JP4502845B2 - 光起電力素子 - Google Patents
光起電力素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4502845B2 JP4502845B2 JP2005051174A JP2005051174A JP4502845B2 JP 4502845 B2 JP4502845 B2 JP 4502845B2 JP 2005051174 A JP2005051174 A JP 2005051174A JP 2005051174 A JP2005051174 A JP 2005051174A JP 4502845 B2 JP4502845 B2 JP 4502845B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous silicon
- silicon film
- type
- electrode
- photovoltaic element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 110
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 27
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 88
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 81
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 46
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 9
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Description
また、本発明に係る光起電力素子は、一導電型の結晶系半導体の第1の面上に、実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、結晶系半導体と同じまたは逆の導電型の第2の非晶質系半導体膜と、透光性の第1の電極層とを順に備え、第2の非晶質系半導体膜は、第1の非晶質系半導体膜上の所定幅の外周部を除く第2の領域に形成され、第1の電極層は、第2の非晶質系半導体膜上から第1の非晶質系半導体膜上の外周部に至る領域を覆うように形成されるものである。
図1および図2は本発明の第1の実施の形態に係る光起電力素子の上面図および下面図である。
図4は本発明の第2の実施の形態に係る光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
上記実施の形態においては、結晶系半導体基板としてn型単結晶シリコン基板11が用いられているが、これに限定されず、n型単結晶シリコン基板11の代わりにn型多結晶シリコン基板を用いてもよく、p型単結晶シリコン基板を用いてもよく、p型多結晶シリコン基板を用いてもよい。
上記実施の形態においては、n型単結晶シリコン基板11が一導電型の結晶系半導体に相当し、i型非晶質シリコン膜21,21aが第1の非晶質系半導体膜に相当し、n型非晶質シリコン膜22が第2の非晶質系半導体膜に相当し、表面電極12,12aが第1の電極層に相当し、i型非晶質シリコン膜23が第3の非晶質系半導体膜に相当し、p型非晶質シリコン膜24が第4の非晶質系半導体膜に相当し、裏面電極16が第2の電極層に相当する。
実施例1においては、第1の実施の形態の方法で図3の光起電力素子100を作製した。実施例1の光起電力素子100の作製条件を表1に示す。なお、後述する実施例2および比較例1〜6のi型非晶質シリコン膜、n型非晶質シリコン膜およびp型非晶質シリコン膜の作製条件も同様である。
実施例2においては、第2の実施の形態の方法で図4の光起電力素子101を形成した。
図5は、比較例1の光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
比較例2においては、比較例1と同様の構成を有する光起電力素子102の裏面電極16側から光を入射させ、出力特性を測定した。その結果、開放電圧Vocは0.704Vであり、短絡電流Iscは3.752Aであり、曲線因子F.F.は0.771であり、最大出力Pmaxは2.037であった。なお、比較例2においては、光起電力素子102の各非晶質シリコン膜は、裏面電極16側からの光入射に最適な膜厚で形成されている。
図6は、比較例3の光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
比較例4においては、比較例3と同様の構成を有する光起電力素子103の裏面電極16a側から光を入射させ、出力特性を測定した。その結果、開放電圧Vocは0.704Vであり、短絡電流Iscは3.642Aであり、曲線因子F.F.は0.774であり、最大出力Pmaxは1.985であった。なお、比較例4においては、光起電力素子103の各非晶質シリコン膜は、裏面電極16a側からの光入射に最適な膜厚で形成されている。
図7は、比較例5の光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
図8は、比較例6の光起電力素子の構造を示す模式的断面図である。
表2に実施例1,2および比較例1〜6の光起電力素子の出力特性の測定結果を示す。
表2に示すように、実施例1の光起電力素子100の短絡電流Isc、曲線因子F.F.および最大出力Pmaxは比較例1の光起電力素子102に比べて向上している。
表2に示すように、実施例2の光起電力素子101の出力特性は実施例1の光起電力素子100に比べて向上している。
表2に示すように、比較例2の曲線因子F.F.および最大出力Pmaxは比較例1と同様に実施例1,2に比べて低下している。このことから、図5の光起電力素子102の構成によれば、光を表面電極12b側から入射させても、裏面電極16側から入射させても、実施例1,2と比べて曲線因子F.F.および最大出力Pmaxが劣ることが分かる。
表2に示すように、比較例3および比較例4の短絡電流Iscおよび最大出力Pmaxは実施例1,2に比べて低下している。
表2に示すように、比較例5の出力特性は実施例1,2に比べて低下している。
表2に示すように、比較例6の開放電圧Voc、曲線因子F.F.および最大出力Pmaxは実施例1,2に比べて低下している。
12,12a,12b,12c 表面電極
13 バスバー電極部
14 フィンガー電極部
15,19 集電極
16,16a 裏面電極
17 バスバー電極部
18 フィンガー電極部
21,21a,23,23a i型非晶質シリコン膜
22,22a n型非晶質シリコン膜
24,24a p型非晶質シリコン膜
100〜105 光起電力素子
Claims (8)
- 一導電型の結晶系半導体の第1の面上に、
実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、
前記結晶系半導体と同じまたは逆の導電型の第2の非晶質系半導体膜と、
透光性の第1の電極層とを順に備え、
前記第1の非晶質系半導体膜及び第2の非晶質系半導体膜は、前記結晶系半導体上の所定幅の外周部を除く第1の領域に形成され、
前記第1の電極層は、前記第2の非晶質系半導体膜上から前記結晶系半導体上の前記外周部に至る領域を覆い前記結晶系半導体の前記第1の面の端部の近傍まで形成されることを特徴とする光起電力素子。 - 一導電型の結晶系半導体の第1の面上に、
実質的に真性の第1の非晶質系半導体膜と、
前記結晶系半導体と同じまたは逆の導電型の第2の非晶質系半導体膜と、
透光性の第1の電極層とを順に備え、
前記第2の非晶質系半導体膜は、前記第1の非晶質系半導体膜上の所定幅の外周部を除く第2の領域に形成され、
前記第1の電極層は、前記第2の非晶質系半導体膜上から前記第1の非晶質系半導体膜上の前記外周部に至る領域を覆うように形成されることを特徴とする光起電力素子。 - 前記第1の電極層側が主たる光入射面であることを特徴とする請求項1または2記載の光起電力素子。
- 前記結晶系半導体の第2の面上にさらに、
実質的に真性の第3の非晶質系半導体膜と、
前記第2の非晶質系半導体膜と逆の導電型の第4の非晶質系半導体膜と、
第2の電極層とを順に備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光起電力素子。 - 前記結晶系半導体と前記第2の非晶質系半導体膜とが同じ導電型であることを特徴とする請求項4記載の光起電力素子。
- 前記第2の電極層は、前記第4の非晶質系半導体膜上の所定幅の外周部を除く領域に形成されることを特徴とする請求項4または5記載の光起電力素子。
- 前記第2の電極層が形成される領域は、前記第1の電極層が形成される領域より小さいことを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の光起電力素子。
- 前記第3および第4の非晶質系半導体膜が形成される領域は、前記第1の電極層が形成される領域より大きいことを特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載の光起電力素子。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005051174A JP4502845B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光起電力素子 |
ES06250987T ES2385720T3 (es) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Célula fotovoltaica |
HUE11194664A HUE046791T2 (hu) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Fotovoltaikus cella |
US11/361,367 US7781669B2 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Photovoltaic cell |
EP06250987A EP1696492B1 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Photovoltaic cell |
CN 200610057698 CN100527447C (zh) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | 光电动势元件 |
EP11194664.6A EP2439780B1 (en) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Photovoltaic cell |
AT06250987T ATE553501T1 (de) | 2005-02-25 | 2006-02-24 | Photovoltaische zelle |
US13/592,613 USRE45872E1 (en) | 2005-02-25 | 2012-08-23 | Photovoltaic cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005051174A JP4502845B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光起電力素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006237363A JP2006237363A (ja) | 2006-09-07 |
JP4502845B2 true JP4502845B2 (ja) | 2010-07-14 |
Family
ID=36936154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005051174A Active JP4502845B2 (ja) | 2005-02-25 | 2005-02-25 | 光起電力素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4502845B2 (ja) |
CN (1) | CN100527447C (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5127252B2 (ja) * | 2007-02-02 | 2013-01-23 | 京セラ株式会社 | 光電変換素子の製造方法 |
JP4974722B2 (ja) * | 2007-03-16 | 2012-07-11 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール |
EP2267794A4 (en) * | 2008-02-08 | 2015-10-14 | Sanyo Electric Co | SOLAR CELL MODULE AND SOLAR CELL |
JP5207852B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-06-12 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
KR101550915B1 (ko) * | 2008-07-25 | 2015-09-07 | 엘지전자 주식회사 | 솔라셀 및 그의 제조방법 |
JP5306112B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
WO2010119512A1 (ja) | 2009-04-14 | 2010-10-21 | 三菱電機株式会社 | 光起電力装置とその製造方法 |
JP5602498B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2014-10-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
WO2011021655A1 (ja) * | 2009-08-19 | 2011-02-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム |
US20110303904A1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-12-15 | Sushobhan Avasthi | Photovoltaic device and method of making same |
KR101769777B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2017-09-05 | 주성엔지니어링(주) | 태양전지 및 그 제조방법 |
JP5328849B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2013-10-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
DE102012104289A1 (de) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Roth & Rau Ag | Heterokontakt-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung |
US20150214398A1 (en) * | 2012-08-29 | 2015-07-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Photovoltaic element and manufacturing method thereof |
KR101925929B1 (ko) * | 2013-01-16 | 2018-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
KR101925928B1 (ko) * | 2013-01-21 | 2018-12-06 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 그의 제조 방법 |
KR101923728B1 (ko) | 2013-02-06 | 2018-11-29 | 한국전자통신연구원 | 태양전지 |
KR102018650B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-11-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
JP6195478B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-09-13 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池素子及び太陽電池モジュール |
WO2016084299A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
CN105810770B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-10-03 | 新日光能源科技股份有限公司 | 异质结太阳能电池及其制造方法 |
CN107924957A (zh) * | 2015-09-09 | 2018-04-17 | 夏普株式会社 | 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
US10784396B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-09-22 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell, solar cell module, and production method for solar cell |
US10923610B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
JP6706779B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
KR101778128B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2017-09-13 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
JP6681754B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2020-04-15 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置およびその製造方法 |
JP6706808B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-06-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池の製造方法 |
CN110634962A (zh) * | 2018-06-01 | 2019-12-31 | 君泰创新(北京)科技有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129904A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2001345463A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
JP2004221437A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP2004228281A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JP2004289058A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JP2005101239A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005051174A patent/JP4502845B2/ja active Active
-
2006
- 2006-02-24 CN CN 200610057698 patent/CN100527447C/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129904A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
JP2001345463A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
JP2004221437A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
JP2004228281A (ja) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JP2004289058A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JP2005101239A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006237363A (ja) | 2006-09-07 |
CN100527447C (zh) | 2009-08-12 |
CN1825630A (zh) | 2006-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4502845B2 (ja) | 光起電力素子 | |
US7781669B2 (en) | Photovoltaic cell | |
JP3998619B2 (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
JP4744161B2 (ja) | 光起電力素子 | |
US10084107B2 (en) | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices | |
JP5031007B2 (ja) | 光起電力素子 | |
EP2293351B1 (en) | Solar cell | |
JP2005101240A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
US20100084013A1 (en) | Solar cell | |
JP4511146B2 (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
JP2011035092A (ja) | 裏面接合型太陽電池及びそれを用いた太陽電池モジュール | |
EP2467882B1 (en) | Solar cell | |
JP2008085374A (ja) | 光起電力素子 | |
EP3200244B1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
TWM527159U (zh) | 異質接面太陽能電池結構 | |
JP2013008960A (ja) | 光電変換装置 | |
KR20130016848A (ko) | Hit 태양전지 | |
US20110253213A1 (en) | Thin film solar cell | |
KR20130006904A (ko) | 박막 태양 전지 | |
KR20120096177A (ko) | 박막 태양 전지 | |
US8642881B2 (en) | Thin film solar cell and method of manufacturing the same | |
JP4070648B2 (ja) | 光起電力素子 | |
US20110265848A1 (en) | Thin film solar cell and method of manufacturing the same | |
KR20120122023A (ko) | 이종접합형 태양전지 | |
KR20120064270A (ko) | 박막 태양 전지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090707 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090907 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100127 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100201 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100323 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100420 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4502845 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130430 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140430 Year of fee payment: 4 |