JPH09129904A - 光起電力素子およびその製造方法 - Google Patents
光起電力素子およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH09129904A JPH09129904A JP7278991A JP27899195A JPH09129904A JP H09129904 A JPH09129904 A JP H09129904A JP 7278991 A JP7278991 A JP 7278991A JP 27899195 A JP27899195 A JP 27899195A JP H09129904 A JPH09129904 A JP H09129904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photovoltaic element
- substrate
- semiconductor layer
- main surface
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 80
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 54
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 63
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
- H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/035281—Shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
起電力素子、およびこれらの量産性に優れた製造方法を
提供する。 【解決手段】 対向する第1と第2の主面を有するn型
単結晶シリコン基板7と、その第1の主面上に形成され
た真性非晶質シリコン層8と、その上に形成されたp型
非晶質シリコン層9と、その上に形成された導電性薄膜
3と、その上に形成された集電極4と、n型単結晶シリ
コン基板7の第2の主面上に形成された真性非晶質シリ
コン層8と、その上に形成されたn型非晶質シリコン層
10と、その上に形成された導電性薄膜3と、その上に
形成された裏面電極5とを備え、n型単結晶シリコン基
板7の第1の主面上に形成された真性非晶質シリコン層
8とp型非晶質シリコン層9と導電性薄膜3とからなる
積層部の周縁部分に、少なくとも真性非晶質半導体層8
に達するまでの深さを有する溝1が形成される。
Description
電力素子およびその製造方法に関するものであり、特に
結晶半導体と非晶質半導体とを組合せて構成されるヘテ
ロ接合を有する光起電力素子およびその製造方法に関す
るものである。
ンや多結晶シリコン等の結晶系シリコンを用いた太陽電
池の研究および実用化が盛んに行なわれている。中で
も、非晶質シリコンと結晶系シリコンとを組合せること
により構成されたヘテロ接合を有する太陽電池は、その
接合を200℃以下の低温プロセスで形成することがで
き、かつ、高い変換効率が得られることから、注目を集
めている。
とのヘテロ接合界面に薄い真性非晶質シリコンを挿入す
ることにより、太陽電池の特性が特に改善されることが
知られている。
ンとを組合せた光起電力素子の製造においては、結晶系
シリコンのみからなる光起電力素子と異なり、結晶系シ
リコン基板上に接合形成のための非晶質シリコン層や導
電性薄膜を形成する必要がある。
する際には、プラズマCVD法、スパッタ法あるいは蒸
着法等の製造法を用いるために、非晶質シリコン層や導
電性薄膜が基板の表面のみならず側面あるいは裏面に回
り込んでしまい、これらを介して素子の短絡が生じると
いう問題があった。
ー工学」(培風館、p221)や「太陽エネルギーへの
挑戦」(清文社、p50)に示されているように、金属
等のマスクで基板の周端部を覆いながら膜の形成を行な
うことにより、上述した膜の側面あるいは裏面への回込
みを防止していた。
方法により製造された光起電力素子の一例の構造を示す
断面図である。
型結晶シリコン基板7表面上に、真性非晶質シリコン層
8、p型非晶質シリコン層9、導電性薄膜3および集電
極4が順次形成され、一方、結晶シリコン基板7裏面上
には、真性非晶質シリコン層8、n型非晶質シリコン層
10、導電性薄膜3および裏面電極5が、順次形成され
ていた。
示す従来の光起電力素子においては、基板1の周縁部分
Aには非晶質シリコン層9,10および導電性薄膜3等
が形成されないため、この部分Aは無発電層あるいは高
抵抗層となり、損失部分となってしまう。その結果、有
効面積が減少し、変換効率が低下してしまうという問題
があった。
ての役割も果たしているため、このように導電性薄膜3
の形成されない部分ができると、反射損が生じ、光閉じ
込め性能が低下するという問題もあった。
は、マスクを使用する工程は少ない方が好ましいため、
このようなマスクを多用する製造方法は、量産性に乏し
いという問題もあった。
し、変換効率および光閉じ込め性能が向上した光起電力
素子、およびこれらの量産性に優れた製造方法を提供す
ることにある。
起電力素子は、一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
に、他導電型の非晶質半導体層と導電性薄膜とからなる
積層体を備えた光起電力素子であって、基板の一主面上
における積層体の周縁部分に、少なくとも該積層体を除
去した溝が形成されたことを特徴としている。
求項1の発明において、基板と非晶質半導体層との間
に、真性非晶質半導体層を備えたことを特徴としてい
る。
導電型の結晶系半導体基板の一主面上に、他導電型の非
晶質半導体層および導電性薄膜を備えた光起電力素子で
あって、基板の他主面上に裏面電極が備えられるととも
に、他主面上における裏面電極の周縁部分に、該裏面電
極を除去した溝が形成されたことを特徴としている。
導電型の結晶系半導体基板の一主面上に、同導電型の非
晶質半導体層と裏面電極とからなる積層体を備えた光起
電力素子であって、一主面上における積層体の周縁部分
に、少なくとも該積層体を除去した溝が形成されたこと
を特徴としている。
求項4の発明において、基板と非晶質半導体層との間
に、真性非晶質半導体層を備えたことを特徴としてい
る。
求項4または5の発明において、非晶質半導体層と裏面
電極との間に、導電性薄膜を備えたことを特徴としてい
る。
導電型の結晶系半導体基板の一主面上の全面に、前記基
板とヘテロ接合を形成する非晶質半導体層および導電性
薄膜を備えた光起電力素子であって、結晶系半導体基板
の側面のその厚さ方向の少なくとも一部が露出せしめら
れ、該露出された部分は基板の外周側面を取囲むように
連続していることを特徴としている。
方法は、一導電型の結晶系半導体基板の一主面上の全面
に、ヘテロ接合を形成するように少なくとも非晶質半導
体層を形成することにより得られる光起電力素子の製造
方法であって、光起電力素子の側面にレーザを照射して
該側面上に形成された非晶質半導体層を除去し、光起電
力素子の側面のその厚さ方向の少なくとも一部を該側面
を取囲むように連続して露出させることを特徴としてい
る。
方法は、請求項8の発明において、重ね合わされた複数
の光起電力素子の側面に、レーザを照射することを特徴
