DE112009002518T5 - Verfahren und Struktur für Dünnschicht-Photovoltaikzelle unter Verwenden eines Übergangs aus ähnlichem Material - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 230000007704 transition Effects 0.000 title description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 87
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 70
- BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen disulfide Chemical compound SS BWGNESOTFCXPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 54
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 15
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 9
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GXAAOYDOGKQENU-UHFFFAOYSA-N [Al+3].[S--].[S--].[Cu++].[In+3] Chemical compound [Al+3].[S--].[S--].[Cu++].[In+3] GXAAOYDOGKQENU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 27
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 241000894007 species Species 0.000 description 17
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 11
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SEAVSGQBBULBCJ-UHFFFAOYSA-N [Sn]=S.[Cu] Chemical compound [Sn]=S.[Cu] SEAVSGQBBULBCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- NFMAZVUSKIJEIH-UHFFFAOYSA-N bis(sulfanylidene)iron Chemical compound S=[Fe]=S NFMAZVUSKIJEIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 229910000339 iron disulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002028 Biomass Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- -1 copper-copper disodium disulfide Chemical compound 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical group S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N Ferrous sulfide Chemical compound [Fe]=S MBMLMWLHJBBADN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000003502 gasoline Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 231100001231 less toxic Toxicity 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000003348 petrochemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000003209 petroleum derivative Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N sulfurothioic S-acid Chemical compound OS(O)(=O)=S DHCDFWKWKRSZHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
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- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
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- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
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Abstract
Description
- Querverweis auf verwandte Anmeldungen
- Diese Anmeldung beansprucht Priorität aus der vorläufigen U.S. Patentanmeldung Nr. 61/116,625, eingereicht am 20. November 2008, mit dem Titel „Method and Structure for Thin Film Photovoltaik Cell Using Similar Material Junction” von Erfinder Howard W. H. Lee, die hierin durch Erwähnung für alle Zwecke abgetreten und aufgenommen ist.
- Hintergrund der Erfindung
- Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Photovoltaikmaterialien samt Herstellungsverfahren. Insbesondere sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Struktur für die Herstellung von Dünnschicht-Photovoltaikzellen vor. Lediglich zum Beispiel umfassen das vorliegende Verfahren und die vorliegenden Materialien Absorbermaterialien aus Kupferindiumdisulfidspezies, Kupferzinnsulfid, Eisendisulfid oder andere für einschichtige Zellen oder mehrschichtige Zellen.
- Seit Anbeginn der Zeit ist die Menschheit mit dem Problem konfrontiert, einen Weg zur Gewinnung von Energie zu finden. Energie gibt es in Formen wie petrochemisch, hydroelektrisch, nuklear, Wind, Biomasse, Sonne und in primitiveren Formen wie Holz und Kohle. Im Laufe des letzten Jahrhunderts hat die moderne Gesellschaft auf petrochemische Energie als wichtige Energiequelle gesetzt. Petrochemische Energie umfasst Gas und Öl. Gas umfasst leichtere Formen wie Butan und Propan, die üblicherweise verwendet werden, um Wohnraum zu beheizen und als Brennstoff zum Kochen zu dienen. Gas umfasst auch Benzin, Diesel und Düsentreibstoff, die üblicherweise für Beförderungszwecke verwendet werden. Schwerere Formen von Petrochemikalien können auch verwendet werden, um an manchen Orten Wohnraum zu beheizen. Leider ist die Versorgung mit petrochemischem Brennstoff beruhend auf der auf dem Planet Erde verfügbaren Menge beschränkt und im Wesentlichen unveränderlich. Wenn mehr Menschen Petroleumerzeugnisse in steigenden Mengen nutzen, wird es ferner schnell zu einer knappen Ressource, die schließlich im Laufe der Zeit aufgebraucht wird.
- In letzter Zeit sind umweltfreundliche und erneuerbare Energiequellen gefragt. Ein Beispiel für eine saubere Energiequelle ist Wasserkraft. Wasserkraft wird von elektrischen Generatoren gewonnen, die durch den von Dämmen wie dem Hoover-Damm in Nevada erzeugtem Wasserstrom angetrieben werden. Die erzeugte elektrische Leistung wird genutzt, um einen großen Teil der Stad Los Angeles in Kalifornien mit Strom zu versorgen. Saubere und erneuerbare Energiequellen umfassen auch Wind, Wellen, Biomasse und dergleichen. D. h. Windmühlen wandeln Windenergie in brauchbarere Energieformen wie Elektrizität um. Noch andere Arten von sauberer Energie umfassen Solarenergie. Spezifische Einzelheiten zu Solarenergie lassen sich im gesamten vorliegenden Hintergrund und insbesondere nachstehend finden.
- Die Solarenergietechnologie wandelt elektromagnetische Strahlung der Sonne allgemein in andere brauchbare Energieformen um. Diese anderen Energieformen umfassen Wärmeenergie und Strom. Solarzellen werden häufig für Stromanwendungen verwendet. Auch wenn Solarenergie umweltfreundlich ist und bis zu einem Punkt erfolgreich ist, bleiben viele Einschränkungen zu lösen, bevor sie in der ganzen Welt verbreitet genutzt wird. Zum Beispiel verwendet eine Art von Solarzelle kristalline Materialien, die aus Halbleitermaterialblöcken gewonnen werden. Diese kristallinen Materialien können genutzt werden, um optoelektronische Vorrichtungen herzustellen, die Photovoltaik- und Photodioden-Vorrichtungen umfassen, die elektromagnetische Strahlung in Strom umwandeln. Kristalline Materialien sind aber häufig teuer und schwierig im großen Maßstab herzustellen. Ferner weisen aus solchen kristallinen Materialien hergestellte Vorrichtungen häufig geringe Energieumwandlungswirkungsgrade auf. Andere Arten von Solarzellen nutzen „Dünnschicht”-Technologie, um eine Dünnschicht aus photosensitivem Material zu bilden, die zum Umwandeln von elektromagnetischer Strahlung in Strom zu verwenden ist. Ähnliche Beschränkungen liegen bei der Verwendung von Dünnschichttechnologie bei der Herstellung von Solarzellen vor. D. h. die Wirkungsgrade sind häufig mangelhaft. Ferner ist die Schichtzuverlässigkeit häufig mangelhaft und kann in herkömmlichen Umweltanwendungen nicht über längere Zeiträume verwendet werden. Häufig lassen sich Dünnschichten nur schwierig miteinander mechanisch integrieren. Diese und andere Beschränkungen dieser herkömmlichen Technologien lassen sich in der gesamten vorliegenden Beschreibung und insbesondere nachstehend finden.
- Aus dem Vorstehenden ist ersichtlich, dass verbesserte Techniken zum Herstellen von photovoltaischen Materialien und resultierenden Vorrichtungen erwünscht sind.
- Kurze Zusammenfassung der Erfindung
- Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden von Dünnschicht-Halbleitermaterialien für photovoltaische Anwendungen vorgesehen. Insbesondere sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden von Dünnschicht-Halbleitermaterialien vor, die für die Herstellung von Photovoltaikzellen verwendet werden. Lediglich beispielhaft umfassen das vorliegende Verfahren und die vorliegenden Materialien Absorbermaterialien aus Kupferindiumdisulfidspezies, Kupferzinnsulfid, Eisendisulfid oder anderen für einschichtige Zellen oder mehrschichtige Zellen.
- In einer spezifischen Ausführungsform wird ein Verfahren zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung vorgesehen. Das Verfahren umfasst das Vorsehen eines transparenten Substrats, das einen Oberflächenbereich umfasst. Eine erste Elektrodenschicht wird über dem Oberflächenbereich liegend ausgebildet. Das Verfahren umfasst das Ausbilden einer Kupferschicht, die über der ersten Elektrodenschicht liegt, und das Ausbilden einer Indiumschicht, die über der Kupferschicht liegt, um eine mehrschichtige Struktur zu bilden. In einer spezifischen Ausführungsform umfasst das Verfahren das Unterziehen zumindest der mehrschichtigen Struktur einem Wärmebehandlungsprozess in einer Umgebung, die eine schwefelhaltige Spezies enthält, und das Bilden eines Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterials aus mindestens dem Behandlungsprozess der mehrschichtigen Struktur. In einer spezifischen Ausführungsform bildet das Verfahren ein Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial aus mindestens dem Behandlungsprozess der mehrschichtigen Struktur. Wobei das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial einen Oberflächenbereich aufweist, der durch einen kupferarmen Oberflächenbereich gekennzeichnet ist, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 umfasst. In einer spezifischen Ausführungsform weist der kupferarme Oberflächenbereich n-leitende Störstelleneigenschaften auf. In einer spezifischen Ausführungsform bildet das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial, das den kupferarmen Oberflächenbereich ausschließt, einen Absorberbereich, und wobei der kupferarme Oberflächenbereich mindestens einen Abschnitt eines Fensterbereichs für die photovoltaische Zelle bildet. In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren das Bilden eines transparenten Materials hohen spezifischen Widerstands, das über dem kupferarmen Oberflächenbereich mit den Eigenschaften einer n-leitenden Störstelle liegt. Die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands verwendet ein Halbleitermaterial, das in einer spezifischen Ausführungsform eine intrinsische Halbleitereigenschaft hat. Über der transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands liegend ist eine zweite Elektrodenschicht ausgebildet.
- In einer alternativen Ausführungsform wird eine photovoltaische Dünnschichtvorrichtung vorgesehen. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst ein Substrat, das einen Oberflächenbereich umfasst. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst eine erste Elektrodenschicht, die über dem Oberflächenbereich liegt. Ein Chalkopyritmaterial, das einen Chalkopyritmaterial-Oberflächenbereich umfasst, liegt über der ersten Elektrodenschicht. In einer spezifischen Ausführungsform umfasst das Chalkopyritmaterial ein Kupferindiumdisulfidmaterial und einen kupferarmen Kupferindiumdisulfid-Oberflächenbereich. Der kupferarme Kupferindiumdisulfid-Oberflächenbereich hat ein Atomverhältnis von Cu:In von etwa 0,99 und weniger und hat eine Eigenschaft einer n-leitenden Störstelle. In einer spezifischen Ausführungsform sieht der kupferarme Kupferindiumdisulfid-Oberflächenbereich eine Fensterschicht für die photovoltaische Vorrichtung vor. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst auch eine zweite Elektrodenschicht, die über der Fensterschicht liegt.
- In einer noch anderen Ausführungsform wird eine photovoltaische Dünnschichtvorrichtung vorgesehen. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst ein Substrat, das einen Oberflächenbereich umfasst. Über dem Oberflächenbereich liegt eine erste Elektrodenschicht. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst einen Absorberbereich, der über der ersten Elektrodenschicht liegt. In einer spezifischen Ausführungsform umfasst der Absorberbereich ein Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst einen Fensterbereich, der einen Oberflächenbereich aus dem Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial umfasst. Der Oberflächenbereich aus dem Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial ist durch einen kupferarmen Oberflächenbereich gekennzeichnet, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium aufweist, das kleiner als etwa 0,95:1 ist. Wobei der kupferarme Oberflächenbereich in einer spezifischen Ausführungsform Eigenschaften einer n-leitenden Störstelle hat. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung kann ein transparentes Material hohen spezifischen Widerstands umfassen, das über dem kupferarmen Oberflächenbereich mit den Eigenschaften einer n-leitenden Störstelle liegt. Die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands umfasst ein Halbleitermaterial mit einer intrinsischen Halbleitereigenschaft. Die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst eine zweite Elektrodenschicht, die über der transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands liegt. Die zweite Elektrodenschicht umfasst in einer spezifischen Ausführungsform ein Zinkoxidmaterial mit Eigenschaften einer n-leitenden Störstelle.
- Durch die vorliegende Erfindung werden viele Vorteile erreicht. Zum Beispiel nutzt die vorliegende Erfindung Ausgangsmaterialien, die im Handel erhältlich sind, um eine Dünnschicht aus halbleiterhaltigem Material zu bilden, die über einem geeigneten Substratelement liegt. Die Dünnschicht aus halbleiterhaltigem Material kann weiter bearbeitet werden, um ein Halbleiter-Dünnschichtmaterial von erwünschten Eigenschaften zu bilden, beispielsweise atomare Stöchiometrie, Störstellenkonzentration, Trägerkonzentration, Dotierung usw. In einer spezifischen Ausführungsform kann das Dünnschicht-Halbleitermaterial unter Verwenden eines Kupferindiumdisulfidmaterials vorgesehen werden. In einer spezifischen Ausführungsform ist das Kupferindiumdisulfidmaterial durch eine Bandlücke von etwa 1,55 eV gekennzeichnet. Ferner nutzen die erfindungsgemäßen Ausführungsformen umweltfreundliche Materialien, die verhältnismäßig weniger toxisch als andere photovoltaische Dünnschichtmaterialien sind. In einer bevorzugten Ausführungsform ist das vorliegende Verfahren und die sich ergebende Struktur im Wesentlichen frei von einem parasitären Übergang auf einer Absoberschicht, die auf einem kupferarmen Chalkopyritmaterial beruht. In einer spezifischen Ausführungsform nutzt das vorliegende Verfahren das kupferarme Chalkopyritmaterial, das eine Eigenschaft einer n-leitenden Störstelle hat, als Fensterschicht für die photovoltaische Zelle. In einer bevorzugten Ausführungsform reicht auch die Leerlaufspannung des Chalkopyritmaterials wie etwa Kupferindiumdisulfid von etwa 0,8 Volt und mehr und vorzugsweise 0,9 Volt und mehr oder 1,0 Volt und mehr bis zu 1,2 Volt. Abhängig von der Ausführungsform können ein oder mehrere der Vorteile erreicht werden. Diese und andere Vorteile werden in der gesamten vorliegenden Beschreibung und insbesondere nachstehend näher beschrieben.
- Lediglich beispielhaft umfassen das vorliegende Verfahren und die vorliegenden Materialien Absorbermaterialien aus Kupferindiumdisulfidspezies, Kupferzinnsulfid, Eisendisulfid oder anderen für einschichte Zellen oder mehrschichtige Zellen.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 –8 sind schematische Diagramme, die ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigen; -
9 –10 sind vereinfachte Diagramme, die ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung nach einer erfindungsgemäßen Ausführungsform zeigen, die einen kupferarmen Oberflächenbereich für eine Fensterschicht umfasst. - Eingehende Beschreibung der Erfindung
- Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden von Halbleitermaterialien für photovoltaische Anwendungen vorgesehen. Insbesondere sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen von photovoltaischen Dünnschichtvorrichtungen vor. Lediglich zum Beispiel wird das Verfahren verwendet, um ein Kupferindiumdisulfid-Dünnschichtmaterial für eine Solarzellenanwendung hohen Wirkungsgrads vorzusehen. Es versteht sich aber, dass die vorliegende Erfindung einen viel breiteren Bereich der Anwendbarkeit hat, zum Beispiel können Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung verwendet werden, um andere halbleitende Dünnschichten oder Mehrschichten zu bilden, die Eisensulfid, Kadmiumsulfid, Zinkselenid und andere sowie Metalloxide wie Zinkoxid, Eisenoxid, Kupferoxid und andere umfassen.
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1 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess eines Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie in1 gezeigt ist ein Substrat110 vorgesehen. In einer Ausführungsform umfasst das Substrat110 einen Oberflächenbereich112 und ist in einer Prozessphase in einer (nicht gezeigten) Prozesskammer gehalten. In einer anderen Ausführungsform ist das Substrat110 ein optisch transparentes festes Material. Zum Beispiel kann das Substrat110 ein Glas, Quarz, Quarzgut oder ein Kunststoff oder Metall oder Folie oder Halbleiter oder andere Verbundwerkstoffe sein. Abhängig von der Ausführungsform kann das Substrat ein einzelnes Material, mehrere Materialien, die geschichtet sind, Verbundstoffe, oder gestapelt sein, einschließlich Kombinationen derselben und dergleichen. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. -
2 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie in2 gezeigt sieht die vorliegende Erfindung einen Prozess zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung vor, um eine Elektrodenschicht zu bilden. Insbesondere wird eine erste Elektrodenschicht120 gebildet, die über dem Oberflächenbereich112 des Substrats110 liegt. Zum Beispiel kann die erste Elektrodenschicht120 gemäß einer spezifischen Ausführungsform aus Molybdän unter Verwenden von Sputtern, Verdampfung (z. B. Elektronenstrahl), Galvanisieren, Kombination derselben und dergleichen hergestellt werden. Die Dicke der ersten Elektrodenschicht kann von 100 nm bis zu 2 Mikrometer u. a. reichen, wobei sie gemäß einer spezifischen Ausführungsform durch einen spezifischen Widerstand von etwa 100 Ohm/cm2 bis 10 Ohm/cm2 und weniger gekennzeichnet ist. In einer bevorzugten Ausführungsform besteht die erste Elektrode aus Molybdän oder Wolfram, kann aber anderes wie Kupfer, Chrom, Aluminium, Nickel oder Platin sein. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. -
3 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Gezeigt ist ein Prozess zum Bilden einer Kupferschicht, die über der im letzten Prozess gebildeten ersten Elektrodenschicht liegt. Insbesondere wird eine Kupfer(Cu)-Schicht130 gebildet, die über der ersten Elektrodenschicht120 liegt. Zum Beispiel wird die Kupferschicht unter Verwenden eines Sputterprozesses gebildet. In einem Beispiel kann ein DC-Magnetronsputterprozess verwendet werden, um die Cu-Schicht130 auf der ersten Elektrodenschicht120 unter einer folgenden Bedingung abzuscheiden. Der Abscheidungsdruck (unter Verwenden von Ar-Gas) wird auf etwa 6,2 mTorr gesteuert. Der Gasdurchsatz wird auf etwa 32 sccm eingestellt. Die Abscheidungstemperatur kann einfach bei Raumtemperatur liegen, ohne Notwendigkeit des absichtlichen Erhitzens des Substrats. Natürlich kann sich ein geringfügiges Erhitzen aufgrund des während der Abscheidung erzeugten Plasmas ergeben. Ferner kann die Gleichstromversorgung von etwa 115 W erforderlich sein. Gemäß bestimmten Ausführungsformen ist ein Gleichstrom in einem Bereich von 100 W bis 150 W abhängig von spezifischen Fällen mit unterschiedlichen Materialien geeignet. Die volle Abscheidungszeit für eine Cu-Schicht von 330 nm Dicke liegt bei etwa 6 Minuten oder mehr. Natürlich kann die Abscheidungsbedingung gemäß einer spezifischen Ausführungsform verändert und abgewandelt werden. - In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das Verfahren das Bilden einer Sperrschicht
125 , die über der ersten Elektrodenschicht liegt, um einen Grenzflächenbereich zwischen der ersten Elektrodenschicht und der Kupferschicht zu bilden. In einer spezifischen Ausführungsform wird der Grenzflächenbereich während späterer Bearbeitungsschritte im Wesentlichen frei von einer Metalldisulfidschicht gehalten, die eine Halbleitereigenschaft aufweist, die sich von dem Kupferindiumdisulfidmaterial unterscheidet. Abhängig von der Ausführungsform weist die Sperrschicht geeignete leitende Eigenschaften auf und kann reflektierend sein, um elektromagnetische Strahlung zurückzureflektieren zu lassen, oder kann auch transparent oder dergleichen sein. In einer spezifischen Ausführungsform wird die Sperrschicht aus Platin, Titan, Chrom oder Silber gewählt. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. -
4 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie gezeigt ist ein Prozess zum Vorsehen einer Indium(In)-Schicht, die über der Kupferschicht liegt, veranschaulicht. Insbesondere wird die Indiumschicht140 über der Kupferschicht130 liegend gebildet. Zum Beispiel wird die Indiumschicht unter Verwenden eines Sputterprozesses über der Kupferschicht abgeschieden. In einem Beispiel kann ein DC-Magnetronsputterprozess verwendet werden, um die auf der Cu-Schicht120 liegende In-Schicht140 unter einer ähnlichen Bedingung zum Abscheiden der Cu-Schicht abzuscheiden. Die Abscheidungszeit für die Indiumschicht kann kürzer als die für die Cu-Schicht sein. Zum Beispiel können 2 Minuten und 45 Sekunden für das Abscheiden einer In-Schicht von etwa 410 nm Dicke gemäß einer spezifischen Ausführungsform ausreichend sein. In einem anderen Beispiel wird die Indiumschicht abhängig von der spezifischen Ausführungsform über der Kupferschicht liegend durch einen Galvanisierungsprozess oder andere vorgesehen. - Gemäß erfindungsgemäßen Ausführungsformen veranschaulichen
1 bis4 eine Bildung einer mehrschichtigen Struktur150 , die Kupfer und Indium auf einem transparenten Substrat umfasst, die durch Prozesse eines Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung vorgesehen wird. In einer Ausführungsform sind die Kupferschicht130 sowie die Indiumschicht140 mit einer ausgewählten Stöchiometrie vorgesehen, um sicherzustellen, dass die mehrschichtige Struktur150 ein Cu-reiches Material mit einem Atomverhältnis von Cu:In von mehr als 1 darin ist. Zum Beispiel kann das Atomverhältnis von Cu:In abhängig von der spezifischen Ausführungsform in einem Bereich von 1,2:1 bis 2,0:1 oder größer liegen. In einer Umsetzung liegt das Atomverhältnis von Cu:In zwischen 1,35:1 und 1,60:1. In einer anderen Umsetzung ist das Atomverhältnis von Cu:In mit etwa 1,55:1 gewählt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das Cu:In-Verhältnis kupferreich eingebracht, das in der resultierenden Struktur im Wesentlichen die gesamte Indiumspezies aufbraucht. In einer spezifischen Ausführungsform bewirkt der Bildungsprozess der Indiumschicht140 im Wesentlichen keine Änderung der atomaren Stöchiometrie in der früher gebildeten Kupferschicht130 . In einer anderen spezifischen Ausführungsform wird der Bildungsprozess der Indiumschicht140 früher über der ersten Elektrodenschicht120 liegend ausgeführt, während der Bildungsprozess der Kupferschicht130 später über der Indiumschicht140 liegend ausgeführt wird. -
5 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie gezeigt wird die ausgebildete mehrschichtige Struktur150 , die mindestens eine Indiumschicht140 über einer Kupferschicht130 umfasst, einem Wärmebehandlungsprozess200 in einer Umgebung, die eine schwefelhaltige Spezies210 enthält, bei einem angemessenen Druck und bei einer Temperatur von etwa 400°C bis etwa 600°C etwa drei bis fünfzehn Minuten lang für einen schnellen Wärmeprozess gemäß einer spezifischen Ausführungsform unterzogen. In einem Beispiel sind die schwefelhaltigen Spezies in einer Fluidphase. Zum Beispiel kann der Schwefel in einer Lösung vorgesehen werden, die aufgelöstes Na2S, CS2, (NH4)2S, Thiosulfat und andere aufweist. In einem anderen Beispiel sind die schwefelhaltigen Spezies210 Wasserstoffsulfid in Gasphase. In anderen Ausführungsformen kann der Schwefel in einer Feststoffphase vorgesehen werden. In einer Feststoffphase kann der elementare Schwefel erhitzt und sieden gelassen werden, der zu einer Gasphase verdampft, z. B. Sn. In einer spezifischen Ausführungsform darf die Gasphase mit den Indium-/Kupferschichten reagieren. In anderen Ausführungsformen können andere Kombinationen von Schwefelspezies verwendet werden. Natürlich umfasst der Wärmebehandlungsprozess200 einen bestimmten vorbestimmten Anlauf- und Rücklaufzeitraum mit einer bestimmten vorbestimmten Geschwindigkeit für Temperaturänderungen. Zum Beispiel ist der Wärmebehandlungsprozess ein schneller thermischer Glühprozess. Das Wasserstoffsulfidgas wird durch ein oder mehrere Zugangsventile mit Durchflussteuerung in die Prozesskammer vorgesehen, wo der Wasserstoffsulfidgasdruck durch eine oder mehrere Pumpen untergesteuert wird. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben. - In einer spezifischen Ausführungsform kann der Schwefel als Schicht vorgesehen werden, die über den Indium- und Kupferschichten oder den Kupfer- und Indiumschichten liegt. In einer spezifischen Ausführungsform wird das Schwefelmaterial als eine dünne Schicht oder strukturierte Schicht vorgesehen. Abhängig von der Ausführungsform kann der Schwefel als Schlicker, Pulver, Feststoff, Gas, Paste oder andere geeignete Form vorgesehen werden. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben.
- Bezüglich der
5 bewirkt der Wärmebehandlungsprozess200 eine Reaktion zwischen Kupfer-Indium-Material in der mehrschichtigen Struktur150 und den schwefelhaltigen Spezies210 , wodurch eine Schicht aus Kupferindiumdisulfidmaterial (oder eine Kupferindiumdisulfid-Dünnschicht)220 gebildet wird. In einem Beispiel wird das Kupferindiumdisulfidmaterial oder die Kupferindiumdisulfid-Dünnschicht220 durch Aufnehmen von Schwefelionen/-atomen, die aus den schwefelhaltigen Spezies gelöst oder aus diesen zersetzt wurden, in die mehrschichtige Struktur150 mit wechselseitig darin diffundierten Indiumatomen und Kupferatomen umgewandelt. In einer Ausführungsform würde der Wärmebehandlungsprozess200 zu einer Bildung einer Abdeckschicht über dem umgewandelten Kupferindiumdisulfidmaterial220 führen. Die Abdeckschicht enthält eine Dicke von im Wesentlichen Kupfersulfidmaterial221 , jedoch im Wesentlichen frei von Indiumatomen. Das Kupfersulfidmaterial221 umfasst einen Oberflächenbereich225 des gleichen Kupfersulfidmaterials, das Im Wesentlichen frei von Indiumatomen ist. In einer spezifischen Ausführungsform erfolgt die Bildung dieser Abdeckschicht unter Cu-reichen Bedingungen für die ursprüngliche Cu-In-haltige mehrschichtige Struktur150 . Abhängig von den Anwendungen liegt die Dicke des Kupfersulfidmaterials221 beruhend auf der ursprünglichen mehrschichtigen Struktur150 mit einer über der Kupferschicht130 liegenden Indiumschicht140 in einer Größenordnung von etwa fünf bis zehn Nanometer und mehr. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. -
6 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie in6 gezeigt wird ein Eintauchprozess300 an dem Kupfersulfidmaterial221 , das die Kupferindiumdisulfid-Dünnschicht220 bedeckt, durchgeführt. Insbesondere wird der Eintauchprozess gemäß einer spezifischen Ausführungsform durch Einwirkenlassen von 1 bis etwa 10 Gew.-% Kaliumcyanidlösung310 auf den Oberflächenbereich225 ausgeführt. Das Kaliumcyanid dient als Ätzmittel, das Kupfersulfidmaterial221 selektiv entfernen kann. Der Ätzprozess startet von dem freiliegenden Oberflächenbereich225 und die Dicke des Kupfersulfidmaterials221 hinunter und wird an der Grenzfläche zwischen dem Kupfersulfidmaterial221 und dem Kupferindiumdisulfidmaterial220 im Wesentlichen angehalten. Dadurch wird die Kupfersulfidabdeckschicht221 selektiv durch den Ätzprozess entfernt, so dass ein neuer Oberflächenbereich228 der verbleibenden Kupferindiumdisulfid-Dünnschicht220 gemäß einer spezifischen Ausführungsform freigelegt wird. In einer bevorzugten Ausführungsform liegt die Ätzselektivität zwischen Kupfersulfid und Kupferindiumdisulfid bei etwa 1:100 oder mehr. In anderen Ausführungsformen können andere selektive Ätzspezies verwendet werden. In einer spezifischen Ausführungsform kann die Ätzspezies Wasserstoffperoxid sein. In anderen Ausführungsformen können andere Techniken, einschließlich elektrochemisches Ätzen, Plasmaätzen, Sputterätzen oder eine beliebige Kombination derselben, verwendet werden. In einer spezifischen Ausführungsform kann das Kupfersulfidmaterial mechanisch entfernt, chemisch entfernt, elektrisch entfernt oder in einer beliebigen Kombination derselben usw. entfernt werden. In einer spezifischen Ausführungsform beträgt die Absorberschicht aus Kupferindiumdisulfid etwa 1 bis 10 Mikrometer, kann aber andere Werte haben. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben. -
7 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränkten sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie in7 gezeigt wird eine p-Kupferindiumdisulfidschicht320 gebildet. In bestimmten Ausführungsformen hat das zuvor gebildete Kupferindiumdisulfidmaterial220 eine p-halbleitende Eigenschaft besessen und ist im Wesentlichen das gleiche wie die p-Kupferindiumdisulfidschicht320 . In einer anderen Ausführungsform wird das Kupferindiumdisulfidmaterial220 einem zusätzlichen Dotierungsprozess unterzogen, um darin eine p-leitende Störstellendichte zum Zweck einer optimalen I-V-Eigenschaft der photovoltaischen Dünnschichtvorrichtungen hohen Wirkungsgrads vorzusehen. In einer spezifischen Ausführungsform werden Aluminiumspezies in das Kupferindiumdisulfidmaterial220 gemischt. In einem anderen Beispiel wird das Kupferindiumdisulfidmaterial220 mit einem Kupferindiumaluminiumdisulfidmaterial gemischt, um die Schicht320 zu bilden. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben. - Anschließend wird eine Fensterschicht
310 gebildet, die über dem p-Kupferindiumdisulfidmaterial320 liegt. Die Fensterschicht310 kann aus einer Gruppe von Materialien bestehend aus einem Kadmiumsulfid (CdS), einem Zinksulfid (ZnS), Zinkselen (ZnSe), Zinkoxid (ZnO), Zinkmagnesiumoxid (ZnMgO) oder anderen gewählt werden und kann mit Verunreinigungen für Leitfähigkeit, z. B. n+-Typ, dotiert werden. Die Fensterschicht310 soll als anderer Teil eines PN-Übergangs dienen, der einer photovoltaischen Zelle zugeordnet ist. Daher wird die Fensterschicht310 während oder nach ihrer Bildung stark dotiert, um eine n+-leitende Halbleiterschicht zu bilden. In einem Beispiel werden Indiumspezies als Dotierungsmaterial verwendet, um die Bildung der n+-Typ-Eigenschaft zu bewirken, die der Fensterschicht310 zugeordnet wird. In einem anderen Beispiel wird der Dotierungsprozess unter Verwenden geeigneter Bedingungen ausgeführt. In einer spezifischen Ausführungsform kann die ZnO-Fensterschicht, die mit Aluminium dotiert ist, von etwa 200 bis 500 Nanometer reichen. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben. -
8 ist ein schematisches Diagramm, das einen Prozess des Verfahrens zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Das Diagramm ist lediglich ein Beispiel, das die Ansprüche dieser Anmeldung nicht unangemessen beschränken sollte. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. Wie in8 gezeigt wird eine leitende Schicht330 zumindest auf einem ausgewählten Abschnitt der Fensterschicht310 vorgesehen, um eine obere Elektrodenschicht für die photovoltaische Vorrichtung zu bilden. In einer Ausführungsform ist die leitende Schicht330 eine transparente leitende Oxid(TCO)-Schicht. Zum Beispiel kann TCO aus einer Gruppe bestehend aus In2O3:Sn (ITO), ZnO:Al (AZO), SnO2:F (TFO) und anderen gewählt werden. In einer anderen Ausführungsform ist die Bildung der TCO-Schicht von einem Strukturierungsschritt zum wirksamen Ausführen der Funktion der oberen Elektrodenschicht für die photovoltaische Vorrichtung unter Berücksichtigen des Maximierens des Wirkungsgrads der dünnschichtbasierten photovoltaischen Vorrichtungen gefolgt. In bestimmten Ausführungsformen kann die TCO-Schicht als Fensterschicht dienen, was im Wesentlichen eine separate Fensterschicht eliminiert. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben. - In einer bevorzugten Ausführungsform hält das vorliegende Verfahren einen Grenzbereich zwischen der über dem Oberflächenbereich liegenden ersten Elektrodenschicht und dem Kupferindiumdisulfidmaterial im Wesentlichen frei von einer Metalldisulfidschicht, die unterschiedliche Halbleitereigenschaften von dem Kupferindiumdisulfidmaterial hat. Abhängig von der Art des ersten Elektrodenmaterials wird die Metalldisulfidschicht aus Molybdändisulfidschicht oder dergleichen gewählt. In einer spezifischen Ausführungsform ist der Grenzbereich durch eine im Wesentlichen eine Bildung der Metalldisulfidschicht verhindernde Oberflächenmorphologie gekennzeichnet, die durch eine Dicke von etwa 5 bis 10 Nanometer gekennzeichnet ist. In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das vorliegende Verfahren einen Wärmeprozess während mindestens des Beibehaltungsprozesses oder eines Teils des Beibehaltungsprozesses von mindestens 300°C und höher, um eine Bildung der Metalldisulfidschicht zu verhindern, die das Molybdändisulfid oder eine ähnliche Schicht sein kann. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen oder Alternativen geben.
- In einer spezifischen Ausführungsform sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung vor, das nachstehend umrissen wird.
- 1. Start;
- 2. Vorsehen eines transparenten Substrats, das einen Oberflächenbereich umfasst;
- 3. Bilden einer über dem Oberflächenbereich liegenden ersten Elektrodenschicht;
- 4. Bilden einer über der ersten Elektrodenschicht liegenden Kupferschicht;
- 5. Bilden einer über der Kupferschicht liegenden Indiumschicht, um eine mehrschichtige Struktur zu bilden (alternativ wird Indium zuerst gebildet oder es werden mehrere Schichten sandwichartig aufeinander vorgesehen);
- 6. Einwirkenlassen eines Wärmebehandlungsprozesses auf mindestens die mehrschichtige Struktur in einer eine schwefelhaltige Spezies enthaltenden Umgebung;
- 7. Bilden eines Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterials aus mindestens dem Behandlungsprozess der mehrschichtigen Struktur, wobei das Kupferindiumdisulfidmaterial ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium, das von etwa 1,2:1 bis etwa 2:1 oder 1,35:1 bis etwa 1,60:1 (oder vorzugsweise und alternativ von etwa 0,99:1 oder 0,95:1 oder weniger) reicht, und eine Dicke von im Wesentlichen Kupfersulfidmaterial mit einem Kupfersulfidoberflächenbereich umfasst;
- 8. Entfernen der Dicke des Kupfersulfidmaterials, um einen Oberflächenbereich mit einem kupferarmen Oberflächenbereich freizusetzen, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 oder 0,99:1 umfasst, der kupferarme Oberflächenbereich hat eine n-leitende Störstelleneigenschaft; und
- 9. Bilden einer über dem kupferarmen Oberflächenbereich liegenden optionalen transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands, die die n-leitende Störstelleneigenschaft aufweist;
- 10. Bilden einer zweiten Elektrodenschicht; und
- 11. Bedarfsweises Ausführen anderer Schritte.
- Die vorstehende Schrittfolge sieht ein Verfahren gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vor. In einer spezifischen Ausführungsform sieht die vorliegende Erfindung ein Verfahren und eine sich ergebende photovoltaische Struktur unter Verwenden eines kupferarmen Oberflächenbereichs für die Fensterschicht und frei von parasitären Übergangsbereichen in der Absorberschicht vor. Es können auch andere Alternative vorgesehen werden, bei denen Schritte hinzugefügt werden, ein oder mehrere Schritte entfernt werden oder ein oder mehrere Schritte in einer anderen Folge vorgesehen werden, ohne vom Schutzumfang der vorliegenden Ansprüche abzuweichen. Einzelheiten des vorliegenden Verfahrens und der vorliegenden Struktur lassen sich in der gesamten vorliegenden Beschreibung und insbesondere nachstehend finden.
-
9 –11 sind vereinfachte Diagramme, die ein Verfahren und eine Struktur zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. Diese Diagramme sind lediglich Beispiele, die den Schutzumfang der vorliegenden Ansprüche nicht unangemessen beschränkten sollten. Ein Fachmann würde andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. In einer spezifischen Ausführungsform beginnt das vorliegende Verfahren mit einer teilweise fertig gestellten photovoltaischen Vorrichtung900 . Wie gezeigt umfasst die Vorrichtung ein transparentes Substrat901 , das einen Oberflächenbereich umfasst, auch wenn andere Substrate verwendet werden können. Die photovoltaische Vorrichtung umfasst auch eine über dem Oberflächenbereich liegende erste Elektrodenschicht903 . In einer spezifischen Ausführungsform kann die erste Elektrodenschicht ein beliebiges leitendes Material sein, das leitende Metalle, Oxide und Halbleiter oder Kombinationen derselben umfasst, sowie ein beliebiges Material, das hierin beschrieben ist und außerhalb der vorliegenden Beschreibung liegt. - In einer spezifischen Ausführungsform umfasst die photovoltaische Vorrichtung ein Chalkopyritmaterial, das als Absorber
905 für die photovoltaische Vorrichtung dient. Wie gezeigt kann das Chalkopyritmaterial u. a. Kupferindiumdisulfidmaterial, Kupferindiumaluminiumdisulfid, Kupferindiumgalliumdisulfid, Kombinationen derselben u. a. umfassen. In einer spezifischen Ausführungsform ist das Chalkopyritmaterial kupferreich oder alternativ kupferarm und durch einen oder mehrere Abschnitte mit einem Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von 0,99:1 und weniger oder 0,95:1 und weniger gekennzeichnet. In einer bevorzugten Ausführungsform weist das Kupferindiumdisulfidmaterial ein oder mehrere kupferarme Bereiche auf, die vorzugsweise unter Verwenden einer ionischen Spezies kompensiert sind. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. In einer spezifischen Ausführungsform weist das Chalkopyrit eine dünne Schicht aus Kupfersulfid907 auf, die bereits beschrieben wurde, die als Rückstand oder festes Material zurückbleiben kann, wenn das Bulkmaterial kupferreich ist. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. - Unter Bezug auf
10 entfernt das Verfahren selektiv die dünne Schicht aus Kupfersulfid. In einer spezifischen Ausführungsform wird die dünne Schicht unter Verwenden einer Lösung aus Kaliumcyanid (KCN) oder einer anderen geeigneten Methode, z. B. Trockenätzen, Plasmaätzen, Sputtern u. a. entfernt909 . In einer spezifischen Ausführungsform kann das Verfahren die Bildung eines kupferarmen Oberflächenbereichs1001 bewirken. In einer spezifischen Ausführungsform ist die kupferarme Oberfläche durch ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 oder 0,99:1 gekennzeichnet. In einer spezifischen Ausführungsform ist der kupferarme Oberflächenbereich als n-Chalkopyritmaterial gekennzeichnet, das einen PN-Übergang mit dem p-Kupferindiumdisulfidmaterial bildet, das kupferreich sein kann. Der kupferarme Oberflächenbereich kann in einer spezifischen Ausführungsform als Fensterschicht für die photovoltaische Vorrichtung dienen. In bestimmten Ausführungsformen kann der kupferarme Oberflächenbereich weiterhin behandelt werden, um eine angemessene n-leitende Störstellenkonzentration für eine geeignete und effiziente Ladungstrennung für die Photovoltaikzelle vorzusehen. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. - Abhängig von der Ausführungsform kann der kupferarme Oberflächenbereich Defekte aufweisen, wie etwa ein oder mehrere Krater in einer Dicke des kupferarmen Oberflächenbereichs. In einer spezifischen Ausführungsform umfasst das Verfahren das Bilden einer optionalen transparenten (HRT-)Schicht
1003 hohen spezifischen Widerstands, die über dem kupferarmen Oberflächenbereich liegt, die n-leitende Störstelleneigenschaften hat. Die HRT-Schicht kann ein intrinsisches Halbleitermaterial verwenden, das in einer spezifischen Ausführungsform ein zweites transparentes leitendes Oxid1005 bildet. Zum Beispiel kann die HRT-Schicht für ein aluminiumdotiertes Zinkoxidmaterial als zweites transparentes leitendes Oxid ein intrinsisches Zinkoxidmaterial verwenden. In einer alternativen Ausführungsform kann die HRT-Schicht ein intrinsisches Halbleitermaterial sein, das eine Fensterschicht für die Photovoltaikzelle bildet. Zum Beispiel kann die HRT-Schicht für eine CIGS-basierte photovoltaische Vorrichtung unter Verwenden eines n-Kadmiumsulfidmaterials als Fenster ein intrinsisches Kadmiumsulfidmaterial verwenden, kann aber aus anderen Materialien bestehen. Ein Fachmann würde natürlich andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen erkennen. In einer Umsetzung der vorliegenden Erfindung verwendete die HRT-Schicht intrinsisches Zinkoxidmaterial oder intrinsisches Zinnoxidmaterial mit einem Dotierungswert zwischen etwa 1 × 1011 und etwa 1 × 1013 cm–3. Die HRT-Schicht kann eine Dicke zwischen etwa 100 nm und 1000 nm und einen Widerstand zwischen 1 Ohm/Quadrat und 0,0001 Ohm/Quadrat haben. Lediglich zum Beispiel können das zweite transparente leitende Oxidmaterial und die entsprechende HRT-Schicht ein zinndotiertes Indiumoxid, Indiumoxid, fluordotiertes Zinnoxid, Zinnoxid, AZO u. a. umfassen. In einer spezifischen Ausführungsform schützt das Material hohen Widerstands vor Kratern und anderen möglichen Defekten und dergleichen. Natürlich kann es andere Varianten, Abwandlungen und Alternativen geben. - Auch wenn das Vorstehende gemäß spezifischen Ausführungsformen veranschaulicht wurde, kann es andere Abwandlungen, Alternativen und Varianten geben. Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung können bei einem Verfahren zum Bilden von Photovoltaikzellen hohen Wirkungsgrads angewendet werden, das in der U.S.-Patentanmeldung Nr. 12/475,858, eingereicht von Erfinder Howard W. H. Lee am 1. Juni 2009, beschrieben wird, und können bei einem Verfahren und einer Struktur zum Bilden einer Dünnschicht-Tandemphotovoltaikzelle, die in der U.S.-Patentanmeldung Nr. 12/562,086, eingereicht von Erfinder Howard W. H. Lee am 17. September 2009, die hierin für alle Zwecke übertragen und aufgenommen wird, angewendet werden. Auch wenn ferner das Vorstehende bezüglich Kupferindiumdisulfid beschrieben wurde, können andere ähnliche Materialien wie etwa Kupferindiumgalliumdisulfid, Kupferindiumaluminiumdisulfid, Kombinationen derselben und andere verwendet werden. Andere Materialien können CuGaS2, CuInSe2 (CIS), Cu(InGa)Se2 (CIGS), Cu(InAl)Se2, Cu(In, Ga)SSe, Kombinationen derselben und dergleichen umfassen. Es versteht sich, dass die hierin beschriebenen Beispiele und Ausführungsformen lediglich veranschaulichenden Zwecken dienen und dass im Hinblick darauf für Fachleute verschiedene Abwandlungen oder Änderungen nahe liegen und in das Wesen und den Geltungsbereich dieser Anmeldung und den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche aufzunehmen sind.
Claims (24)
- Verfahren zum Bilden einer photovoltaischen Dünnschichtvorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: Vorsehen eines transparenten Substrats, das einen Oberflächenbereich umfasst; Bilden einer über dem Oberflächenbereich liegenden ersten Elektrodenschicht; Bilden einer über der ersten Elektrodenschicht liegenden Kupferschicht; Bilden einer über der Kupferschicht liegenden Indiumschicht, um eine mehrschichtige Struktur zu bilden; Unterziehen mindestens der mehrschichtigen Struktur einem Wärmebehandlungsprozess in einer eine schwefelhaltige Spezies enthaltenden Umgebung; Bilden eines Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterials aus mindestens dem Behandlungsprozess der mehrschichtigen Struktur, wobei das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial einen Oberflächenbereich aufweist, der durch einen kupferarmen Oberflächenbereich gekennzeichnet ist, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium umfasst, das kleiner als etwa 0,95:1 ist, wobei der kupferarme Oberflächenbereich eine n-leitende Störstelleneigenschaft aufweist, wobei das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial, das den kupferarmen Oberflächenbereich ausschließt, einen Absorberbereich bildet und der kupferarme Bereich mindestens einen Abschnitt eines Fensterbereichs bildet; Bilden eines über dem kupferarmen Oberflächenbereich liegenden transparenten Materials hohen spezifischen Widerstands mit der n-leitenden Störstelleneigenschaft, wobei die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands ein Halbleitermaterial mit einer intrinsischen Halbleitereigenschaft umfasst; und Bilden einer über der transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands liegenden zweiten Elektrodenschicht mit p-leitenden Störstelleneigenschaften.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der kupferarme Bereich mit den n-leitenden Störstelleneigenschaften eine Fensterschicht vorsieht.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands optional ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrodenschicht ein Metallmaterial umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrodenschicht ein transparentes leitendes Oxidmaterial umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Elektrodenschicht ein transparentes leitendes Oxid gewählt aus: aluminiumdotiertem Zinkoxid, indiumdotiertem Zinnoxid (ITO) oder fluordotiertem Zinnoxid ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial eine Dicke von Kupfersulfidmaterial umfasst, wobei die Dicke des Kupfersulfidmaterials unter Verwenden einer Lösung von Kaliumcyanid selektiv entfernt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Wärmebehandlungsprozess der kupferarmen Oberfläche eine Temperatur umfasst, die von etwa 100°C bis etwa 500°C reicht.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der Kupferschicht durch einen Sputterprozess oder Galvanisierungsprozess vorgesehen wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der Indiumschicht durch einen Sputterprozess vorgesehen wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bilden der Indiumschicht durch einen Galvanisierungsprozess vorgesehen wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bulk-Kupferindiumdisulfid eine p-leitende Störstelleneigenschaft umfasst.
- Verfahren nach Anspruch 1, welches weiterhin das Einbringen einer Indiumspezies in die Fensterschicht umfasst, um die Bildung einer n+-Halbleitereigenschaft zu bewirken.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Bulk-Kupferindiumdisulfid mit einem Kupferindiumaluminiumdisulfid oder Kupferindiumgalliumdisulfid gemischt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die sulfidhaltige Spezies Wasserstoffsulfid in Fluidphase umfassen.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite Elektrodenschicht ein transparentes leitendes Oxidmaterial ist.
- Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente leitende Oxidmaterial aus aluminiumdotiertem Zinkoxid, indiumdotiertem Zinnoxid (ITO) oder fluordotiertem Zinnoxid gewählt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Material hohen spezifischen Widerstands aus intrinsischem Zinkoxidmaterial oder intrinsischem Zinnoxidmaterial gewählt wird.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung, wobei die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst: ein einen Oberflächenbereich umfassendes Substrat; eine über dem Oberflächenbereich liegende erste Elektrodenschicht; ein Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial, wobei das Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial einen Oberflächenbereich aufweist, der durch einen kupferarmen Oberflächenbereich gekennzeichnet ist, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 umfasst, wobei der kupferarme Oberflächenbereich eine n-leitende Störstelleneigenschaft aufweist; ein über dem kupferarmen Oberflächenbereich mit der n-leitenden Störstelleneigenschaft liegendes transparentes Material hohen spezifischen Widerstands, wobei die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands ein Halbleitermaterial mit einer intrinsischen Halbleitereigenschaft umfasst; und eine zweite Elektrodenschicht, die ein Zinkoxidmaterial mit p-leitenden Störstelleneigenschaften umfasst, die über der transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands liegt.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung, wobei die photovoltaische Dünnschichtvorrichtung umfasst: ein einen Oberflächenbereich umfassendes Substrat; eine über dem Oberflächenbereich liegende erste Elektrodenschicht; einen Absorberbereich, der ein Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial umfasst; einen Fensterbereich, der einen Oberflächenbereich aus dem Kupferindiumdisulfid-Bulkmaterial umfasst, wobei der Oberflächenbereich durch einen kupferarmen Oberflächenbereich gekennzeichnet ist, der ein Atomverhältnis von Kupfer zu Indium von weniger als etwa 0,95:1 umfasst, wobei der kupferarme Oberflächenbereich n-leitende Störstelleneigenschaften aufweist; ein transparentes Material hohen spezifischen Widerstands, das über dem kupferarmen Oberflächenbereich mit den n-leitenden Störstelleneigenschaften liegt, wobei die transparente Schicht hohen spezifischen Widerstands ein Halbleitermaterial mit einer intrinsischen Halbleitereigenschaft umfasst; und eine zweite Elektrodenschicht, die ein Zinkoxidmaterial mit p-leitenden Störstelleneigeschaften umfasst, die über der transparenten Schicht hohen spezifischen Widerstands liegt.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Material hohen spezifischen Widerstands intrinsisches Zinkoxidmaterial oder intrinsisches Zinnoxidmaterial mit einem Dotierungswert zwischen etwa 1 × 1011 und etwa 1 × 1013 cm–3 umfasst.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Material hohen spezifischen Widerstands eine Dicke zwischen etwa 100 nm und 1000 nm und einen Widerstand zwischen 1 Ohm/Quadrat und 0,0001 Ohm/Quadrat umfasst.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 20, welche weiterhin eine ein n-Kadmiumsulfidmaterial umfassende Fensterschicht umfasst, die über dem kupferarmen Oberflächenbereich liegt.
- Photovoltaische Dünnschichtvorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente Material hohen spezifischen Widerstands ein intrinsisches Kadmiumsulfidmaterial umfasst.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11662508P | 2008-11-20 | 2008-11-20 | |
US61/116,625 | 2008-11-20 | ||
US12/621,489 | 2009-11-18 | ||
US12/621,489 US8344243B2 (en) | 2008-11-20 | 2009-11-18 | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
PCT/US2009/065351 WO2010059950A1 (en) | 2008-11-20 | 2009-11-20 | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112009002518T5 true DE112009002518T5 (de) | 2012-06-14 |
Family
ID=42171028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE112009002518T Ceased DE112009002518T5 (de) | 2008-11-20 | 2009-11-20 | Verfahren und Struktur für Dünnschicht-Photovoltaikzelle unter Verwenden eines Übergangs aus ähnlichem Material |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8344243B2 (de) |
CN (1) | CN102210026B (de) |
DE (1) | DE112009002518T5 (de) |
WO (1) | WO2010059950A1 (de) |
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- 2009-11-18 US US12/621,489 patent/US8344243B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-20 WO PCT/US2009/065351 patent/WO2010059950A1/en active Application Filing
- 2009-11-20 DE DE112009002518T patent/DE112009002518T5/de not_active Ceased
- 2009-11-20 CN CN200980144974.4A patent/CN102210026B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102210026A (zh) | 2011-10-05 |
CN102210026B (zh) | 2014-01-29 |
US8344243B2 (en) | 2013-01-01 |
WO2010059950A1 (en) | 2010-05-27 |
US20100122726A1 (en) | 2010-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0031040000 Ipc: H01L0031180000 |
|
R012 | Request for examination validly filed |
Effective date: 20121016 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LORENZ SEIDLER GOSSEL RECHTSANWAELTE PATENTANW, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: STION CORPORATION (N.D.GES.D. STAATES DELAWARE, US Free format text: FORMER OWNER: STION CORPORATION, SAN JOSE, CALIF., US Effective date: 20150226 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: LORENZ SEIDLER GOSSEL RECHTSANWAELTE PATENTANW, DE Effective date: 20150226 |
|
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |