JP2004332043A - 酸化亜鉛薄膜の形成方法及び形成装置、及び光起電力素子の形成方法 - Google Patents
酸化亜鉛薄膜の形成方法及び形成装置、及び光起電力素子の形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】安定的に、長時間、酸化亜鉛薄膜を安価に形成することができ、これを光起電力素子に組み入れることにより、効率の高い素子を安価に供給する。
【解決手段】電析による酸化亜鉛薄膜の形成法とそれを用いた光起電力素子であって、該酸化亜鉛薄膜形成時に、アノード上に堆積されていく白い粉状の副生成物を電析液の対流によって抑制、除去する。
【選択図】 図１
【解決手段】電析による酸化亜鉛薄膜の形成法とそれを用いた光起電力素子であって、該酸化亜鉛薄膜形成時に、アノード上に堆積されていく白い粉状の副生成物を電析液の対流によって抑制、除去する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化亜鉛薄膜の形成方法、及び酸化亜鉛薄膜の形成装置、並びにそれを用いた光起電力素子の形成方法に関する。特に均一な酸化亜鉛薄膜を大面積に長時間連続的に成膜可能にする生産性に優れた酸化亜鉛薄膜の形成技術、及び酸化亜鉛薄膜の形成装置、並びにそれを用いた光起電力素子の形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より酸化亜鉛薄膜は光起電力素子や液晶素子などの半導体素子の透明導電膜として広く用いられている。一般には、酸化亜鉛薄膜は抵抗加熱や電子ビームによる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などによって形成される。これらの方法では、高価なターゲット材料が必要なこと、真空プロセスのため高価な装置が必要なこと、材料の利用効率が高くないこと等の問題点がある。
【０００３】
これに対して、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液からの電解によって（電析法）形成された酸化亜鉛薄膜は安価に形成することができる。
【０００４】
例えば、特開平１０−２０４６８４では、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液を長尺基板と対向電極間の長尺基板の長手方向に高速に流動させ、成膜することにより、均一な酸化亜鉛薄膜が得られると記載されている。
【０００５】
また、特開平１１−８０９９４では、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液を複数の水溶液吹き出し口から吹き出し、吹き出す水溶液の方向、流量、温度、濃度を個々に制御することにより、膜厚の均一な酸化亜鉛薄膜が得られると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来技術は、水溶液から通電によって均一な酸化亜鉛薄膜を形成する方法として優れたものであるが、長時間にわたり連続的に成膜を続けていると、電極（アノード）上に副生成物である白い粉が堆積される場合があり、このような状態で成膜を継続すると不均一な酸化亜鉛薄膜が形成されてしまうという問題点が生じた。さらに、このような不均一な酸化亜鉛薄膜上に光起電力素子を形成すると光起電力素子の特性のむらが発生する場合があるという問題点が生じた。
【０００７】
また、該白い粉がアノード上に堆積された場合には、アノードの減り具合に差が出てしまい、最も減りの多いところを基準に交換をしなければならないため、アノードの寿命が短くなるという問題点が生じた。
【０００８】
本発明は、水溶液から通電によって酸化亜鉛薄膜を、安定に、長時間にわたり、特性のむらのなく形成する方法を提供するものであり、更に、該酸化亜鉛薄膜上に特性のむらのない光起電力素子を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、アノードの寿命を引き伸ばすことにより、安価な酸化亜鉛薄膜、更には安価な光起電力素子を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛膜を形成する方法であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する工程を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項１）。
【００１１】
前記基板は長尺基板であり、前記電極が複数個からなることを特徴とする特許請求１項の酸化亜鉛膜の形成方法（請求項２）。
【００１２】
前記副生成物を除去する工程が該水溶液の対流によることを特徴とする特許請求１、２項の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項３）。
【００１３】
前記対流は前記基板と前記電極で囲まれた空間の外で発生させることを特徴とする請求項１乃至３の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項４）。
【００１４】
前記対流方向が該電極に向かう方向であり、かつ基板搬送方向に対して９０度でないことを特徴とする請求項２乃至４の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項５）。
【００１５】
酸化亜鉛薄膜を有する光起電力素子の形成方法において、前記酸化亜鉛薄膜を請求項１乃至５のいずれかに記載の方法で形成する工程と、前記酸化亜鉛薄膜上に半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の形成方法（請求項６）。
【００１６】
少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛薄膜を形成する装置であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する手段を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成装置（請求項７）。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について以下に述べる。
【００１８】
（金属表面を有する基板）
本発明に用いられる基板材料は、酸化亜鉛薄膜成膜面に光学的に反射率の高い材料を有するものが適している。また、電気化学的に酸化亜鉛膜を堆積する際には、酸化亜鉛薄膜成膜面に電気的な導通がとれ、電析浴に短時間で侵されない金属表面のものなら使用でき、ＳＵＳ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、これらの合金などの金属が用いられる。金属コーティングを施したＰＥＴフィルムなども利用可能である。これらの点から、太陽電池用基板として用いるには、酸化亜鉛薄膜成膜面に、特に、銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金を有するものが優れている。また、大面積化を伴う工業的な生産を考えた場合、素子化プロセス等を後工程で行うには、ＳＵＳ製の長尺基板の表面上に銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金が堆積されたものが優れている。
【００１９】
ＳＵＳは非磁性ＳＵＳ、磁性ＳＵＳいずれも適用できる。前者の代表はＳＵＳ３０４であり研磨性に優れていて０．１ｓ程度の鏡面とすることも可能である。後者の代表はフェライト系のＳＵＳ４３０である。
【００２０】
ＳＵＳの表面は、平滑でも良いし、粗面でもよい。ＳＵＳの圧延プロセスにおいて圧延ローラーの種類を変えたりすることにより表面性が変わる。ＢＡと称するものは鏡面に近く、２Ｄにあっては凹凸が顕著である。いずれの面においても、ＳＥＭ（電子顕微鏡）下での観察では、ミクロン単位の抉れなどが目立つことがある。太陽電池用基板としては、大きなうねり状の凹凸よりも、ミクロン単位の構造の方が太陽電池の特性には、良い方向にも悪い方向にも大きく反映する。
【００２１】
銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金の表面は、平滑でも良いし、粗面でもよい。太陽電池用基板としては、適度なミクロン単位の凹凸構造を有すると乱反射率の向上が期待できる。しかしながら、凹凸構造がきつすぎると太陽電池のＶｏｃを落してしまったり、シャントを誘発してしまったりする場合もあるので、注意が必要である。また、金属表面が平滑な場合には、酸化亜鉛膜で凹凸、形状等を変えてやることで、上記と同じように乱反射率の向上が期待できる。この際にも、凹凸構造がきつすぎると太陽電池のＶｏｃを落してしまったり、シャントを誘発してしまったりする場合もあるので、注意が必要である。
【００２２】
（電析法）
ビーカー等の耐腐食容器に、電解析出水溶液を入れ、磁気撹拌子で撹拌しながら、金属表面を有する基板をカソードとし、対向電極をアノードとして直流電源を接続し通電することにより、カソード上に酸化亜鉛薄膜を形成する。
【００２３】
電解析出水溶液としては、少なくとも硝酸イオンと亜鉛イオンを含む水溶液であり、その濃度は好ましくは、０．００２ｍｏｌ／ｌ〜３．０ｍｏｌ／ｌ、さらに好ましくは０．０１ｍｏｌ／ｌ〜１．５ｍｏｌ／ｌ、最適には０．０５ｍｏｌ／ｌ〜０．７ｍｏｌ／ｌである。この様にすることで、光閉じ込め効果に適したテクスチャー構造の酸化亜鉛薄膜を効率よく形成できる。
【００２４】
また、サッカロースまたはデキストリンを水溶液に含有させると、これら添加剤が電解析出反応を適正化するように働いて酸化亜鉛薄膜の異常成長を抑制する事ができ、成膜面の均一性を良好にできる。このようにする事で光閉じ込め効果の高い、テクスチャー構造の酸化亜鉛薄膜を、歩留まりよく形成することができる。このようにサッカロースまたはデキストリンを含ませる場合には、サッカロースの濃度は好ましくは、１ｇ／ｌ〜５００ｇ／ｌ、さらに好ましくは３ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌであり、デキストリン濃度は好ましくは０．０１ｇ／ｌ〜１０ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．０２５ｇ／ｌ〜１ｇ／ｌである。
【００２５】
基板と対向電極間に流す電流値は、好ましくは０．１ｍＡ／ｃｍ２〜１００ｍＡ／ｃｍ２、さらに好ましくは１ｍＡ／ｃｍ２〜３０ｍＡ／ｃｍ２、最適には４ｍＡ／ｃｍ２〜２０ｍＡ／ｃｍ２である。
【００２６】
また、浴中のｐＨは３以上、電気伝導度は１０ｍＳ／ｃｍ以上、溶液温度は６０℃以上とすることで、異常成長の少ない均一な酸化亜鉛薄膜を効率よく形成できる。
【００２７】
（副生成物の除去手段）
電析法にて基板上に酸化亜鉛薄膜を形成する際、酸化亜鉛および／または水酸化亜鉛と思われる白い粉状の副生成物が発生する。白い粉の発生場所は、電気化学反応が進行するアノード近傍で最も盛んであると推測される。発生した白い粉はアノードが縦置きや基板成膜面に対して上に配置されているような場合には、アノード上に堆積することはない。しかしながら、アノードが基板成膜面に対して下に配置されているような場合（デポアップの場合）には、白い粉がアノード上に堆積される。
【００２８】
長時間連続で成膜するような場合には、白い粉は水溶液の循環とともに循環し、循環途中に設けられたフィルター等で取り除かれるものと、装置底部に沈殿するものに大別される。上述したように、アノードが基板成膜面に対して下に配置されているような場合（デポアップの場合）には、白い粉は装置底部に沈殿するだけでなくアノード上にも堆積される。
【００２９】
アノード上の白い粉の除去手段としては、ブレードのようなものでアノード表面から掻き落とす方法、超音波振動子のような振動をアノードに与える方法、アノード表面に気体や水溶液を吹き付けてやる方法、アノード近傍に水溶液の対流を起こしてやる方法等がある。これらの除去手段を用いれば、アノード上に堆積された白い粉を除去すると同時に、アノード上に白い粉を堆積しにくくする効果も期待できる。
【００３０】
アノード近傍に水溶液の対流を起こしてやることにより、効率よく白い粉を除去することができる。対流は間欠的でも恒常的でも構わない。対流が間欠的な場合にはある程度白い粉がアノード上に堆積されてから除去することになる。また、対流を恒常的にさせてやれば、堆積する以前に白い粉をアノード上から除去できる。対流速度は、アノードの面積、個数によって適宜決められるが、アノード近傍で１ｃｍ／ｓｅｃ．〜１００ｃｍ／ｓｅｃ．、好ましくは３ｃｍ／ｓｅｃ．〜５０ｃｍ／ｓｅｃ．である。対流速度が１ｃｍ／ｓｅｃ．以下では白い粉が除去しきれない。また、１００ｃｍ／ｓｅｃ．以上では粉を舞い上げてしまい良好な酸化亜鉛薄膜を基板上に形成できない場合がある。
【００３１】
アノード近傍とは基板と対向したアノード表面の近傍を指す。具体的にはアノード表面からの距離が０〜５０ｍｍ、好ましくは０〜３０ｍｍである。前記アノード表面からの距離で決まる領域に対流が起こるよう噴き出し口の設置場所、数、方向等々を決めなければならない。
【００３２】
水溶液の噴き出し口は酸化亜鉛薄膜の均一性を損ねないよう設置されればどこでも良いが、基板とアノードとの間の空間以外のところにあるのが好ましい。また、通電時の電界の均一性を損ねないよう噴き出し口に使われる部材は水溶液が入っている槽と電気的に絶縁されていることが好ましい。絶縁手段としては、部材そのものをセラミックス、樹脂等の絶縁材料で形成しても構わないし、ＳＵＳ等の金属部材を用いる場合には、槽と金属部材との間のどこかで絶縁材料を介すような構成とすればよい。
【００３３】
水溶液の噴き出し口の数は、一義的には決まらず、アノードの数、アノードの面積、水溶液の対流速度等によって適宜最適化を図る必要がある。長尺状の基板を取り扱う場合には、基板の両側に（一方向のみではない）噴き出し口を設けることにより、より効果的に白い粉を除去することができる。
【００３４】
長尺状の基板を取り扱う場合には、水溶液の噴き出し口の向きは、基板搬送方向に対して０〜９０°、９０〜１８０°（両端を含まず）、好ましくは１５〜７０°、１１０〜１６５°（両端含む）である。この範囲で水溶液を噴き出すことによりより効果的に白い粉を除去することができる。更に、効率よく除去するためには、これまで述べた対流速度、設置位置、設置個数等々の条件により最適化を図る必要がある。
【００３５】
（半導体層）
半導体層にシリコン系薄膜を用いた場合の主たる材料としては、非晶質相あるいは結晶相、さらにはこれらの混相系が用いられる。Ｓｉに代えて、ＳｉとＣ又はＧｅとの合金を用いても構わない。半導体層には同時に、水素及び／又はハロゲン原子が含有される。その好ましい含有量は０．１〜４０原子％である。さらに半導体層は、酸素、窒素などを含有してもよい。半導体層をｐ型半導体層とするにはＩＩＩ属元素、ｎ型半導体層とするにはＶ属元素を含有する。ｐ型層及びｎ型層の電気特性としては、活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下のものが好ましく、０．１ｅＶ以下のものが最適である。また比抵抗としては１００Ωｃｍ以下が好ましく、１Ωｃｍ以下が最適である。
【００３６】
スタックセル（ｐｉｎ接合を複数有する光起電力素子）の場合、光入射側に近いｐｉｎ接合のｉ型半導体層はバンドギャップが広く、遠いｐｉｎ接合になるに随いバンドギャップが狭くなるのが好ましい。また、ｉ層内部ではその膜厚方向の中心よりもｐ層寄りにバンドギャップの極小値があるのが好ましい。光入射側のドープ層（ｐ型層もしくはｎ型層）は光吸収の少ない結晶性の半導体か、又はバンドギャップの広い半導体が適している。
【００３７】
ｐｉｎ接合を２組積層したスタックセルの例としては、ｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）、（アモルファス半導体層、アモルファス半導体層）となるものがあげられる。
【００３８】
また、ｐｉｎ接合を３組積層した光起電力素子の例としてはｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（アモルファス、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）となるものがあげられる。
【００３９】
ｉ型半導体層としては光（６３０ｎｍ）の吸収係数（α）が５０００ｃｍ−１以上、ソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２）による擬似太陽光照射化の光伝導度（σｐ）が１０×１０−５Ｓ／ｃｍ以上、暗伝導度（σｄ）が１０×１０−６Ｓ／ｃｍ以下、コンスタントフォトカレントメソッド（ＣＰＭ）によるアーバックエナジーが５５ｍｅＶ以下であるのが好ましい。ｉ型半導体層としては、わずかにｐ型、ｎ型になっているものでも使用することができる。
【００４０】
（半導体層の形成方法）
シリコン系半導体、及び上述の半導体層を形成するには、高周波プラズマＣＶＤ法が適している。以下、高周波プラズマＣＶＤ法によって半導体層を形成する手順の好適な例を示す。
【００４１】
減圧状態にできる堆積室（真空チャンバー）内を所定の堆積圧力に減圧する。堆積室内に原料ガス、希釈ガス等の材料ガスを導入し、堆積室内を真空ポンプによって排気しつつ、堆積室内を所定の堆積圧力に設定する。基板をヒーターによって所定の温度に設定する。高周波電源によって発振された高周波を前記堆積室に導入する。前記堆積室への導入方法は、高周波を導波管によって導き、アルミナセラミックスなどの誘電体窓を介して堆積室内に導入する方法、或いは高周波を同軸ケーブルによって導き、金属電極を介して堆積室内に導入する方法がある。堆積室内にプラズマを生起させて原料ガスを分解し、堆積室内に配置された基板上に堆積膜を形成する。この手順を必要に応じて複数回繰り返して半導体層を形成する。半導体層の形成条件としては、堆積室内の基板温度は１００〜４５０℃、圧力は５０ｍＰａ〜１５００Ｐａ、高周波パワーは０．００１〜１Ｗ／ｃｍ３が好適な条件としてあげられる。
【００４２】
本発明のシリコン系半導体、及び上述の半導体層の形成に適した原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ４等のシリコン原子を含有したガス化しうる化合物があげられる。合金系にする場合にはさらに、ＧｅＨ４やＣＨ４などのようにＧｅやＣを含有したガス化しうる化合物を原料ガスに添加することが望ましい。原料ガスは、希釈ガスで希釈して堆積室内に導入することが望ましい。希釈ガスとしては、Ｈ２やＨｅなどがあげられる。さらに窒素、酸素等を含有したガス化しうる化合物を原料ガス乃至希釈ガスとして添加してもよい。半導体層をｐ型層とするためのドーパントガスとしてはＢ２Ｈ６、ＢＦ３等が用いられる。また、半導体層をｎ型層とするためのドーパントガスとしては、ＰＨ３、ＰＦ３等が用いられる。結晶相の薄膜や、ＳｉＣ等の光吸収が少ないかバンドギャップの広い層を堆積する場合には、原料ガスに対する希釈ガスの割合を増やし、比較的高いパワーの高周波を導入するのが好ましい。
【００４３】
（透明導電層）
透明導電層は、光入射側の電極であるとともに、その膜厚を適当に設定することにより反射防止膜の役割をかねることができる。透明導電層は、半導体層の吸収可能な波長領域において高い透過率を有することと、抵抗率が低いことが要求される。好ましくは５５０ｎｍにおける透過率が８０％以上、より好ましくは８５％以上であることが望ましい透明導電層の材料としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等を好適に用いることができる。その形成方法としては、蒸着、ＣＶＤ、スプレー、スピンオン、浸漬などの方法が好適である。これらの材料に導電率を変化させる物質を添加してもよい。
【００４４】
（集電電極）
集電電極は集電効率を向上するために透明導電層上に設けられる。その形成方法として、マスクを用いてスパッタによって電極パターンの金属を形成する方法や、導電性ペーストあるいは半田ペーストを印刷する方法、金属線を導電性ペーストで固着する方法などが好適である。
【００４５】
このようにして酸化亜鉛薄膜を表面に有する基板を用いて、半導体層／透明導電層／集電電極と積層し、光起電力素子を形成することができる。
【００４６】
なお、必要に応じて光起電力素子の両面に保護層を形成することがある。同時に光起電力素子の裏面（光入射側と反射側）などに鋼板等の補強材を併用してもよい。
【００４７】
（実施例）
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何等限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
実験には図１−１に示す酸化亜鉛形成装置を用い、導電性長尺基板１００上へ酸化亜鉛薄膜を形成した。長尺基板１００としては、あらかじめ、ロール状のＳＵＳ４３０２Ｄ上に金属層として銀をロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により６０００Å堆積し、その上に同様のロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により３０００Åの酸化亜鉛薄膜を堆積したものを用いた。
【００４９】
長尺基板１００は送り出しローラー１０１にセットされ、電析槽１０４、水洗槽１０５、エアナイフ１０７、乾燥炉１０８を経て、巻き取りローラー１０２に巻き取られていく。
【００５０】
電析浴１１１は、硝酸亜鉛０．２ｍｏｌ／ｌ、デキストリン０．１５ｇ／ｌを含んでなり、浴中を撹拌するために液循環処理がなされている。液温は８０℃の温度に保たれており、ｐＨは４．０〜６．０に保持される。電極（アノード）１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ、１０９ｄとしては亜鉛板を用いた。
【００５１】
本発明による粉状の物質の除去手段としては、噴流パイプ１１０ａ１、１１０ａ２、１１０ｂ１、１１０ｂ２、１１０ｃ１、１１０ｃ２、１１０ｄ１、１１０ｄ２、からの電析浴１１１の対流を用いた。図１−２は電析槽１０４内を上から見た図である。各噴流パイプは長尺基板１００と各アノードとの間以外に設置し、配管の途中に絶縁材の継ぎ手を入れた。不図示の噴き出し口は直径６ｍｍの円からなり、噴き出す方向は基板搬送方向に対して約４５°とした（点線矢印の方向）。また、本実施例では各アノード表面と噴き出し口までの高低差を１０ｍｍとした。
【００５２】
それぞれのアノードに独立に接続された不図示の直流電源によって、アノードと給電ローラー１０３を介してフローティングされた長尺基板１００との間に、１０．０ｍＡ／ｃｍ２（１．０Ａ／ｄｍ２）通電し、酸化亜鉛薄膜を１２０時間にわたって形成した。
【００５３】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００５４】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、４０、８０、１２０時間目のサンプルを切り出し、幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００５５】
（実施例２）
噴流パイプに接続されたポンプをタイマーによって２時間毎に１０分間起動させた以外は実施例１と同様に酸化亜鉛薄膜を１２０時間にわたって形成した。
【００５６】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、６０、１２０時間目のサンプルを切り出した。なお、６０時間目のサンプルは、噴流パイプに接続されたポンプの起動前、起動中、停止後の３ヶ所を切り出した。それぞれのサンプルを幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００５７】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００５８】
（比較例１）
噴流パイプからの噴き出しをやめた以外は実施例１と同様に酸化亜鉛薄膜を形成した。その際、１００時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られた。
【００５９】
実験後アノード表面には、白い粉が７〜１０ｍｍ程度堆積していた。この粉は、水洗しても落ちないほどこびりついていた。
【００６０】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、４０、８０、１２０時間目のサンプルを切り出し、幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】
表１より以下のことが言える。
【００６３】
噴き出し口からの電析浴の対流がアノード近傍に起こるように、噴き出し口の数、位置、高さ、方向を工夫してやることにより、アノード上への粉の堆積を抑制および除去できる。対流が恒常的な場合（実施例１）、完結的な場合（実施例２）のいずれも効果に差はない。
【００６４】
これに対して、対流を停止してしまうと、前述したように、１００時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られ、１２０時間目の乱反射率の値が低下している。
【００６５】
また、成膜後のアノードの状態から、白い粉を除去しきれないと、アノードの寿命が短くなってしまうことがわかる。
【００６６】
（実施例３）
実験には図２−１に示す酸化亜鉛形成装置を用い、導電性長尺基板２００上へ酸化亜鉛薄膜を形成した。長尺基板２００としては、あらかじめ、ロール状のＳＵＳ４３０２Ｄ上に金属層として銀をロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により８０００Å堆積し、その上に同様のロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により４０００Åの酸化亜鉛薄膜を堆積したものを用いた。
【００６７】
長尺基板２００は送り出しローラー２０１にセットされ、電析槽２０４、水洗槽２０５、エアナイフ２０７、乾燥炉２０８を経て、巻き取りローラー２０２に巻き取られていく。
【００６８】
電析浴２１１は、硝酸亜鉛０．１８ｍｏｌ／ｌ、デキストリン０．０７ｇ／ｌ、フタル酸水素カリウム１０ｐｐｍを含んでなり、浴中を撹拌するために液循環処理がなされている。液温は８３℃の温度に保たれている。電極（アノード）２０９ａ、２０９ｂ、２０９ｃ、２０９ｄとしては亜鉛板を用いた。
【００６９】
本発明による粉状の物質の除去手段としては、噴流パイプ２１０ａ１、２１０ａ２、２１０ｂ１、２１０ｂ２、２１０ｃ１、２１０ｃ２、２１０ｄ１、２１０ｄ２、からの電析浴２１１の対流を用いた。図２−２は電析槽２０４内を上から見た図である。各噴流パイプは長尺基板２００と各アノードとの間以外に設置し、配管の途中に絶縁材の継ぎ手を入れた。不図示の噴き出し口は直径６ｍｍの円を縦に１０ｍｍ間隔で２個、２列（合計４個の噴き出し口）とし、噴き出す方向は基板搬送方向に対して上流側、下流側の両方とした。（点線矢印の方向）。また、本実施例では各アノード表面と噴き出し口までの高低差を１０ｍｍと２０ｍｍとした。
【００７０】
それぞれのアノードに独立に接続された不図示の直流電源によって、アノードと給電ローラー２０３を介してフローティングされた長尺基板２００との間に、１０．０ｍＡ／ｃｍ２（１．０Ａ／ｄｍ２）通電し、基板を毎分１００ｍｍで搬送し、酸化亜鉛薄膜を約３μｍ、１５０時間にわたって形成した。
【００７１】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００７２】
次に、半導体層としてＣＶＤ法により、ｎ型微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を１０ｎｍ、ノンドープ非微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を３０００ｎｍ、ｐ型微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を３０ｎｍの順に堆積した。さらにスッパタ装置を用いてＩＴＯを６５ｎｍスッパタし、反射防止効果のある上部電極としての透明導電膜とした。
【００７３】
こうして得られた積層膜を、酸化亜鉛薄膜形成の際の０、５０、１００、１５０時間目相当の場所のサンプルとして切り出し、この上に銀によるグリッドを加熱蒸着により堆積して上部取り出し電極とし、光起電力素子とした。この素子を疑似太陽光の下で測定し、短絡電流密度、変換効率を測定した。
【００７４】
（比較例２）
噴流パイプからの噴き出しをやめた以外は実施例３と同様に酸化亜鉛薄膜を形成し、実施例３と同様に光起電力素子を形成した。その際、酸化亜鉛薄膜形成時９０時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られた。
【００７５】
実験後アノード表面には、白い粉が７〜１０ｍｍ程度堆積していた。この粉は、水洗しても落ちないほどこびりついていた。
【００７６】
こうして得られた光起電力素子を、酸化亜鉛薄膜形成の際の０、５０、１００、１５０時間目相当の場所のサンプルを疑似太陽光の下で測定し、短絡電流密度、変換効率を測定した。
【００７７】
【表２】
【００７８】
表２より以下のことが言える。
【００７９】
本発明の電解析出法で電析した酸化亜鉛薄膜を光起電力素子の基板として使用することにより、短絡電流、変換効率の優れた素子を長時間にわたって作製できる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明は、水溶液から通電によって酸化亜鉛薄膜を形成する方法であり、アノード上に堆積される粉を抑制、除去することにより安定に、長時間にわたり、特性のむらのなく形成する方法を提供するものであり、更に、該酸化亜鉛薄膜上に特性のむらのない光起電力素子を提供するものである。
【００８１】
また、本発明は、アノードの寿命を引き伸ばすことにより、安価な酸化亜鉛薄膜、更には安価な光起電力素子を提供するものであり、太陽光発電の本格的な普及に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（１−１）は、本発明による長尺基板への酸化亜鉛薄膜の連続電解析出装置の一例を示す断面図。
（１−２）は、図１−１の電析槽内を上から見た図。
（１−３）は、図１−１の電析槽内を基板搬送方向から見た図。
【図２】（２−１）は、本発明による長尺基板への酸化亜鉛薄膜の連続電解析出装置の一例を示す断面図。
（２−２）は、図２−１の電析槽内を上から見た図。
（２−３）は、図２−１の電析槽内を基板搬送方向から見た図。
【符号の説明】
１００ 長尺基板
１０１ 送り出しローラー
１０２ 巻き取りローラー
１０３ 給電ローラー
１０４ 電析槽
１０５ 水洗槽
１０６ 水洗シャワー
１０７ エアナイフ
１０８ 乾燥炉
１０９ａ〜ｄ 電極（アノード）
１１０ａ１〜ｄ２ 噴流パイプ
１１１ 電析浴
２００ 長尺基板
２０１ 送り出しローラー
２０２ 巻き取りローラー
２０３ 給電ローラー
２０４ 電析槽
２０５ 水洗槽
２０６ 水洗シャワー
２０７ エアナイフ
２０８ 乾燥炉
２０９ａ〜ｄ 電極（アノード）
２１０ａ１〜ｄ２ 噴流パイプ
２１１ 電析浴
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化亜鉛薄膜の形成方法、及び酸化亜鉛薄膜の形成装置、並びにそれを用いた光起電力素子の形成方法に関する。特に均一な酸化亜鉛薄膜を大面積に長時間連続的に成膜可能にする生産性に優れた酸化亜鉛薄膜の形成技術、及び酸化亜鉛薄膜の形成装置、並びにそれを用いた光起電力素子の形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より酸化亜鉛薄膜は光起電力素子や液晶素子などの半導体素子の透明導電膜として広く用いられている。一般には、酸化亜鉛薄膜は抵抗加熱や電子ビームによる真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などによって形成される。これらの方法では、高価なターゲット材料が必要なこと、真空プロセスのため高価な装置が必要なこと、材料の利用効率が高くないこと等の問題点がある。
【０００３】
これに対して、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液からの電解によって（電析法）形成された酸化亜鉛薄膜は安価に形成することができる。
【０００４】
例えば、特開平１０−２０４６８４では、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液を長尺基板と対向電極間の長尺基板の長手方向に高速に流動させ、成膜することにより、均一な酸化亜鉛薄膜が得られると記載されている。
【０００５】
また、特開平１１−８０９９４では、亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液を複数の水溶液吹き出し口から吹き出し、吹き出す水溶液の方向、流量、温度、濃度を個々に制御することにより、膜厚の均一な酸化亜鉛薄膜が得られると記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記従来技術は、水溶液から通電によって均一な酸化亜鉛薄膜を形成する方法として優れたものであるが、長時間にわたり連続的に成膜を続けていると、電極（アノード）上に副生成物である白い粉が堆積される場合があり、このような状態で成膜を継続すると不均一な酸化亜鉛薄膜が形成されてしまうという問題点が生じた。さらに、このような不均一な酸化亜鉛薄膜上に光起電力素子を形成すると光起電力素子の特性のむらが発生する場合があるという問題点が生じた。
【０００７】
また、該白い粉がアノード上に堆積された場合には、アノードの減り具合に差が出てしまい、最も減りの多いところを基準に交換をしなければならないため、アノードの寿命が短くなるという問題点が生じた。
【０００８】
本発明は、水溶液から通電によって酸化亜鉛薄膜を、安定に、長時間にわたり、特性のむらのなく形成する方法を提供するものであり、更に、該酸化亜鉛薄膜上に特性のむらのない光起電力素子を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、アノードの寿命を引き伸ばすことにより、安価な酸化亜鉛薄膜、更には安価な光起電力素子を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛膜を形成する方法であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する工程を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項１）。
【００１１】
前記基板は長尺基板であり、前記電極が複数個からなることを特徴とする特許請求１項の酸化亜鉛膜の形成方法（請求項２）。
【００１２】
前記副生成物を除去する工程が該水溶液の対流によることを特徴とする特許請求１、２項の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項３）。
【００１３】
前記対流は前記基板と前記電極で囲まれた空間の外で発生させることを特徴とする請求項１乃至３の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項４）。
【００１４】
前記対流方向が該電極に向かう方向であり、かつ基板搬送方向に対して９０度でないことを特徴とする請求項２乃至４の酸化亜鉛薄膜の形成方法（請求項５）。
【００１５】
酸化亜鉛薄膜を有する光起電力素子の形成方法において、前記酸化亜鉛薄膜を請求項１乃至５のいずれかに記載の方法で形成する工程と、前記酸化亜鉛薄膜上に半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の形成方法（請求項６）。
【００１６】
少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛薄膜を形成する装置であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する手段を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成装置（請求項７）。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について以下に述べる。
【００１８】
（金属表面を有する基板）
本発明に用いられる基板材料は、酸化亜鉛薄膜成膜面に光学的に反射率の高い材料を有するものが適している。また、電気化学的に酸化亜鉛膜を堆積する際には、酸化亜鉛薄膜成膜面に電気的な導通がとれ、電析浴に短時間で侵されない金属表面のものなら使用でき、ＳＵＳ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、これらの合金などの金属が用いられる。金属コーティングを施したＰＥＴフィルムなども利用可能である。これらの点から、太陽電池用基板として用いるには、酸化亜鉛薄膜成膜面に、特に、銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金を有するものが優れている。また、大面積化を伴う工業的な生産を考えた場合、素子化プロセス等を後工程で行うには、ＳＵＳ製の長尺基板の表面上に銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金が堆積されたものが優れている。
【００１９】
ＳＵＳは非磁性ＳＵＳ、磁性ＳＵＳいずれも適用できる。前者の代表はＳＵＳ３０４であり研磨性に優れていて０．１ｓ程度の鏡面とすることも可能である。後者の代表はフェライト系のＳＵＳ４３０である。
【００２０】
ＳＵＳの表面は、平滑でも良いし、粗面でもよい。ＳＵＳの圧延プロセスにおいて圧延ローラーの種類を変えたりすることにより表面性が変わる。ＢＡと称するものは鏡面に近く、２Ｄにあっては凹凸が顕著である。いずれの面においても、ＳＥＭ（電子顕微鏡）下での観察では、ミクロン単位の抉れなどが目立つことがある。太陽電池用基板としては、大きなうねり状の凹凸よりも、ミクロン単位の構造の方が太陽電池の特性には、良い方向にも悪い方向にも大きく反映する。
【００２１】
銀、アルミニウム、銅、銀合金、アルミニウム合金、銅合金の表面は、平滑でも良いし、粗面でもよい。太陽電池用基板としては、適度なミクロン単位の凹凸構造を有すると乱反射率の向上が期待できる。しかしながら、凹凸構造がきつすぎると太陽電池のＶｏｃを落してしまったり、シャントを誘発してしまったりする場合もあるので、注意が必要である。また、金属表面が平滑な場合には、酸化亜鉛膜で凹凸、形状等を変えてやることで、上記と同じように乱反射率の向上が期待できる。この際にも、凹凸構造がきつすぎると太陽電池のＶｏｃを落してしまったり、シャントを誘発してしまったりする場合もあるので、注意が必要である。
【００２２】
（電析法）
ビーカー等の耐腐食容器に、電解析出水溶液を入れ、磁気撹拌子で撹拌しながら、金属表面を有する基板をカソードとし、対向電極をアノードとして直流電源を接続し通電することにより、カソード上に酸化亜鉛薄膜を形成する。
【００２３】
電解析出水溶液としては、少なくとも硝酸イオンと亜鉛イオンを含む水溶液であり、その濃度は好ましくは、０．００２ｍｏｌ／ｌ〜３．０ｍｏｌ／ｌ、さらに好ましくは０．０１ｍｏｌ／ｌ〜１．５ｍｏｌ／ｌ、最適には０．０５ｍｏｌ／ｌ〜０．７ｍｏｌ／ｌである。この様にすることで、光閉じ込め効果に適したテクスチャー構造の酸化亜鉛薄膜を効率よく形成できる。
【００２４】
また、サッカロースまたはデキストリンを水溶液に含有させると、これら添加剤が電解析出反応を適正化するように働いて酸化亜鉛薄膜の異常成長を抑制する事ができ、成膜面の均一性を良好にできる。このようにする事で光閉じ込め効果の高い、テクスチャー構造の酸化亜鉛薄膜を、歩留まりよく形成することができる。このようにサッカロースまたはデキストリンを含ませる場合には、サッカロースの濃度は好ましくは、１ｇ／ｌ〜５００ｇ／ｌ、さらに好ましくは３ｇ／ｌ〜１００ｇ／ｌであり、デキストリン濃度は好ましくは０．０１ｇ／ｌ〜１０ｇ／ｌ、さらに好ましくは０．０２５ｇ／ｌ〜１ｇ／ｌである。
【００２５】
基板と対向電極間に流す電流値は、好ましくは０．１ｍＡ／ｃｍ２〜１００ｍＡ／ｃｍ２、さらに好ましくは１ｍＡ／ｃｍ２〜３０ｍＡ／ｃｍ２、最適には４ｍＡ／ｃｍ２〜２０ｍＡ／ｃｍ２である。
【００２６】
また、浴中のｐＨは３以上、電気伝導度は１０ｍＳ／ｃｍ以上、溶液温度は６０℃以上とすることで、異常成長の少ない均一な酸化亜鉛薄膜を効率よく形成できる。
【００２７】
（副生成物の除去手段）
電析法にて基板上に酸化亜鉛薄膜を形成する際、酸化亜鉛および／または水酸化亜鉛と思われる白い粉状の副生成物が発生する。白い粉の発生場所は、電気化学反応が進行するアノード近傍で最も盛んであると推測される。発生した白い粉はアノードが縦置きや基板成膜面に対して上に配置されているような場合には、アノード上に堆積することはない。しかしながら、アノードが基板成膜面に対して下に配置されているような場合（デポアップの場合）には、白い粉がアノード上に堆積される。
【００２８】
長時間連続で成膜するような場合には、白い粉は水溶液の循環とともに循環し、循環途中に設けられたフィルター等で取り除かれるものと、装置底部に沈殿するものに大別される。上述したように、アノードが基板成膜面に対して下に配置されているような場合（デポアップの場合）には、白い粉は装置底部に沈殿するだけでなくアノード上にも堆積される。
【００２９】
アノード上の白い粉の除去手段としては、ブレードのようなものでアノード表面から掻き落とす方法、超音波振動子のような振動をアノードに与える方法、アノード表面に気体や水溶液を吹き付けてやる方法、アノード近傍に水溶液の対流を起こしてやる方法等がある。これらの除去手段を用いれば、アノード上に堆積された白い粉を除去すると同時に、アノード上に白い粉を堆積しにくくする効果も期待できる。
【００３０】
アノード近傍に水溶液の対流を起こしてやることにより、効率よく白い粉を除去することができる。対流は間欠的でも恒常的でも構わない。対流が間欠的な場合にはある程度白い粉がアノード上に堆積されてから除去することになる。また、対流を恒常的にさせてやれば、堆積する以前に白い粉をアノード上から除去できる。対流速度は、アノードの面積、個数によって適宜決められるが、アノード近傍で１ｃｍ／ｓｅｃ．〜１００ｃｍ／ｓｅｃ．、好ましくは３ｃｍ／ｓｅｃ．〜５０ｃｍ／ｓｅｃ．である。対流速度が１ｃｍ／ｓｅｃ．以下では白い粉が除去しきれない。また、１００ｃｍ／ｓｅｃ．以上では粉を舞い上げてしまい良好な酸化亜鉛薄膜を基板上に形成できない場合がある。
【００３１】
アノード近傍とは基板と対向したアノード表面の近傍を指す。具体的にはアノード表面からの距離が０〜５０ｍｍ、好ましくは０〜３０ｍｍである。前記アノード表面からの距離で決まる領域に対流が起こるよう噴き出し口の設置場所、数、方向等々を決めなければならない。
【００３２】
水溶液の噴き出し口は酸化亜鉛薄膜の均一性を損ねないよう設置されればどこでも良いが、基板とアノードとの間の空間以外のところにあるのが好ましい。また、通電時の電界の均一性を損ねないよう噴き出し口に使われる部材は水溶液が入っている槽と電気的に絶縁されていることが好ましい。絶縁手段としては、部材そのものをセラミックス、樹脂等の絶縁材料で形成しても構わないし、ＳＵＳ等の金属部材を用いる場合には、槽と金属部材との間のどこかで絶縁材料を介すような構成とすればよい。
【００３３】
水溶液の噴き出し口の数は、一義的には決まらず、アノードの数、アノードの面積、水溶液の対流速度等によって適宜最適化を図る必要がある。長尺状の基板を取り扱う場合には、基板の両側に（一方向のみではない）噴き出し口を設けることにより、より効果的に白い粉を除去することができる。
【００３４】
長尺状の基板を取り扱う場合には、水溶液の噴き出し口の向きは、基板搬送方向に対して０〜９０°、９０〜１８０°（両端を含まず）、好ましくは１５〜７０°、１１０〜１６５°（両端含む）である。この範囲で水溶液を噴き出すことによりより効果的に白い粉を除去することができる。更に、効率よく除去するためには、これまで述べた対流速度、設置位置、設置個数等々の条件により最適化を図る必要がある。
【００３５】
（半導体層）
半導体層にシリコン系薄膜を用いた場合の主たる材料としては、非晶質相あるいは結晶相、さらにはこれらの混相系が用いられる。Ｓｉに代えて、ＳｉとＣ又はＧｅとの合金を用いても構わない。半導体層には同時に、水素及び／又はハロゲン原子が含有される。その好ましい含有量は０．１〜４０原子％である。さらに半導体層は、酸素、窒素などを含有してもよい。半導体層をｐ型半導体層とするにはＩＩＩ属元素、ｎ型半導体層とするにはＶ属元素を含有する。ｐ型層及びｎ型層の電気特性としては、活性化エネルギーが０．２ｅＶ以下のものが好ましく、０．１ｅＶ以下のものが最適である。また比抵抗としては１００Ωｃｍ以下が好ましく、１Ωｃｍ以下が最適である。
【００３６】
スタックセル（ｐｉｎ接合を複数有する光起電力素子）の場合、光入射側に近いｐｉｎ接合のｉ型半導体層はバンドギャップが広く、遠いｐｉｎ接合になるに随いバンドギャップが狭くなるのが好ましい。また、ｉ層内部ではその膜厚方向の中心よりもｐ層寄りにバンドギャップの極小値があるのが好ましい。光入射側のドープ層（ｐ型層もしくはｎ型層）は光吸収の少ない結晶性の半導体か、又はバンドギャップの広い半導体が適している。
【００３７】
ｐｉｎ接合を２組積層したスタックセルの例としては、ｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）、（アモルファス半導体層、アモルファス半導体層）となるものがあげられる。
【００３８】
また、ｐｉｎ接合を３組積層した光起電力素子の例としてはｉ型シリコン系半導体層の組み合わせとして、光入射側から（アモルファス半導体層、アモルファス半導体層、結晶相を含む半導体層）、（アモルファス、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）、（結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層、結晶相を含む半導体層）となるものがあげられる。
【００３９】
ｉ型半導体層としては光（６３０ｎｍ）の吸収係数（α）が５０００ｃｍ−１以上、ソーラーシミュレーター（ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２）による擬似太陽光照射化の光伝導度（σｐ）が１０×１０−５Ｓ／ｃｍ以上、暗伝導度（σｄ）が１０×１０−６Ｓ／ｃｍ以下、コンスタントフォトカレントメソッド（ＣＰＭ）によるアーバックエナジーが５５ｍｅＶ以下であるのが好ましい。ｉ型半導体層としては、わずかにｐ型、ｎ型になっているものでも使用することができる。
【００４０】
（半導体層の形成方法）
シリコン系半導体、及び上述の半導体層を形成するには、高周波プラズマＣＶＤ法が適している。以下、高周波プラズマＣＶＤ法によって半導体層を形成する手順の好適な例を示す。
【００４１】
減圧状態にできる堆積室（真空チャンバー）内を所定の堆積圧力に減圧する。堆積室内に原料ガス、希釈ガス等の材料ガスを導入し、堆積室内を真空ポンプによって排気しつつ、堆積室内を所定の堆積圧力に設定する。基板をヒーターによって所定の温度に設定する。高周波電源によって発振された高周波を前記堆積室に導入する。前記堆積室への導入方法は、高周波を導波管によって導き、アルミナセラミックスなどの誘電体窓を介して堆積室内に導入する方法、或いは高周波を同軸ケーブルによって導き、金属電極を介して堆積室内に導入する方法がある。堆積室内にプラズマを生起させて原料ガスを分解し、堆積室内に配置された基板上に堆積膜を形成する。この手順を必要に応じて複数回繰り返して半導体層を形成する。半導体層の形成条件としては、堆積室内の基板温度は１００〜４５０℃、圧力は５０ｍＰａ〜１５００Ｐａ、高周波パワーは０．００１〜１Ｗ／ｃｍ３が好適な条件としてあげられる。
【００４２】
本発明のシリコン系半導体、及び上述の半導体層の形成に適した原料ガスとしては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＦ４等のシリコン原子を含有したガス化しうる化合物があげられる。合金系にする場合にはさらに、ＧｅＨ４やＣＨ４などのようにＧｅやＣを含有したガス化しうる化合物を原料ガスに添加することが望ましい。原料ガスは、希釈ガスで希釈して堆積室内に導入することが望ましい。希釈ガスとしては、Ｈ２やＨｅなどがあげられる。さらに窒素、酸素等を含有したガス化しうる化合物を原料ガス乃至希釈ガスとして添加してもよい。半導体層をｐ型層とするためのドーパントガスとしてはＢ２Ｈ６、ＢＦ３等が用いられる。また、半導体層をｎ型層とするためのドーパントガスとしては、ＰＨ３、ＰＦ３等が用いられる。結晶相の薄膜や、ＳｉＣ等の光吸収が少ないかバンドギャップの広い層を堆積する場合には、原料ガスに対する希釈ガスの割合を増やし、比較的高いパワーの高周波を導入するのが好ましい。
【００４３】
（透明導電層）
透明導電層は、光入射側の電極であるとともに、その膜厚を適当に設定することにより反射防止膜の役割をかねることができる。透明導電層は、半導体層の吸収可能な波長領域において高い透過率を有することと、抵抗率が低いことが要求される。好ましくは５５０ｎｍにおける透過率が８０％以上、より好ましくは８５％以上であることが望ましい透明導電層の材料としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等を好適に用いることができる。その形成方法としては、蒸着、ＣＶＤ、スプレー、スピンオン、浸漬などの方法が好適である。これらの材料に導電率を変化させる物質を添加してもよい。
【００４４】
（集電電極）
集電電極は集電効率を向上するために透明導電層上に設けられる。その形成方法として、マスクを用いてスパッタによって電極パターンの金属を形成する方法や、導電性ペーストあるいは半田ペーストを印刷する方法、金属線を導電性ペーストで固着する方法などが好適である。
【００４５】
このようにして酸化亜鉛薄膜を表面に有する基板を用いて、半導体層／透明導電層／集電電極と積層し、光起電力素子を形成することができる。
【００４６】
なお、必要に応じて光起電力素子の両面に保護層を形成することがある。同時に光起電力素子の裏面（光入射側と反射側）などに鋼板等の補強材を併用してもよい。
【００４７】
（実施例）
以下に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何等限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
実験には図１−１に示す酸化亜鉛形成装置を用い、導電性長尺基板１００上へ酸化亜鉛薄膜を形成した。長尺基板１００としては、あらかじめ、ロール状のＳＵＳ４３０２Ｄ上に金属層として銀をロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により６０００Å堆積し、その上に同様のロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により３０００Åの酸化亜鉛薄膜を堆積したものを用いた。
【００４９】
長尺基板１００は送り出しローラー１０１にセットされ、電析槽１０４、水洗槽１０５、エアナイフ１０７、乾燥炉１０８を経て、巻き取りローラー１０２に巻き取られていく。
【００５０】
電析浴１１１は、硝酸亜鉛０．２ｍｏｌ／ｌ、デキストリン０．１５ｇ／ｌを含んでなり、浴中を撹拌するために液循環処理がなされている。液温は８０℃の温度に保たれており、ｐＨは４．０〜６．０に保持される。電極（アノード）１０９ａ、１０９ｂ、１０９ｃ、１０９ｄとしては亜鉛板を用いた。
【００５１】
本発明による粉状の物質の除去手段としては、噴流パイプ１１０ａ１、１１０ａ２、１１０ｂ１、１１０ｂ２、１１０ｃ１、１１０ｃ２、１１０ｄ１、１１０ｄ２、からの電析浴１１１の対流を用いた。図１−２は電析槽１０４内を上から見た図である。各噴流パイプは長尺基板１００と各アノードとの間以外に設置し、配管の途中に絶縁材の継ぎ手を入れた。不図示の噴き出し口は直径６ｍｍの円からなり、噴き出す方向は基板搬送方向に対して約４５°とした（点線矢印の方向）。また、本実施例では各アノード表面と噴き出し口までの高低差を１０ｍｍとした。
【００５２】
それぞれのアノードに独立に接続された不図示の直流電源によって、アノードと給電ローラー１０３を介してフローティングされた長尺基板１００との間に、１０．０ｍＡ／ｃｍ２（１．０Ａ／ｄｍ２）通電し、酸化亜鉛薄膜を１２０時間にわたって形成した。
【００５３】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００５４】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、４０、８０、１２０時間目のサンプルを切り出し、幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００５５】
（実施例２）
噴流パイプに接続されたポンプをタイマーによって２時間毎に１０分間起動させた以外は実施例１と同様に酸化亜鉛薄膜を１２０時間にわたって形成した。
【００５６】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、６０、１２０時間目のサンプルを切り出した。なお、６０時間目のサンプルは、噴流パイプに接続されたポンプの起動前、起動中、停止後の３ヶ所を切り出した。それぞれのサンプルを幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００５７】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００５８】
（比較例１）
噴流パイプからの噴き出しをやめた以外は実施例１と同様に酸化亜鉛薄膜を形成した。その際、１００時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られた。
【００５９】
実験後アノード表面には、白い粉が７〜１０ｍｍ程度堆積していた。この粉は、水洗しても落ちないほどこびりついていた。
【００６０】
こうして得られた酸化亜鉛薄膜のうち、０、４０、８０、１２０時間目のサンプルを切り出し、幅方向で３ヶ所、装置の手前側のサンプルからＦ１（基板端から２０ｍｍのサンプル）、Ｆ２（中心）、Ｆ３（逆側の基板端から２０ｍｍのサンプル）とし、それぞれに波長８００ｎｍにおける全反射率、乱反射率を測定した（日本分光Ｖ−５７０）結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
表１より以下のことが言える。
【００６３】
噴き出し口からの電析浴の対流がアノード近傍に起こるように、噴き出し口の数、位置、高さ、方向を工夫してやることにより、アノード上への粉の堆積を抑制および除去できる。対流が恒常的な場合（実施例１）、完結的な場合（実施例２）のいずれも効果に差はない。
【００６４】
これに対して、対流を停止してしまうと、前述したように、１００時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られ、１２０時間目の乱反射率の値が低下している。
【００６５】
また、成膜後のアノードの状態から、白い粉を除去しきれないと、アノードの寿命が短くなってしまうことがわかる。
【００６６】
（実施例３）
実験には図２−１に示す酸化亜鉛形成装置を用い、導電性長尺基板２００上へ酸化亜鉛薄膜を形成した。長尺基板２００としては、あらかじめ、ロール状のＳＵＳ４３０２Ｄ上に金属層として銀をロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により８０００Å堆積し、その上に同様のロール対応のＤＣマグネトロンスパッタ装置により４０００Åの酸化亜鉛薄膜を堆積したものを用いた。
【００６７】
長尺基板２００は送り出しローラー２０１にセットされ、電析槽２０４、水洗槽２０５、エアナイフ２０７、乾燥炉２０８を経て、巻き取りローラー２０２に巻き取られていく。
【００６８】
電析浴２１１は、硝酸亜鉛０．１８ｍｏｌ／ｌ、デキストリン０．０７ｇ／ｌ、フタル酸水素カリウム１０ｐｐｍを含んでなり、浴中を撹拌するために液循環処理がなされている。液温は８３℃の温度に保たれている。電極（アノード）２０９ａ、２０９ｂ、２０９ｃ、２０９ｄとしては亜鉛板を用いた。
【００６９】
本発明による粉状の物質の除去手段としては、噴流パイプ２１０ａ１、２１０ａ２、２１０ｂ１、２１０ｂ２、２１０ｃ１、２１０ｃ２、２１０ｄ１、２１０ｄ２、からの電析浴２１１の対流を用いた。図２−２は電析槽２０４内を上から見た図である。各噴流パイプは長尺基板２００と各アノードとの間以外に設置し、配管の途中に絶縁材の継ぎ手を入れた。不図示の噴き出し口は直径６ｍｍの円を縦に１０ｍｍ間隔で２個、２列（合計４個の噴き出し口）とし、噴き出す方向は基板搬送方向に対して上流側、下流側の両方とした。（点線矢印の方向）。また、本実施例では各アノード表面と噴き出し口までの高低差を１０ｍｍと２０ｍｍとした。
【００７０】
それぞれのアノードに独立に接続された不図示の直流電源によって、アノードと給電ローラー２０３を介してフローティングされた長尺基板２００との間に、１０．０ｍＡ／ｃｍ２（１．０Ａ／ｄｍ２）通電し、基板を毎分１００ｍｍで搬送し、酸化亜鉛薄膜を約３μｍ、１５０時間にわたって形成した。
【００７１】
実験後アノード表面には、白い粉はほとんど見られず、亜鉛板は均一に消費され減っていっているのが確認できた。
【００７２】
次に、半導体層としてＣＶＤ法により、ｎ型微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を１０ｎｍ、ノンドープ非微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を３０００ｎｍ、ｐ型微結晶シリコン（ｍｃ−Ｓｉ）を３０ｎｍの順に堆積した。さらにスッパタ装置を用いてＩＴＯを６５ｎｍスッパタし、反射防止効果のある上部電極としての透明導電膜とした。
【００７３】
こうして得られた積層膜を、酸化亜鉛薄膜形成の際の０、５０、１００、１５０時間目相当の場所のサンプルとして切り出し、この上に銀によるグリッドを加熱蒸着により堆積して上部取り出し電極とし、光起電力素子とした。この素子を疑似太陽光の下で測定し、短絡電流密度、変換効率を測定した。
【００７４】
（比較例２）
噴流パイプからの噴き出しをやめた以外は実施例３と同様に酸化亜鉛薄膜を形成し、実施例３と同様に光起電力素子を形成した。その際、酸化亜鉛薄膜形成時９０時間を経過したあたりから目視で確認できる程のむらが酸化亜鉛表面に見られた。
【００７５】
実験後アノード表面には、白い粉が７〜１０ｍｍ程度堆積していた。この粉は、水洗しても落ちないほどこびりついていた。
【００７６】
こうして得られた光起電力素子を、酸化亜鉛薄膜形成の際の０、５０、１００、１５０時間目相当の場所のサンプルを疑似太陽光の下で測定し、短絡電流密度、変換効率を測定した。
【００７７】
【表２】
表２より以下のことが言える。
【００７９】
本発明の電解析出法で電析した酸化亜鉛薄膜を光起電力素子の基板として使用することにより、短絡電流、変換効率の優れた素子を長時間にわたって作製できる。
【００８０】
【発明の効果】
本発明は、水溶液から通電によって酸化亜鉛薄膜を形成する方法であり、アノード上に堆積される粉を抑制、除去することにより安定に、長時間にわたり、特性のむらのなく形成する方法を提供するものであり、更に、該酸化亜鉛薄膜上に特性のむらのない光起電力素子を提供するものである。
【００８１】
また、本発明は、アノードの寿命を引き伸ばすことにより、安価な酸化亜鉛薄膜、更には安価な光起電力素子を提供するものであり、太陽光発電の本格的な普及に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（１−１）は、本発明による長尺基板への酸化亜鉛薄膜の連続電解析出装置の一例を示す断面図。
（１−２）は、図１−１の電析槽内を上から見た図。
（１−３）は、図１−１の電析槽内を基板搬送方向から見た図。
【図２】（２−１）は、本発明による長尺基板への酸化亜鉛薄膜の連続電解析出装置の一例を示す断面図。
（２−２）は、図２−１の電析槽内を上から見た図。
（２−３）は、図２−１の電析槽内を基板搬送方向から見た図。
【符号の説明】
１００ 長尺基板
１０１ 送り出しローラー
１０２ 巻き取りローラー
１０３ 給電ローラー
１０４ 電析槽
１０５ 水洗槽
１０６ 水洗シャワー
１０７ エアナイフ
１０８ 乾燥炉
１０９ａ〜ｄ 電極（アノード）
１１０ａ１〜ｄ２ 噴流パイプ
１１１ 電析浴
２００ 長尺基板
２０１ 送り出しローラー
２０２ 巻き取りローラー
２０３ 給電ローラー
２０４ 電析槽
２０５ 水洗槽
２０６ 水洗シャワー
２０７ エアナイフ
２０８ 乾燥炉
２０９ａ〜ｄ 電極（アノード）
２１０ａ１〜ｄ２ 噴流パイプ
２１１ 電析浴
Claims (7)
- 少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛膜を形成する方法であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する工程を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成方法。
- 前記基板は長尺基板であり、前記電極が複数個からなることを特徴とする特許請求１項の酸化亜鉛膜の形成方法。
- 前記副生成物を除去する工程が該水溶液の対流によることを特徴とする特許請求１、２項の酸化亜鉛薄膜の形成方法。
- 前記対流は前記基板と前記電極で囲まれた空間の外で発生させることを特徴とする請求項１乃至３の酸化亜鉛薄膜の形成方法。
- 前記対流方向が該電極に向かう方向であり、かつ基板搬送方向に対して９０度でないことを特徴とする請求項２乃至４の酸化亜鉛薄膜の形成方法。
- 酸化亜鉛薄膜を有する光起電力素子の形成方法において、前記酸化亜鉛薄膜を請求項１乃至５のいずれかに記載の方法で形成する工程と、前記酸化亜鉛薄膜上に半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光起電力素子の形成方法。
- 少なくとも亜鉛イオンと硝酸イオンを含有してなる水溶液に浸漬された基板と、該水溶液に浸漬された電極との間に通電して、前記基板上に酸化亜鉛薄膜を形成する装置であって、該電極上に堆積される副生成物を除去する手段を有することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の形成装置。
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Cited By (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283048A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 多孔質酸化金属色素複合膜の製造方法 |
| US7939454B1 (en) | 2008-05-31 | 2011-05-10 | Stion Corporation | Module and lamination process for multijunction cells |
| US8017860B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-09-13 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials |
| US8058092B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-11-15 | Stion Corporation | Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application |
| US8067263B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-11-29 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8071179B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-12-06 | Stion Corporation | Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials |
| US8075723B1 (en) | 2008-03-03 | 2011-12-13 | Stion Corporation | Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials |
| US8168463B2 (en) | 2008-10-17 | 2012-05-01 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for CIGS cell |
| US8193028B2 (en) | 2008-10-06 | 2012-06-05 | Stion Corporation | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8198122B2 (en) | 2008-09-29 | 2012-06-12 | Stion Corporation | Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8207008B1 (en) | 2008-08-01 | 2012-06-26 | Stion Corporation | Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic |
| US8236597B1 (en) | 2008-09-29 | 2012-08-07 | Stion Corporation | Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8258000B2 (en) | 2008-09-29 | 2012-09-04 | Stion Corporation | Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8263494B2 (en) | 2010-01-25 | 2012-09-11 | Stion Corporation | Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels |
| US8287942B1 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-16 | Stion Corporation | Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material |
| US8344243B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-01-01 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
| US8383450B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-26 | Stion Corporation | Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials |
| US8394662B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-03-12 | Stion Corporation | Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8398772B1 (en) | 2009-08-18 | 2013-03-19 | Stion Corporation | Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity |
| US8425739B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-04-23 | Stion Corporation | In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials |
| US8436445B2 (en) | 2011-08-15 | 2013-05-07 | Stion Corporation | Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices |
| US8435822B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-05-07 | Stion Corporation | Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells |
| US8461061B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-11 | Stion Corporation | Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment |
| US8476104B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-07-02 | Stion Corporation | Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8501507B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-08-06 | Stion Corporation | Method for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration |
| US8501521B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-08-06 | Stion Corporation | Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8507786B1 (en) | 2009-06-27 | 2013-08-13 | Stion Corporation | Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells |
| US8614396B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-12-24 | Stion Corporation | Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application |
| US8617917B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-12-31 | Stion Corporation | Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material |
| US8628997B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-01-14 | Stion Corporation | Method and device for cadmium-free solar cells |
| US8673675B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-03-18 | Stion Corporation | Humidity control and method for thin film photovoltaic materials |
| US8691618B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-04-08 | Stion Corporation | Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8728200B1 (en) | 2011-01-14 | 2014-05-20 | Stion Corporation | Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials |
| US8741689B2 (en) | 2008-10-01 | 2014-06-03 | Stion Corporation | Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials |
| US8759671B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-06-24 | Stion Corporation | Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices |
| US8809096B1 (en) | 2009-10-22 | 2014-08-19 | Stion Corporation | Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials |
| US8859880B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-10-14 | Stion Corporation | Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices |
| US8941132B2 (en) | 2008-09-10 | 2015-01-27 | Stion Corporation | Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials |
| US9087943B2 (en) | 2008-06-25 | 2015-07-21 | Stion Corporation | High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material |
| US9096930B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-08-04 | Stion Corporation | Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices |
| US9105776B2 (en) | 2006-05-15 | 2015-08-11 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials |
-
2003
- 2003-05-07 JP JP2003129062A patent/JP2004332043A/ja not_active Withdrawn
Cited By (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4668660B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-04-13 | 豊田合成株式会社 | 多孔質酸化金属色素複合膜の製造方法 |
| JP2006283048A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 多孔質酸化金属色素複合膜の製造方法 |
| US8017860B2 (en) | 2006-05-15 | 2011-09-13 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials |
| US9105776B2 (en) | 2006-05-15 | 2015-08-11 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials |
| US8314326B2 (en) | 2006-05-15 | 2012-11-20 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials |
| US8071179B2 (en) | 2007-06-29 | 2011-12-06 | Stion Corporation | Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials |
| US8871305B2 (en) | 2007-06-29 | 2014-10-28 | Stion Corporation | Methods for infusing one or more materials into nano-voids of nanoporous or nanostructured materials |
| US8759671B2 (en) | 2007-09-28 | 2014-06-24 | Stion Corporation | Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices |
| US8058092B2 (en) | 2007-09-28 | 2011-11-15 | Stion Corporation | Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application |
| US8614396B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-12-24 | Stion Corporation | Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application |
| US8287942B1 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-16 | Stion Corporation | Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material |
| US8623677B2 (en) | 2007-11-14 | 2014-01-07 | Stion Corporation | Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration |
| US8642361B2 (en) | 2007-11-14 | 2014-02-04 | Stion Corporation | Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration |
| US8501507B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-08-06 | Stion Corporation | Method for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration |
| US8512528B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-08-20 | Stion Corporation | Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using single-chamber configuration |
| US8075723B1 (en) | 2008-03-03 | 2011-12-13 | Stion Corporation | Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials |
| US7939454B1 (en) | 2008-05-31 | 2011-05-10 | Stion Corporation | Module and lamination process for multijunction cells |
| US9087943B2 (en) | 2008-06-25 | 2015-07-21 | Stion Corporation | High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material |
| US8617917B2 (en) | 2008-06-25 | 2013-12-31 | Stion Corporation | Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material |
| US8207008B1 (en) | 2008-08-01 | 2012-06-26 | Stion Corporation | Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic |
| US8941132B2 (en) | 2008-09-10 | 2015-01-27 | Stion Corporation | Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials |
| US8691618B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-04-08 | Stion Corporation | Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8258000B2 (en) | 2008-09-29 | 2012-09-04 | Stion Corporation | Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8236597B1 (en) | 2008-09-29 | 2012-08-07 | Stion Corporation | Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8501521B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-08-06 | Stion Corporation | Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8394662B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-03-12 | Stion Corporation | Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8198122B2 (en) | 2008-09-29 | 2012-06-12 | Stion Corporation | Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8476104B1 (en) | 2008-09-29 | 2013-07-02 | Stion Corporation | Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8425739B1 (en) | 2008-09-30 | 2013-04-23 | Stion Corporation | In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials |
| US8435822B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-05-07 | Stion Corporation | Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells |
| US8067263B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-11-29 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8071421B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-12-06 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8076176B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-12-13 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8383450B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-02-26 | Stion Corporation | Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials |
| US8084291B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-12-27 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8088640B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-01-03 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8673675B2 (en) | 2008-09-30 | 2014-03-18 | Stion Corporation | Humidity control and method for thin film photovoltaic materials |
| US8318531B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-27 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8084292B2 (en) | 2008-09-30 | 2011-12-27 | Stion Corporation | Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates |
| US8741689B2 (en) | 2008-10-01 | 2014-06-03 | Stion Corporation | Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials |
| US8193028B2 (en) | 2008-10-06 | 2012-06-05 | Stion Corporation | Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method |
| US8168463B2 (en) | 2008-10-17 | 2012-05-01 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for CIGS cell |
| US8557625B1 (en) | 2008-10-17 | 2013-10-15 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for cigs cell |
| US8344243B2 (en) | 2008-11-20 | 2013-01-01 | Stion Corporation | Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction |
| US8507786B1 (en) | 2009-06-27 | 2013-08-13 | Stion Corporation | Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells |
| US8398772B1 (en) | 2009-08-18 | 2013-03-19 | Stion Corporation | Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity |
| US8809096B1 (en) | 2009-10-22 | 2014-08-19 | Stion Corporation | Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials |
| US8859880B2 (en) | 2010-01-22 | 2014-10-14 | Stion Corporation | Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices |
| US8263494B2 (en) | 2010-01-25 | 2012-09-11 | Stion Corporation | Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels |
| US9096930B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-08-04 | Stion Corporation | Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices |
| US8461061B2 (en) | 2010-07-23 | 2013-06-11 | Stion Corporation | Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment |
| US8628997B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-01-14 | Stion Corporation | Method and device for cadmium-free solar cells |
| US8728200B1 (en) | 2011-01-14 | 2014-05-20 | Stion Corporation | Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials |
| US8436445B2 (en) | 2011-08-15 | 2013-05-07 | Stion Corporation | Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices |
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