JPS603164A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents

光起電力装置の製造方法

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JPS603164A
JPS603164A JP58112093A JP11209383A JPS603164A JP S603164 A JPS603164 A JP S603164A JP 58112093 A JP58112093 A JP 58112093A JP 11209383 A JP11209383 A JP 11209383A JP S603164 A JPS603164 A JP S603164A
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photoelectric conversion
electrode
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electrode film
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JP58112093A
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Soichi Sakai
総一 酒井
Shoichi Nakano
中野　昭一
Yukinori Kuwano
桑野　幸徳
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
Sanyo Denki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ０）産業上の利用分野 本発明は光エネルギを直接電気エネルギに変換する光起
電力装置の製造方法に関する。
（ロ）従来技術 一枚の基板上に配置された複数の光電変換領域を電気的
に直列接続せしめた光起電力装置に於いて、実際に光電
変換に寄与する有効面積の上昇を目的として、全面に被
着された膜をレーザビームを照射することにより各光電
変換領域毎に分割せしめる技法は特開昭５７−１２５６
８号公報に開示された如く既に知られている。
第１図は斯る光起電力装置を示し、（１）はガラス・透
光性プラスチック等の絶縁基板、（２ａ）　（２ｂ）（
２Ｃ）は該絶縁基板＋１１の一主面に並設された代数の
光電変換領域で、該変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２
ｃ）の各々は、絶縁基板（１）側から酸化スズ（ＳｎＯ
２）、酸化インジウムスズ（工ｎ２０３−８ｎ０２）等
の透明酸化電極材の第１電極膜（３ａ）　（３ｂ）　（
３ｃ）と、例えば光入射％１ｌＩＪ　（４ａ）　（４ｂ
）　（４ｃ）とオーミック接角虫するアルミニウムＡｔ
等の第２電極暮（５ａ）　（５ｂ）　（５ｃ）と、を順
次重畳せしめた精層構造を成している。更に、上記並設
された光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２０）は右
１’４りの光半導体膜（４１））　（４Ｃ）下面から筋
緑井板１１１−ヒに露出した第１電極１依（３ｂ）　（
３ｃ）の露出部（３ｂ）（３ゐに、左隣りの光半導体膜
（４ａ）　（４ｂ）上面から延出して来た第２電極膜（
ｓａ）　（５ｂ）−一−″電変換領域（２ａ）　（２ｂ
）　（２ｃ）は電気的に直列接続される。
第２図は上紀元起電力装肯に於ける第１電極膜（３ａ）
　（３ｂ）　（３ｃ）のバターニング工程を示し、絶縁
基板（１）の−主面の全域に被着せしめられた第１電極
膜はレーザビームの照射によシ各光電変換領戦（２ａ）
　（２ｂ）　（２ｃ）の隣接間隔部（６）・・・が除去
されて各領域（２ａ）　（２ｂ）　（２０）毎に個別に
分割せしめられる。
この様にして第１電極膜（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）
がレーザビームの照射により各光電変換領域（２ａ）　
（２ｂ）（２ｃ）毎に個別に分割せしめられると、次い
で光半導体膜を全面に被着後、該光半導体層が同様にレ
ーザビームの照射により各光電変換領域（２ａ）　（２
ｂ）（２Ｃ）毎に個別に分割せしめられ、そして最後に
第２電極膜の全面への被着工程及びレーザビームの照射
によるパターニング（除去）工程を経て、第１図に示す
如き光起電力装置の製造が終了する。
然し乍ら、斯る製造工程を経て製造された光起電力装置
は各光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２ｃ）の隣接
間隔部（６）・・・の縮小が図れ、所期の目的である光
電変換に寄与する有効面債の上昇を達成することができ
るものの、各光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２ｃ
）の第１・第２電極膜（３ａ）　（ｓ　ａ）、（３ｂ）
　（ｓｂ）、（３ｃ）（５Ｃ）同士が何らかの原因によ
り接触する結果、当該光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）
　（２ｃ）を短絡せしめる事故が発生し、装置の製造歩
留シを低下せしめる色惧を有していた。
０→　発明の目的 本発明は斯る点に艦みて為されたものであって、その目
的は光電変換領域の短絡事故を防出し、装置の製造歩留
りを向上せしめることにある。
に）発明の構成 本発明光起電力装置の製造方法は、基板の絶縁表面に被
着された電極膜を各光電変換領域毎に個別に分割せしめ
るべく、該光電変換領域毎にその全周をレーザビームの
照射により除去する工程を含む構成にある。
（ホ）実施例 第３図は本発明方法により製造される光起電力装置の断
面図であって、第１図の従来例と同じものについては同
番号を付し説明を割愛する。
而して、本発明の特徴は第４図に示す如き透明な第１電
極膜（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）のパターンにある。
即ち、従来の第１電極ｇ　（３ａ）　（３ｂ）、　（３
ｃ）のパターンは晩に第２図に示した如く、絶縁基板＋
１）の−主面の全域に例えば電子ビーム蒸着された第１
電極膜の光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２ｃ）の
隣接間隔部（６）・・・がレーザビームの照射により除
去され各光電変換領域（２ａ）　（２ｂ）　（２ｃ）毎
に分割形成せしめられていた。従って、除去せしめられ
るのは直線状の隣接間隔部（６）・・・のみであり、実
際斯る隣接間隔部（６）・・・の除去のみで実用上十分
であると考えられてい（２Ｃ）の短絡原因がこの第１電
極鯨（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）のパターンにあると
考え、光半導体層の被着に先立って各光電変換領域（２
ａ）　（２ｂ）　（２ｃ）毎に分割せしめられたはずの
第１電極膜（３ａ）　（３ｂ）、（３ｂ）（３ｃ）、（
３ａ）　（３ｃ）及び（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）の
各組合せに対し導通状態を調査したところ、幾つかの試
料に於いて上記第１雷、極膜同士が導通状態にあること
が判明した。更に斯る導通の原因を調べたところ、絶縁
基板ｆｌ）の側面及び他主面に第１＠極材が付着してお
り、この第１電析材の付着Ｉｔへを介して絶縁状態にあ
る第１電極膜（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）同士が導通
していることが判明した。斯る第１電極材の付着！Ｉｑ
は該第１電極膜形成時、例えば電子ビーム蒸着にあって
は電極材の蒸気流が絶縁基板（１）の被蒸着面である一
主面のみならず側面及び他主面にまで僅かながらも回り
込むことにより形成され、更にはとの付着膜は透明であ
るがためにその存在が分らず短絡事故を招いていたので
ある。
従って、第４図に示す如く各光電変＠領域（２ａ）（２
ｂ）　（２ｃ）毎に分割せしめられる第１電極嘆（３ａ
）（３ｂ）　（３０）の全周に対しレーザビームを照射
すれば該第１電極膜（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）の各
々け絶縁′￥−板（１）の−主面に於いて電気的に分６
１雁した島領域を形成し、第５図（Ａ）及び（至）のよ
うに側面並びに他主面に付着した付着Ｑ　（３）　（３
）・・・が存在したとしても上起筆１電極膜（３ａ）　
（３ｂ）　（３ｃ）は互いに導通することはない。
第６図は多数の光起電力装置例えば２７個を１枚の大型
絶縁基板（ｌＯ）上に同時形成し、一点鎖綜に沼って各
装置単位に切断する場合に本発明を適用した実施例であ
る。同図に於いて外枠の正方形状の実線は大型絶縁基板
（１０）を示し、その他の部分の実線はレーザビームの
走査１４１　＋）　（ＩＩｌ・・・、即ち、全面に被着
された第１電極膜がレーザビームの照射により除去され
る部分を示している。個々の光起電力装置に於ける第１
電極膜（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）のパターンは第４
図と同一であり同番号が付しである。
斯る実施例に於いて、本発明方法を適用しなかった場合
、短絡事故、即ち第１電極嘆（３ａ）　（３ｂ）（３Ｃ
）同士が導通する危惧を有しているものは、長手方向の
基板側面に付着膜（３）　（３）・・・が付着する可能
性のある第１行の３枚の絶縁基板（１ａ１）（１ａ２）
（ｌａｓ）と、第９行の３枚の絶縁基板（ｌｉｊ）　（
１１２）（ｌｉ５）で、他の第２行〜第８行の絶縁基板
（１ｂ１）〜（ｌｈ５）の少くとも第１電極嘆（３ａ）
　（３ｂ）　（３ｃ）同士が側面及び他主面に付着した
電極セを介して導通することはない。
然し乍ら、大型絶縁基板（ｌＯ）に多数同時に形成され
る光起電力装置はその形状も必然的に小さくカリ、従っ
て斯る装置は主として電卓、腕時計等の民生用電子機器
の電源として用いられるために、外観がＦ１行及び第９
行のものと、第２行〜第８行のものとでは透明な第１電
ノ！漢（３ａ）　（３ｂ）　（３ｃ）・・・のパターン
と靴も１００チ透明でない以上、不揃となりデザイン上
好ましくない。従って、本実施例の如く全ての絶縁基板
（ｌａｄ）〜（１１３）についても行方向にレーザビー
ムを照射するととにより、外観を全ての光起電力装置に
つき揃えることができる。
（へ）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如く、基板の絶縁表面
に被着された電匪膜を各光質変換領域毎に個別に分割せ
しめるために使用されるレーザビームは、光電変換領域
毎にその全周に対し照射ぜしめられるので、当該電極膜
は電気的にも確実に分−離され、斯る電極膜同士の導通
を原因とする光電変換領域の短絡事故を防止し得、装置
の製造歩留りを向上せしめることができる□
【図面の簡単な説明】
第１図は典型的外光起電力装置の要部斜視図、第２図は
従来方法のレーザビームによる除去工程を説明するため
の平面図、第３図は本発明製造方法により製造される光
起電力装置の断面図、第４図は本発明方法のレーザビー
ムによる除去工程を説明するための平面図、第５図（Ａ
）及びＣＢ）は第４図に於けるＡ−Ａｆｌ断面図並びに
Ｂ−Ｂ　ｍ３’、ｆｆ面邑第６図は本発明方法の他の実
施例を説明する念めの平面図である。 ｍ−・・絶縁基板、（２ａ）　（２１））　（２ｃ）−
光質変換領域、（３ａ）　（３’ｂ）　（３ｃ）＝　第
１電極膜、（６１−ｉ４；　ｉ３ｉ間隔部、［１０）・
・・大型絶縁基板、（ＩＩ）・・・レーザビームの走査
線。 第１図 第２図 第３図 第４図 虻Ａ、　（Ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板の絶縁表面に半導体１ｉ［を主体とする複数
    の光電変換領域を配置しそれ等の領域を電気的に直列接
    続せしめた光起電力装置の製造方法であって、上記絶縁
    表面に被着された電極膜を各光電変換領域毎に個別に分
    割せしめるべく、該光電変換領域毎にその全周をレーザ
    ビームの照射により除去する工程を含んでいることを特
    徴とした光起電力装置の製造方法。
JP58112093A 1983-06-21 1983-06-21 光起電力装置の製造方法 Pending JPS603164A (ja)

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