としている。
体基板上に形成された非晶質半導体層と導電性薄膜とか
らなる積層体の周縁部分に、積層体を除去した溝が形成
される。
層の回込みによる漏れ電流がなくなるため、接合の短絡
が防止される。
質半導体層に達するまでの深さであればよい。真性非晶
質半導体層は高抵抗であるため、回込み部分を必ずしも
除去しなくても短絡することがないからである。
は、たとえばレーザ照射により行なうことができる。レ
ーザ照射による切断除去の場合、切断幅は100〜20
0μmまで得ることができる。その結果、有効面積が拡
大し、変換効率の向上が期待できるとともに、光閉じ込
め性能の向上も期待できる。
は、たとえば、特開昭60−260392号には導電膜
の除去技術が、またUSP4824488には非晶質半
導体層の除去技術が開示されている。しかし、これらの
技術はいずれも、集積型太陽電池の接合形成にレーザを
用いたものである。
の表裏の接合分離のために、レーザを用いることによ
り、太陽電池の特性向上に大きな効果を奏するものであ
る。
てマスクの使用が不要となることから、量産性の向上に
もつながる。
の側面に形成された非晶質半導体層および導電性薄膜
が、レーザ照射により除去されてもよい。同様に、導電
性薄膜または非晶質半導体層の回込みによる漏れ電流が
なくなるため、接合の短絡が防止されるからである。
め、たとえば複数の結晶半導体基板を重ねてレーザを照
射することにより、基板の側面に形成された導電性薄膜
および非晶質半導体層等を除去するとよい。
クの使用が不要となる上に、一度に複数の結晶半導体基
板を対象としてレーザ照射することも可能となることか
ら、特に量産性の向上に効果がある。
の製造工程を示す断面図である。
電力素子の一例の製造方法について説明する。
0.1〜10Ωcm、大きさが10cm角、厚さが20
0〜400μmのn型単結晶シリコン基板7を使用し、
プラズマCVD装置内にマスクを使用しないで設置し、
該装置内を真空排気した後、約120〜270℃に加熱
した。次に、前述のプラズマCVD装置内でグロー放電
を発生させ、そのプラズマのエネルギによってシランな
どのシリコン化合物ガスを分解し、250Å以下の真性
非晶質シリコン層8を、前述のn型単結晶シリコン基板
7の第1の主面上に形成した。引続いて、形成した真性
非晶質シリコン層8上に、単結晶シリコン基板7と異な
る導電型となるp型非晶質シリコン層9を、真性非晶質
シリコン層8と同様にプラズマCVD法によって形成し
た。反応ガスとしては、ジボランガスが添加された前述
のシリコン化合物ガスを用いた。
主面と対向する第2の主面上に、真性非晶質シリコン層
8を形成し、その上にn型不純物が過剰にドープされた
n型非晶質シリコン層10を形成した。n型の反応ガス
としては、ホスフィンガスを添加した前述のシリコン化
合物ガスを用いた。
1に示す。表1中、「p型」とはp型非晶質半導体層9
を、「n型」とはn型非晶質半導体層10を、「i型」
とは真性非晶質半導体層8をそれぞれ示す。また、B2
H6 とPH3 は、H2 ガスにより1%に希釈されてい
る。
防止、光閉じ込め効果あるいは非晶質シリコンの合金化
防止のために、n型単結晶シリコン基板7の両主面上に
形成されたp型非晶質シリコン層9およびn型非晶質シ
リコン層10上に、ITO(Indium Tin Oxide)膜等の
透光性の導電性薄膜3をスパッタ法により形成した。
の主面側に形成された導電性薄膜3上に集電極として金
属電極4を形成し、他方、第2の主面側に形成された導
電性薄膜3上に裏面電極として金属電極5を形成し、光
起電力素子の成膜過程は終了した。
素子の状態を示す断面図である。図1(a)を参照し
て、前述した全成膜過程においては従来のようにマスク
を使用しておらず、またプラズマCVD法やスパッタ法
等の方法を用いて形成しているために、この段階におい
ては、n型単結晶シリコン基板7の第1の主面上に形成
された真性非晶質シリコン層8、p型非晶質シリコン層
9および導電性薄膜3は、回込みにより基板7の側面も
しくは第2の主面側にまで形成されている。一方、n型
単結晶シリコン基板7の第2の主面上に形成された真性
非晶質シリコン層8、n型非晶質シリコン層10および
導電性薄膜3についても、回込みにより基板7の側面も
しくは第1の主面側にまで形成されている。
起電力素子は、これらの非晶質シリコン層もしくは導電
性薄膜の回込みにより、短絡および特性低下のおそれが
ある。
よび特性低下を防止するため、レーザ照射により、真性
非晶質シリコン層8とp型非晶質シリコン層9と導電性
薄膜3とからなる積層体の、前記n型単結晶シリコン基
板7の第1の主面上における周縁部分に、溝1を形成し
た。
た光起電力素子の一例の構造を示す断面図である。
なくともp型非晶質シリコン層9と導電性薄膜3とから
なる積層体を除去し、真性非晶質シリコン層8に達する
までのものであればよい。すなわち、真性非晶質シリコ
ンの導電率は、p型非晶質シリコンよりも3桁以上小さ
く高抵抗であるために、必ずしも真性非晶質シリコン層
8はレーザ照射により除去する必要はない。
おける溝の形成状態を説明するための斜視図である。
ては、基板上に形成された積層体の周縁部分に、連続し
た溝1が形成されている。
の条件としては、たとえば、ArレーザやYAGレーザ
の第2高調波などの400nmを超えるレーザを用い
て、0.1〜10Joule/cm2 の適度なパワーを
使用することにより、レーザ光は導電性薄膜3およびp
型非晶質シリコン層9を透過し真性非晶質シリコン層8
まで到達する。その結果、導電性薄膜3およびp型非晶
質シリコン層9の除去が可能となる。また、このような
条件でのレーザ照射により除去されるp型非晶質シリコ
ン層9および導電性薄膜3の幅は、100μm〜1mm
程度であった。
電力素子(表2中「本発明」と示す)について、変換効
率を測定した。
クを用いて作製した光起電力素子(表2中「従来技術」
と示す)についても、変換効率を測定した。
ば、単結晶シリコン基板7の主面上の全面に膜を形成す
ることが可能となるために、有効面積が拡大するととも
に、導電性薄膜により全面ARコートされるため、変換
効率が1%程度向上していることがわかる。
力素子の他の例の構造を示す断面図である。
型単結晶シリコン基板7の第2の主面上に、真性非晶質
シリコン層を介在させることなく直接n型非晶質シリコ
ン層10が形成されている。なお、他の構成について
は、図1(b)に示す実施例1と全く同様であるので、
その説明は省略する。
基板7の第1の主面側のみに真性非晶質シリコン層8が
形成された光起電力素子についても適用できる。
上に裏面電極5のみを形成したものについても、同様の
効果を有する。
型非晶質シリコン層9との間に挿入した真性非晶質シリ
コン層8は、特になくともよい。この場合にも同様に、
p型非晶質シリコン層9と導電性薄膜3とからなる積層
体を除去して、n型単結晶シリコン基板7が露出するよ
うに溝1を設けることにより、同様の効果が得られる。
力素子のさらに他の例の構造を示す断面図である。
11が、n型単結晶シリコン基板7の第1の主面側では
なく、第2主面側に形成されている。すなわち、この実
施例3においては、レーザ照射により、n型単結晶シリ
コン基板7の第2の主面上に形成された真性非晶質シリ
コン層8とn型非晶質シリコン層10と導電性薄膜3と
からなる積層体の周縁部分に、溝11が形成されてい
る。なお、溝11の深さは、実施例1と同様に、少なく
ともn型非晶質シリコン層10と導電性薄膜3とからな
る積層体を除去して真性非晶質シリコン層8に達するま
でのものであればよい。
であるので、その説明は省略する。本発明においては、
短絡防止のための溝は、このようにn型単結晶シリコン
基板の裏面電極が形成される側に設けられてもよい。
力素子のさらに他の例の構造を示す断面図である。
型単結晶シリコン基板7の第1の主面上に、真性非晶質
シリコン層を介在させることなく直接p型非晶質シリコ
ン層9が形成されている。なお、他の構成については図
3に示す実施例3と全く同様であるので、その説明は省
略する。
基板7の第2の主面側のみに真性非晶質シリコン層8が
形成された光起電力素子についても適用できる。
のみを設けた場合には、該金属電極5を除去して基板7
の主面を露出させる溝を設ければよい。
型非晶質シリコン層10との間に挿入した真性非晶質シ
リコン層8は、特になくともよい。この場合にも同様
に、n型非晶質シリコン層10と導電性薄膜3とからな
る積層体を除去してn型単結晶シリコン基板7が露出す
るように溝1を設けることにより、同様の効果が得られ
る。
れた光起電力素子のさらに他の例の構造を示す断面図で
ある。
完了した光起電力素子を、複数個重ね合わせた。次に、
重ね合わせた基板面と直交する方向から、基板の側面よ
り外側の部分にレーザを照射した。
シリコン基板7の側面に形成された真性非晶質シリコン
層8、p型非晶質シリコン層9、n型非晶質シリコン層
10および導電性薄膜3が除去され、前記単結晶基板7
の側面が露出した光起電力素子が得られた。
側面に形成された真性非晶質シリコン層8、p型非晶質
シリコン層9、n型非晶質シリコン層10および導電性
薄膜3をすべて除去することによっても、回込みによる
光起電力素子の短絡および特性低下を有効に防止するこ
とができる。
ような処理を行なってもよいが、特に、この実施例5の
方法によれば、一度に複数枚の基板を対象としてレーザ
照射による処理を施すことができるため、量産性の向上
が期待できる。
8に示す従来例のような基板上の膜が形成されない部分
Aがなく、基板上の全面に膜が形成されるため、変換効
率および光閉じ込め性能が高い。
ある。図7を参照して、この光起電力素子においては、
n型単結晶シリコン基板7の側面の厚さ方向の少なくと
も一部が、該側面を取囲むように連続して形成された溝
1により露出されている。
6に示す実施例のように基板の側面全面を露出させる必
要はなく、基板の側面のその厚さ方向の少なくとも一部
を該側面を取囲むように連続して露出させれば、回込み
による光起電力素子の短絡は有効に防止される。
導電性薄膜の全面ARコートにより光閉じ込め性能が向
上するとともに、有効面積の拡大により変換効率が向上
した光起電力素子が得られる。
法によれば、マスクを全く使用しない製造工程が可能と
なるため、量産性が大いに向上する。
示す断面図である。
成状態を説明するための斜視図である。
す断面図である。
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
他の例の構造を示す断面図である。
である。
Claims (9)
- 【請求項1】 一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
に、他導電型の非晶質半導体層と導電性薄膜とからなる
積層体を備えた光起電力素子であって、 前記基板の一主面上における前記積層体の周縁部分に、
少なくとも該積層体を除去した溝が形成されたことを特
徴とする、光起電力素子。 - 【請求項2】 前記基板と前記非晶質半導体層との間
に、真性非晶質半導体層を備えたことを特徴とする、請
求項1記載の光起電力素子。 - 【請求項3】 一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
に、他導電型の非晶質半導体層および導電性薄膜を備え
た光起電力素子であって、 前記基板の他主面上に裏面電極が備えられるとともに、 前記他主面上における前記裏面電極の周縁部分に、該裏
面電極を除去した溝が形成されたことを特徴とする、光
起電力素子。 - 【請求項4】 一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
に、同導電型の非晶質半導体層と裏面電極とからなる積
層体を備えた光起電力素子であって、 前記一主面上における前記積層体の周縁部分に、少なく
とも該積層体を除去した溝が形成されたことを特徴とす
る、光起電力素子。 - 【請求項5】 前記基板と前記非晶質半導体層との間
に、真性非晶質半導体層を備えたことを特徴とする、請
求項4記載の光起電力素子。 - 【請求項6】 前記非晶質半導体層と裏面電極との間
に、導電性薄膜を備えたことを特徴とする、請求項4ま
たは5記載の光起電力素子。 - 【請求項7】 一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
の全面に、前記基板とヘテロ接合を形成する非晶質半導
体層および導電性薄膜を備えた光起電力素子であって、 前記結晶系半導体基板の側面のその厚さ方向の少なくと
も一部が露出せしめられ、該露出された部分は前記基板
の外周側面を取囲むように連続していることを特徴とす
る、光起電力素子。 - 【請求項8】 一導電型の結晶系半導体基板の一主面上
の全面に、ヘテロ接合を形成するように少なくとも非晶
質半導体層を形成することにより得られる光起電力素子
の製造方法であって、 前記光起電力素子の側面にレーザを照射して該側面上に
形成された非晶質半導体層を除去し、前記光起電力素子
の側面のその厚さ方向の少なくとも一部を該側面を取囲
むように連続して露出させることを特徴とする、光起電
力素子の製造方法。 - 【請求項9】 重ね合わされた複数の前記光起電力素子
の側面に、レーザを照射することを特徴とする、請求項
8記載の光起電力素子の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27899195A JP3349308B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光起電力素子 |
US08/736,418 US5935344A (en) | 1995-10-26 | 1996-10-24 | Photovoltaic element and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27899195A JP3349308B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光起電力素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09129904A true JPH09129904A (ja) | 1997-05-16 |
JP3349308B2 JP3349308B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=17604895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27899195A Expired - Lifetime JP3349308B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 光起電力素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5935344A (ja) |
JP (1) | JP3349308B2 (ja) |
Cited By (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7030413B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-04-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device with intrinsic amorphous film at junction, having varied optical band gap through thickness thereof |
JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JP2006237363A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JP2009065030A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2010010493A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2011023758A (ja) * | 2010-11-02 | 2011-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JP2011023759A (ja) * | 2010-11-02 | 2011-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
WO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2013058702A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JP2013093543A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
WO2013161127A1 (ja) | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
WO2014034677A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
WO2014054600A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、結晶シリコン太陽電池並びに太陽電池モジュール |
JP2014158043A (ja) * | 2014-04-22 | 2014-08-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP2014194977A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Kaneka Corp | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
JP2014199875A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社カネカ | 太陽電池、およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
JP2014531766A (ja) * | 2011-09-29 | 2014-11-27 | インリー エナジー(チャイナ)カンパニー リミテッド | 太陽電池シート及びその熱処理プロセス |
WO2014192408A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2014192739A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JP2014232818A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
JP2015012171A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系光電変換装置およびその製造方法 |
WO2015064634A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
WO2015064354A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2015068341A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2015068340A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JP2015153831A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
WO2015145944A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
WO2015166780A1 (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法 |
WO2015178307A1 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
WO2016056546A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池モジュール、ならびに太陽電池および太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2016076709A (ja) * | 2010-09-24 | 2016-05-12 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の基板 |
WO2018034266A1 (ja) * | 2016-08-15 | 2018-02-22 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換装置 |
WO2018038478A1 (ko) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2385720T3 (es) | 2005-02-25 | 2012-07-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Célula fotovoltaica |
JP2009088203A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
EP2208238B1 (en) * | 2007-11-09 | 2013-04-24 | Sunpreme Inc. | Low-cost solar cells and methods for their production |
WO2009099414A1 (en) * | 2008-02-04 | 2009-08-13 | Lawrence Curtin | Method of manufacturing a photovoltaic cell |
US20090211623A1 (en) * | 2008-02-25 | 2009-08-27 | Suniva, Inc. | Solar module with solar cell having crystalline silicon p-n homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
JP2009200419A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 太陽電池の製造方法 |
US8076175B2 (en) | 2008-02-25 | 2011-12-13 | Suniva, Inc. | Method for making solar cell having crystalline silicon P-N homojunction and amorphous silicon heterojunctions for surface passivation |
US8796066B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-08-05 | Sunpreme, Inc. | Low-cost solar cells and methods for fabricating low cost substrates for solar cells |
US7951640B2 (en) | 2008-11-07 | 2011-05-31 | Sunpreme, Ltd. | Low-cost multi-junction solar cells and methods for their production |
US7858427B2 (en) * | 2009-03-03 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Crystalline silicon solar cells on low purity substrate |
NL2003510C2 (en) * | 2009-09-18 | 2011-03-22 | Solar Cell Company Holding B V | Photovoltaic cell and method for fabricating a photovoltaic cell. |
KR101699300B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2017-01-24 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
EP2450970A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-09 | Roth & Rau AG | Edge isolation by lift-off |
US9331220B2 (en) * | 2011-06-30 | 2016-05-03 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional conductive electrode for solar cell |
JP2013077685A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
EP3832737B1 (en) | 2012-07-02 | 2024-09-04 | Meyer Burger (Germany) GmbH | Method of manufacturing a hetero-junction solar cell |
JP5869674B2 (ja) * | 2013-03-19 | 2016-02-24 | 長州産業株式会社 | 光発電素子 |
TW201526252A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | Neo Solar Power Corp | 太陽能電池及其製造方法 |
ES2845098T3 (es) * | 2014-05-27 | 2021-07-23 | Sunpower Corp | Procedimiento para fabricar módulos de celdas solares |
US10707364B2 (en) * | 2014-05-30 | 2020-07-07 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Solar cell with absorber substrate bonded between substrates |
JP6000315B2 (ja) * | 2014-10-15 | 2016-09-28 | 長州産業株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
CN105810770B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-10-03 | 新日光能源科技股份有限公司 | 异质结太阳能电池及其制造方法 |
FR3038143B1 (fr) * | 2015-06-26 | 2017-07-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'isolation des bords d'une cellule photovoltaique a heterojonction |
WO2017002887A1 (ja) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | 株式会社カネカ | 太陽電池モジュール |
JP6564874B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2019-08-21 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
KR101778128B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
WO2018084159A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
CN110634962A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-31 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
CN112367923B (zh) | 2018-07-13 | 2024-07-05 | 古野电气株式会社 | 超声波拍摄装置、超声波拍摄系统、超声波拍摄方法、以及超声波拍摄程序 |
CN113302747A (zh) * | 2019-01-09 | 2021-08-24 | Lg电子株式会社 | 太阳能电池制备方法 |
FR3131083A1 (fr) * | 2021-12-16 | 2023-06-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Cellule photovoltaïque a contacts passives et a revêtement antireflet |
CN116314382B (zh) | 2023-05-16 | 2023-09-08 | 天合光能股份有限公司 | 太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS603164A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPS60260392A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 透光性導電膜の光加工方法 |
JPH0815223B2 (ja) * | 1987-04-20 | 1996-02-14 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
US4989059A (en) * | 1988-05-13 | 1991-01-29 | Mobil Solar Energy Corporation | Solar cell with trench through pn junction |
US5082791A (en) * | 1988-05-13 | 1992-01-21 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
US5053083A (en) * | 1989-05-08 | 1991-10-01 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Bilevel contact solar cells |
US5342451A (en) * | 1990-06-07 | 1994-08-30 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor optical power receiver |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27899195A patent/JP3349308B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-24 US US08/736,418 patent/US5935344A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7030413B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-04-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device with intrinsic amorphous film at junction, having varied optical band gap through thickness thereof |
JP2006237363A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JP4502845B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2010-07-14 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
JP2006222469A (ja) * | 2006-05-29 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子 |
JP2009065030A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
JP2010010493A (ja) * | 2008-06-27 | 2010-01-14 | Sharp Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP2016076709A (ja) * | 2010-09-24 | 2016-05-12 | サンパワー コーポレイション | 太陽電池の基板 |
JP2011023758A (ja) * | 2010-11-02 | 2011-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
JP2011023759A (ja) * | 2010-11-02 | 2011-02-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子の製造方法 |
WO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JPWO2012105155A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2014-07-03 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2013058702A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
JP2014531766A (ja) * | 2011-09-29 | 2014-11-27 | インリー エナジー(チャイナ)カンパニー リミテッド | 太陽電池シート及びその熱処理プロセス |
US9761749B2 (en) | 2011-10-05 | 2017-09-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JP2013093543A (ja) * | 2011-10-05 | 2013-05-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
WO2013161127A1 (ja) | 2012-04-25 | 2013-10-31 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
US9722101B2 (en) | 2012-04-25 | 2017-08-01 | Kaneka Corporation | Solar cell, solar cell manufacturing method, and solar cell module |
JP5908095B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2016-04-26 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
WO2014034677A1 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 光起電力素子およびその製造方法 |
WO2014054600A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、結晶シリコン太陽電池並びに太陽電池モジュール |
JP5608828B1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-10-15 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、結晶シリコン太陽電池並びに太陽電池モジュール |
US20150270422A1 (en) * | 2012-10-02 | 2015-09-24 | Kaneka Corporation | Method for producing crystalline silicon solar cell, method for producing solar cell module, crystalline silicon solar cell, and solar cell module |
JP5492354B1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-05-14 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法、結晶シリコン太陽電池並びに太陽電池モジュール |
JP2014194977A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-09 | Kaneka Corp | 結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法 |
JP2014199875A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 株式会社カネカ | 太陽電池、およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
US9634176B2 (en) | 2013-05-29 | 2017-04-25 | Kaneka Corporation | Method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell and method for manufacturing crystalline silicon-based solar cell module |
JP5694620B1 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-04-01 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2014232818A (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-11 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
JP5759639B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2015-08-05 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
WO2014192739A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
WO2014192408A1 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-12-04 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池の製造方法、および結晶シリコン系太陽電池モジュールの製造方法 |
US9484485B2 (en) | 2013-05-29 | 2016-11-01 | Kaneka Corporation | Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor |
JP2015012171A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系光電変換装置およびその製造方法 |
WO2015064634A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2015-05-07 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
JPWO2015064634A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
US10964826B2 (en) | 2013-10-30 | 2021-03-30 | Kaneka Corporation | Solar cell and production method therefor, and solar cell module |
JPWO2015064354A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2015064354A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2015068340A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
US10074763B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-09-11 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell |
JPWO2015068341A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2017-03-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
WO2015068341A1 (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
JP2015153831A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | 株式会社カネカ | 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール |
WO2015145944A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
JP2014158043A (ja) * | 2014-04-22 | 2014-08-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JPWO2015166780A1 (ja) * | 2014-05-02 | 2017-04-20 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法 |
WO2015166780A1 (ja) * | 2014-05-02 | 2015-11-05 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池、結晶シリコン系太陽電池モジュール、およびそれらの製造方法 |
US10217887B2 (en) | 2014-05-02 | 2019-02-26 | Kaneka Corporation | Crystalline silicon-based solar cell, crystalline-silicon solar cell module, and manufacturing methods therefor |
WO2015178307A1 (ja) * | 2014-05-23 | 2015-11-26 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
WO2016056546A1 (ja) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | 株式会社カネカ | 太陽電池および太陽電池モジュール、ならびに太陽電池および太陽電池モジュールの製造方法 |
US10453981B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-10-22 | Kaneka Corporation | Solar cell, solar cell module, method for manufacturing solar cell, and method for manufacturing solar cell module |
WO2018034266A1 (ja) * | 2016-08-15 | 2018-02-22 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換装置 |
JPWO2018034266A1 (ja) * | 2016-08-15 | 2019-06-20 | シャープ株式会社 | 光電変換素子および光電変換装置 |
US11515436B2 (en) | 2016-08-15 | 2022-11-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and photovoltaic unit |
WO2018038478A1 (ko) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 그 제조 방법 |
TWI629805B (zh) * | 2016-08-24 | 2018-07-11 | 南韓商周星工程股份有限公司 | 太陽能電池及其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3349308B2 (ja) | 2002-11-25 |
US5935344A (en) | 1999-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH09129904A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
EP1727211B1 (en) | Method of fabricating a thin-film solar cell, and thin-film solar cell | |
US9130074B2 (en) | High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture | |
JP6360340B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
EP1198013B1 (en) | Method of producing tandem thin-film solar cell | |
JP5461028B2 (ja) | 太陽電池 | |
JPH08508368A (ja) | 光電池および光電池を製造するための方法 | |
JP5518347B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
CN115188837B (zh) | 一种背接触太阳能电池及制备方法、电池组件 | |
JP2005116930A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP3655025B2 (ja) | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 | |
JP2014199875A (ja) | 太陽電池、およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール | |
JPH05251723A (ja) | 集積型太陽電池モジュール | |
JP2675754B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP4215697B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP4198079B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
JP4441377B2 (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 | |
JP4674780B2 (ja) | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 | |
AU2017265104B2 (en) | High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture | |
JP4618694B2 (ja) | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP4220014B2 (ja) | 薄膜太陽電池の形成方法 | |
JP2019179860A (ja) | 太陽電池セル、及び、太陽電池セルの製造方法 | |
JP2005033006A (ja) | 集積型タンデム接合太陽電池及び集積型タンデム接合太陽電池の製造方法 | |
JPH0883922A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JPH05315632A (ja) | 半導体装置の製造法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020820 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070913 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080913 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090913 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100913 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110913 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120913 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130913 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |