-08-12 2004-08-09 신규한 금속 스트립 제품
US10/567,122 US7989077B2 (en) 2003-08-12 2004-08-09 Metal strip product
CNB2004800231532A CN100499174C (zh) 2003-08-12 2004-08-09 金属带产品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0302206A SE525704C2 (sv) 2003-08-12 2003-08-12 Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0302206D0 SE0302206D0 (sv) 2003-08-12
SE0302206L SE0302206L (sv) 2005-02-13
SE525704C2 true SE525704C2 (sv) 2005-04-05

Family

ID=27800883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0302206A SE525704C2 (sv) 2003-08-12 2003-08-12 Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7989077B2 (sv)
EP (1) EP1665390A1 (sv)
JP (1) JP2007502536A (sv)
KR (1) KR101077046B1 (sv)
CN (1) CN100499174C (sv)
SE (1) SE525704C2 (sv)
WO (1) WO2005015645A1 (sv)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE527179C2 (sv) 2003-12-05 2006-01-17 Sandvik Intellectual Property Tunnfilmssolcell eller tunnfilmsbatteri, innefattande en zirkoniumoxidbelagd bandprodukt av ferritiskt kromstål
US20060060237A1 (en) * 2004-09-18 2006-03-23 Nanosolar, Inc. Formation of solar cells on foil substrates
JP2008514006A (ja) * 2004-09-18 2008-05-01 ナノソーラー インコーポレイテッド 箔基板上の太陽電池の形成
US8168256B2 (en) 2004-10-21 2012-05-01 Erten Eser Formation of selenide, sulfide or mixed selenide-sulfide films on metal or metal coated substrates
CN101438417B (zh) * 2006-03-14 2011-04-06 科鲁斯技术有限公司 包含金属衬底的基于黄铜矿半导体的光伏太阳能电池、用于光伏太阳能电池的被涂敷的金属衬底及其制造方法
US8101858B2 (en) * 2006-03-14 2012-01-24 Corus Technology B.V. Chalcopyrite semiconductor based photovoltaic solar cell comprising a metal substrate, coated metal substrate for a photovoltaic solar cell and manufacturing method thereof
WO2008121997A2 (en) * 2007-03-30 2008-10-09 Craig Leidholm Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
DE102007042616A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-12 Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh Metallische Folie zur Herstellung von Wabenkörpern und daraus hergestellter Wabenkörper
JP4974986B2 (ja) * 2007-09-28 2012-07-11 富士フイルム株式会社 太陽電池用基板および太陽電池
JP4550928B2 (ja) * 2009-01-16 2010-09-22 富士フイルム株式会社 光電変換素子、及びこれを用いた太陽電池
JP4629151B2 (ja) * 2009-03-10 2011-02-09 富士フイルム株式会社 光電変換素子及び太陽電池、光電変換素子の製造方法
US20100229938A1 (en) 2009-03-11 2010-09-16 Fujifilm Corporation Aluminum alloy substrate and solar cell substrate
DE102009013903A1 (de) * 2009-03-19 2010-09-23 Clariant International Limited Solarzellen mit einer Barriereschicht auf Basis von Polysilazan
JP2010263037A (ja) * 2009-05-01 2010-11-18 Fujifilm Corp 金属複合基板およびその製造方法
WO2011016518A1 (ja) 2009-08-06 2011-02-10 新日本製鐵株式会社 輻射伝熱加熱用金属板及びその製造方法、並びに異強度部分を持つ金属加工品及びその製造方法
KR101306913B1 (ko) * 2009-09-02 2013-09-10 한국전자통신연구원 태양 전지
CN101673777B (zh) * 2009-10-13 2011-04-27 华东师范大学 一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳能电池
CN102074615B (zh) * 2009-11-20 2012-10-03 正峰新能源股份有限公司 太阳能电池吸收层的非真空涂布方法
JP4700130B1 (ja) * 2010-02-01 2011-06-15 富士フイルム株式会社 絶縁性金属基板および半導体装置
JP5970796B2 (ja) * 2010-12-10 2016-08-17 Ｊｆｅスチール株式会社 太陽電池基板用鋼箔およびその製造方法、並びに太陽電池基板、太陽電池およびその製造方法
JP2012151385A (ja) * 2011-01-21 2012-08-09 Nisshin Steel Co Ltd Ｃｉｓ太陽電池用電極基板および電池
JP5727402B2 (ja) 2011-04-05 2015-06-03 富士フイルム株式会社 絶縁層付金属基板およびその製造方法並びに半導体装置
WO2012169845A2 (ko) * 2011-06-10 2012-12-13 주식회사 포스코 태양전지 기판과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지
KR101374690B1 (ko) 2011-11-16 2014-03-31 한국생산기술연구원 Ｃｉｇｓ 태양전지용 철-니켈 합금 금속 포일 기판재
US8916954B2 (en) 2012-02-05 2014-12-23 Gtat Corporation Multi-layer metal support
US20130200497A1 (en) * 2012-02-05 2013-08-08 Twin Creeks Technologies, Inc. Multi-layer metal support
US8841161B2 (en) 2012-02-05 2014-09-23 GTAT.Corporation Method for forming flexible solar cells
CN103258896A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 任丘市永基光电太阳能有限公司 柔性cigs薄膜太阳电池吸收层制备工艺
CN103296130A (zh) * 2012-03-05 2013-09-11 任丘市永基光电太阳能有限公司 一种柔性不锈钢衬底上CIGS吸收层的Na掺杂方法
CH706216A1 (de) * 2012-03-12 2013-09-13 Von Roll Solar Ag Substrat für elektrische oder elektronische Bauteile.
KR101315311B1 (ko) * 2012-07-13 2013-10-04 한국에너지기술연구원 후면전극 및 이를 포함하는 ｃｉｓ계 태양전지
US8785294B2 (en) 2012-07-26 2014-07-22 Gtat Corporation Silicon carbide lamina
JP2014203936A (ja) 2013-04-03 2014-10-27 昭和シェル石油株式会社 薄膜太陽電池
KR101482391B1 (ko) * 2013-04-17 2015-01-14 주식회사 포스코 박막형 태양전지용 기판의 제조방법
KR101428419B1 (ko) * 2013-08-30 2014-08-08 주식회사 포스코 절연특성이 우수한 태양전지용 기판 및 그 제조방법
KR101510542B1 (ko) * 2013-10-18 2015-04-08 주식회사 포스코 평탄화 특성 및 절연특성이 우수한 태양전지용 기판 및 그 제조방법
CN105097980B (zh) * 2014-05-14 2018-08-03 香港中文大学 薄膜太阳能电池及其制造方法
KR102462688B1 (ko) * 2020-07-17 2022-11-04 한국전력공사 유연 태양전지 및 이의 제조 방법
CN114759106B (zh) 2021-01-12 2024-03-08 宝山钢铁股份有限公司 一种适用于内联式薄膜光伏组件的涂镀钢板及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173873A (ja) * 1982-04-05 1983-10-12 Hitachi Ltd 非晶質シリコン太陽電池およびその製造方法
CA1308778C (en) * 1988-07-01 1992-10-13 Nobuhiro Furukawa Non-aqueous electrolyte cell
JP3019326B2 (ja) * 1989-06-30 2000-03-13 松下電器産業株式会社 リチウム二次電池
JPH04234177A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置
SE508676C2 (sv) * 1994-10-21 1998-10-26 Nordic Solar Energy Ab Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
JPH11261090A (ja) * 1998-03-09 1999-09-24 Nisshin Steel Co Ltd 太陽電池用基板及びその製造方法
JP4865119B2 (ja) * 1999-12-24 2012-02-01 日新製鋼株式会社 耐熱性に優れた太陽電池用絶縁基板及びその製造方法
JP3503824B2 (ja) * 2000-03-23 2004-03-08 松下電器産業株式会社 太陽電池およびその製造方法
DE10024882A1 (de) 2000-05-19 2001-11-29 Zsw Verfahren zur Herstellung einer photoelektrisch aktiven Verbindungshalbleiterschicht mit Alkalimetall-Dotieranteil
WO2003007386A1 (en) 2001-07-13 2003-01-23 Midwest Research Institute Thin-film solar cell fabricated on a flexible metallic substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR101077046B1 (ko) 2011-10-26
WO2005015645A1 (en) 2005-02-17
CN1836338A (zh) 2006-09-20
JP2007502536A (ja) 2007-02-08
EP1665390A1 (en) 2006-06-07
CN100499174C (zh) 2009-06-10
US7989077B2 (en) 2011-08-02
US20080257404A1 (en) 2008-10-23
KR20060115990A (ko) 2006-11-13
SE0302206D0 (sv) 2003-08-12
SE0302206L (sv) 2005-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE525704C2 (sv) Belagd stålprodukt av metallbandsmaterial innefattande ett elektriskt isolerande skikt dopat med en eller flera alkalimetaller
US7875360B2 (en) Steel strip coated with zirconia
KR20100126717A (ko) 태양 전지의 제조 방법
US20120064352A1 (en) Articles comprising a glass - flexible stainless steel composite layer
TW201202478A (en) Coated stainless steel substrate
JP2011176287A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
WO2012037286A1 (en) A process for coating glass onto a flexible stainless steel substrate
AU2013242984A1 (en) Method for producing thin-film solar modules and thin-film solar modules which are obtainable according to said method
CN102782866A (zh) 绝缘金属基板和半导体器件
CN101582461B (zh) 一种新型多层透明导电膜结构及其制备方法
CN101840939A (zh) 铝合金基板和太阳能电池基板
WO2012037242A2 (en) Glass-coated flexible substrates for photovoltaic cells
JP2001339081A (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP2011176285A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
JP2011176266A (ja) Ｓｅ化合物半導体用基板、Ｓｅ化合物半導体用基板の製造方法および薄膜太陽電池
WO2012033033A1 (ja) Ｃｉｇｓ太陽電池用基板および電池
US20120234391A1 (en) Glass-coated flexible substrates for photvoltaic cells
JP2011176288A (ja) 光電変換素子、薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法
JP2011159796A (ja) 絶縁層付基板および薄膜太陽電池
US20130004762A1 (en) Articles comprising a glass-flexible stainless steel composite layer
JP2011198942A (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
CN114759106B (zh) 一种适用于内联式薄膜光伏组件的涂镀钢板及其制造方法
JP2019182684A (ja) 低放射ガラス
JP2000164909A (ja) 薄膜太陽電池及びその製造方法
TW201717462A (zh) 電化學元件中的黏著性增進

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed